半导体
AS384x
电流模式控制器
描述
的控制IC的AS3842系列提供了引脚对引脚替代的
行业标准的UC3842系列器件。该装置是
经过重新设计，以提供电力支持显著改善公差
帘布制造。 2.5 V基准电压源已被修剪到1.0 ％
耐受性。振荡器放电电流进行修整，使瓜尔
及担占空比钳位，而不是规定的放电电流。
电路更完全确定，以保证所有的参数
影响电源的制造公差。
此外，振荡器和触发器的部分已得到增强，
提供额外的性能。第r
T
/C
T
脚现在兼作同步
chronization输入，可以从集电极开路轻松驱动/开放
漏逻辑输出。这种同步输入是高阻抗输入，可以
容易地用于外部时钟系统。新的触发器白杨
术允许在AS3844占空比/ 5之间被保证
49和50％。该AS3843 / 5 ，需要开办不到0.5毫安电流
租在整个温度范围内。
特点
2.5 V带隙基准修剪成
为1.0％和温度补偿
标准温度范围扩展
至105℃
AS3842 / 3振荡修剪
精密占空比钳位
AS3844 / 10有确切的50 ％最大占空比
循环钳
先进的振荡器设计简化
同步
在UVLO改进和规范
滞后提供更多的可预测
启动和关机
改进的5 V稳压器提供了更好的
AC噪声抗扰度
保证性能与目前
感觉拉到地面以下
顶视图
引脚配置
PDIP （ N）
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
1
2
3
4
8
7
6
5
8L SOIC （ D8 ）
V
REG
V
CC
OUT
GND
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
1
2
3
4
8
7
6
5
14L SOIC （ D14 ）
V
REG
V
CC
OUT
GND
COMP
NC
V
FB
NC
I
SENSE
NC
R
T
/C
T
1
2
3
4
5
6
7
14
V
REG
13
NC
12
V
CC
11
V
C
10
OUT
9
8
PWR摹
GND
订购信息
AS384X
电路类型：
电流模式控制器（见表一）
包装样式
D8 = 8引脚塑料SOIC
D14 = 14引脚塑料SOIC
N = 8引脚塑料DIP
D8
13
封装选项：
T =管
13 =卷带式（ 13"卷筒直径）
表A
模型
AS3842
AS3843
AS3844
AS3845
V
CC（分钟）
10
7.6
10
7.6
V
CC （ON）的
16
8.4
16
8.4
占空比
典型值。
97%
97%
49.5%
49.5%
I
CC
0.5毫安
0.3毫安
0.5毫安
0.3毫安
ASTEC半导体
1
AS384x
功能框图
(5.0 V)
1
COMP
+
2
V
FB
误差放大器
(1.0 V)
R
2R
电流模式控制器
5V
调节器
(2.5 V)
REF OK
(5.0 V)
8
V
REG
7
V
CC
(4 V)
UVLO
(6 V)
PWM
比较
3
当前
SENSE
(3.0 V)
(5 V)
+
FF
S
R
PWM逻辑
6
产量
引脚功能说明
引脚号功能
1
2
3
4
COMP
V
FB
当前
SENSE
R
T
/C
T
描述
该引脚为误差放大器的输出。通常用于提供环路补偿
保持V
FB
在2.5 V.
反相误差放大器的输入端。非反相输入裁剪后的2.5 V
带隙基准源。
的电压正比于电感器电流被连接到输入端。 PWM的用途
此信息以终止输出的栅极驱动器。
振荡器频率和最大输出占空比是通过连接一个电阻器来设定
(R
T
）到V
REG
和一个电容器（C
T
）接地。把该引脚连接到地或V
REG
将
实现同步的功能。
电路共地，电源地和IC载板。
该输出设计为直接驱动功率MOSFET开关。该输出可以下沉
或源的峰值电流高达1A 。在二分之一的AS3844 / 5开关的输出
振荡器的频率。
正电源电压为IC 。
这5 V稳压输出提供了充电电流为电容C
T
通过
电阻R
T
.
2
5
6
GND
产量
7
8
V
CC
V
REG
ASTEC半导体
+
(0.6 V)
+
4
R
T
/C
T
(1.3 V)
+
FF
S
R
振荡器
过度
温度
T
CLK [四十三分之三千八百四十二]
FF
5
GND
CLK
÷
2 [3844/45]
该AS3842图1.框图/ 3 /4/5
电流模式控制器
绝对最大额定值
参数
符号
等级
AS384x
单位
电源电压（I
CC
< 30毫安）
电源电压（低阻抗源）
输出电流
输出能量（电容性负载）
模拟输入（引脚2 ，引脚3 ）
误差放大器灌电流
最大功率耗散
V
CC
V
CC
I
OUT
自限
30
±1
5
-0.3 30
10
V
V
A
J
V
mA
750毫瓦
1000毫瓦
950毫瓦
C
C
C
C
最高结温
工作温度
存储温度范围
焊接温度，焊接10秒
P
D
8L SOIC
8L PDIP
14L SOIC
T
J
T
英镑
T
L
150
0至150
-65到150
300
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或任何其他条件如上所示，在操作部分功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐的条件
参数
电源电压
AS3842,4
AS3843,5
振荡器
f
OSC
符号
V
CC
15
10
50至500
V
V
千赫
等级
单位
典型热阻
包
8L PDIP
8L SOIC
14L SOIC
θ
JA
95C/W
175C/W
130C/W
θ
JC
50C/W
45C/W
35C/W
典型的降额
10.5毫瓦/°C的
5.7毫瓦/°C的
7.7毫瓦/ C
ASTEC半导体
3
AS384x
电气特性
电流模式控制器
电气特性都保证在整个结温范围（ 0 105 ° C） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
CC
= 15 V ，R
T
= 10 k½, and C
T
= 3.3 nF的，除非
另有说明。要覆盖UVLO ，V
CC
应上述测试之前17 V上升。
参数
5 V稳压器
输出电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
1
总输出变化
1
长期稳定性
1
输出噪声电压
短路电流
2.5 V内部参考
额定电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
1
总输出变化
1
长期稳定性
振荡器
初始精度
电压稳定
温度稳定性
1
振幅
上跳变点
低跳变点
同步阈值
放电电流
占空比限制
TC
f
f
OSC
V
H
V
L
V
SYNC
I
D
R
T
= 680 ½, C
T
= 5.3 nF的，T
J
= 25C
400
7.5
46
f
OSC
T
J
= 25C
12 V V
CC
25 V
T
民
T
J
T
最大
V
RT / CT
峰 - 峰值
47
52
0.2
5
1.6
2.9
1.3
600
8.7
50
800
9.5
52
57
1
千赫
%
%
V
V
V
mV
mA
%
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
REG
PSRR
T
J
= 25 ° C，I
REG
= 1毫安
12 V
CC
25 V
1 I
REG
= 20毫安
4.95
5.00
2
2
0.2
5.05
10
10
0.4
5.15
V
mV
mV
毫伏/°C的
V
mV
V
TC
REG
线，负载，温度
超过1000个小时，在25℃
V
噪音
I
SC
V
FB
PSRR
T = 25C ;我
REG
= 1毫安
12 V V
CC
25 V
1 I
REG
= 20毫安
TC
VFB
线，负载，温度
超过1000个小时，在125℃
2.450
10赫兹 F 100千赫，T
J
= 25C
30
4.85
5
50
100
25
180
mA
2.475
2.500
2
2
0.1
2.500
2
2.525
5
5
0.2
2.550
12
V
mV
mV
毫伏/°C的
V
mV
ASTEC半导体
4
电流模式控制器
电气特性
（续）
AS384x
电气特性都保证在整个结温范围（ 0 105 ° C） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
CC
= 15 V ，R
T
= 10 k½, and C
T
= 3.3 nF的，除非
另有说明。要覆盖UVLO ，V
CC
应上述测试之前17 V上升。
参数
误差放大器器
输入电压
输入偏置电流
电压增益
跨
单位增益带宽
1
电源抑制比
输出灌电流
输出源电流
输出摆幅高
输出摆幅低
电流检测比较器
传递增益
2,3
I
SENSE
电平转换
2
最大输入信号
2
电源抑制比
输入偏置电流
传播延迟到输出
1
产量
输出低电平
V
OL
V
OL
输出高电平
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
FB
I
BIAS
A
VOL
G
m
GBW
PSRR
I
COMPL
I
COMPH
V
COMPH
V
COMPL
AV
CS
V
LS
PSRR
I
BIAS
t
PD
T
J
= 25C
2 V
COMP
4 V
2.475
2.500
0.1
2.525
1
1
V
A
dB
毫安/ MV
兆赫
dB
mA
mA
V
65
90
1
0.8
12 V
CC
25 V
V
FB
= 2.7 V, V
COMP
= 1.1 V
V
FB
= 2.3 V, V
COMP
= 5 V
V
FB
= 2.3 V ，R
L
= 15 k½ to Ground
V
FB
= 2.7 V ，R
L
= 15 k½ to Pin 8
0.2 V
SENSE
0.8 V
V
SENSE
= 0 V
V
COMP
= 5 V
12 V
CC
25 V
0.9
2.85
60
2
0.5
5
1.2
70
6
0.8
5.5
0.7
1.1
V
3.0
1.5
1
70
1
85
3.15
V/V
V
1.1
V
dB
10
150
A
ns
I
SINK
= 20毫安
I
SINK
= 200毫安
I
来源
= 20毫安
I
来源
= 200毫安
C
L
= 1 nF的
C
L
= 1 nF的
3842/4
3843/5
15
7.8
9
7.0
13
12
0.1
1.5
13.5
13.5
50
50
0.4
2.2
V
V
V
V
V
OH
V
OH
t
R
t
F
V
CC
（上）
V
CC
（分钟）
V
OUV
T
OT
上升时间
下降时间
1
150
150
ns
ns
内务管理
起动阈值
16
8.4
10
7.6
1.5
125
17
9.0
11
8.2
2.0
V
V
V
V
V
C
最低工作电压
打开后
输出低电平UV州
过温关断
4
3842/4
3843/5
I
SINK
能力= 20 mA ，V
CC
= 6 V
ASTEC半导体
5
半导体
AS384x
电流模式控制器
描述
的控制IC的AS3842系列提供了引脚对引脚替代的
行业标准的UC3842系列器件。该装置是
经过重新设计，以提供电力支持显著改善公差
帘布制造。 2.5 V基准电压源已被修剪到1.0 ％
耐受性。振荡器放电电流进行修整，使瓜尔
及担占空比钳位，而不是规定的放电电流。
电路更完全确定，以保证所有的参数
影响电源的制造公差。
此外，振荡器和触发器的部分已得到增强，
提供额外的性能。第r
T
/C
T
脚现在兼作同步
chronization输入，可以从集电极开路轻松驱动/开放
漏逻辑输出。这种同步输入是高阻抗输入，可以
容易地用于外部时钟系统。新的触发器白杨
术允许在AS3844占空比/ 5之间被保证
49和50％。该AS3843 / 5 ，需要开办不到0.5毫安电流
租在整个温度范围内。
特点
2.5 V带隙基准修剪成
为1.0％和温度补偿
标准温度范围扩展
至105℃
AS3842 / 3振荡修剪
精密占空比钳位
AS3844 / 10有确切的50 ％最大占空比
循环钳
先进的振荡器设计简化
同步
在UVLO改进和规范
滞后提供更多的可预测
启动和关机
改进的5 V稳压器提供了更好的
AC噪声抗扰度
保证性能与目前
感觉拉到地面以下
顶视图
引脚配置
PDIP （ N）
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
1
2
3
4
8
7
6
5
8L SOIC （ D8 ）
V
REG
V
CC
OUT
GND
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
1
2
3
4
8
7
6
5
14L SOIC （ D14 ）
V
REG
V
CC
OUT
GND
COMP
NC
V
FB
NC
I
SENSE
NC
R
T
/C
T
1
2
3
4
5
6
7
14
V
REG
13
NC
12
V
CC
11
V
C
10
OUT
9
8
PWR摹
GND
订购信息
AS384X
电路类型：
电流模式控制器（见表一）
包装样式
D8 = 8引脚塑料SOIC
D14 = 14引脚塑料SOIC
N = 8引脚塑料DIP
D8
13
封装选项：
T =管
13 =卷带式（ 13"卷筒直径）
表A
模型
AS3842
AS3843
AS3844
AS3845
V
CC（分钟）
10
7.6
10
7.6
V
CC （ON）的
16
8.4
16
8.4
占空比
典型值。
97%
97%
49.5%
49.5%
I
CC
0.5毫安
0.3毫安
0.5毫安
0.3毫安
ASTEC半导体
1
AS384x
功能框图
(5.0 V)
1
COMP
+
2
V
FB
误差放大器
(1.0 V)
R
2R
电流模式控制器
5V
调节器
(2.5 V)
REF OK
(5.0 V)
8
V
REG
7
V
CC
(4 V)
UVLO
(6 V)
PWM
比较
3
当前
SENSE
(3.0 V)
(5 V)
+
FF
S
R
PWM逻辑
6
产量
引脚功能说明
引脚号功能
1
2
3
4
COMP
V
FB
当前
SENSE
R
T
/C
T
描述
该引脚为误差放大器的输出。通常用于提供环路补偿
保持V
FB
在2.5 V.
反相误差放大器的输入端。非反相输入裁剪后的2.5 V
带隙基准源。
的电压正比于电感器电流被连接到输入端。 PWM的用途
此信息以终止输出的栅极驱动器。
振荡器频率和最大输出占空比是通过连接一个电阻器来设定
(R
T
）到V
REG
和一个电容器（C
T
）接地。把该引脚连接到地或V
REG
将
实现同步的功能。
电路共地，电源地和IC载板。
该输出设计为直接驱动功率MOSFET开关。该输出可以下沉
或源的峰值电流高达1A 。在二分之一的AS3844 / 5开关的输出
振荡器的频率。
正电源电压为IC 。
这5 V稳压输出提供了充电电流为电容C
T
通过
电阻R
T
.
2
5
6
GND
产量
7
8
V
CC
V
REG
ASTEC半导体
+
(0.6 V)
+
4
R
T
/C
T
(1.3 V)
+
FF
S
R
振荡器
过度
温度
T
CLK [四十三分之三千八百四十二]
FF
5
GND
CLK
÷
2 [3844/45]
该AS3842图1.框图/ 3 /4/5
电流模式控制器
绝对最大额定值
参数
符号
等级
AS384x
单位
电源电压（I
CC
< 30毫安）
电源电压（低阻抗源）
输出电流
输出能量（电容性负载）
模拟输入（引脚2 ，引脚3 ）
误差放大器灌电流
最大功率耗散
V
CC
V
CC
I
OUT
自限
30
±1
5
-0.3 30
10
V
V
A
J
V
mA
750毫瓦
1000毫瓦
950毫瓦
C
C
C
C
最高结温
工作温度
存储温度范围
焊接温度，焊接10秒
P
D
8L SOIC
8L PDIP
14L SOIC
T
J
T
英镑
T
L
150
0至150
-65到150
300
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或任何其他条件如上所示，在操作部分功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐的条件
参数
电源电压
AS3842,4
AS3843,5
振荡器
f
OSC
符号
V
CC
15
10
50至500
V
V
千赫
等级
单位
典型热阻
包
8L PDIP
8L SOIC
14L SOIC
θ
JA
95C/W
175C/W
130C/W
θ
JC
50C/W
45C/W
35C/W
典型的降额
10.5毫瓦/°C的
5.7毫瓦/°C的
7.7毫瓦/ C
ASTEC半导体
3
AS384x
电气特性
电流模式控制器
电气特性都保证在整个结温范围（ 0 105 ° C） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
CC
= 15 V ，R
T
= 10 k½, and C
T
= 3.3 nF的，除非
另有说明。要覆盖UVLO ，V
CC
应上述测试之前17 V上升。
参数
5 V稳压器
输出电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
1
总输出变化
1
长期稳定性
1
输出噪声电压
短路电流
2.5 V内部参考
额定电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
1
总输出变化
1
长期稳定性
振荡器
初始精度
电压稳定
温度稳定性
1
振幅
上跳变点
低跳变点
同步阈值
放电电流
占空比限制
TC
f
f
OSC
V
H
V
L
V
SYNC
I
D
R
T
= 680 ½, C
T
= 5.3 nF的，T
J
= 25C
400
7.5
46
f
OSC
T
J
= 25C
12 V V
CC
25 V
T
民
T
J
T
最大
V
RT / CT
峰 - 峰值
47
52
0.2
5
1.6
2.9
1.3
600
8.7
50
800
9.5
52
57
1
千赫
%
%
V
V
V
mV
mA
%
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
REG
PSRR
T
J
= 25 ° C，I
REG
= 1毫安
12 V
CC
25 V
1 I
REG
= 20毫安
4.95
5.00
2
2
0.2
5.05
10
10
0.4
5.15
V
mV
mV
毫伏/°C的
V
mV
V
TC
REG
线，负载，温度
超过1000个小时，在25℃
V
噪音
I
SC
V
FB
PSRR
T = 25C ;我
REG
= 1毫安
12 V V
CC
25 V
1 I
REG
= 20毫安
TC
VFB
线，负载，温度
超过1000个小时，在125℃
2.450
10赫兹 F 100千赫，T
J
= 25C
30
4.85
5
50
100
25
180
mA
2.475
2.500
2
2
0.1
2.500
2
2.525
5
5
0.2
2.550
12
V
mV
mV
毫伏/°C的
V
mV
ASTEC半导体
4
电流模式控制器
电气特性
（续）
AS384x
电气特性都保证在整个结温范围（ 0 105 ° C） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
CC
= 15 V ，R
T
= 10 k½, and C
T
= 3.3 nF的，除非
另有说明。要覆盖UVLO ，V
CC
应上述测试之前17 V上升。
参数
误差放大器器
输入电压
输入偏置电流
电压增益
跨
单位增益带宽
1
电源抑制比
输出灌电流
输出源电流
输出摆幅高
输出摆幅低
电流检测比较器
传递增益
2,3
I
SENSE
电平转换
2
最大输入信号
2
电源抑制比
输入偏置电流
传播延迟到输出
1
产量
输出低电平
V
OL
V
OL
输出高电平
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
FB
I
BIAS
A
VOL
G
m
GBW
PSRR
I
COMPL
I
COMPH
V
COMPH
V
COMPL
AV
CS
V
LS
PSRR
I
BIAS
t
PD
T
J
= 25C
2 V
COMP
4 V
2.475
2.500
0.1
2.525
1
1
V
A
dB
毫安/ MV
兆赫
dB
mA
mA
V
65
90
1
0.8
12 V
CC
25 V
V
FB
= 2.7 V, V
COMP
= 1.1 V
V
FB
= 2.3 V, V
COMP
= 5 V
V
FB
= 2.3 V ，R
L
= 15 k½ to Ground
V
FB
= 2.7 V ，R
L
= 15 k½ to Pin 8
0.2 V
SENSE
0.8 V
V
SENSE
= 0 V
V
COMP
= 5 V
12 V
CC
25 V
0.9
2.85
60
2
0.5
5
1.2
70
6
0.8
5.5
0.7
1.1
V
3.0
1.5
1
70
1
85
3.15
V/V
V
1.1
V
dB
10
150
A
ns
I
SINK
= 20毫安
I
SINK
= 200毫安
I
来源
= 20毫安
I
来源
= 200毫安
C
L
= 1 nF的
C
L
= 1 nF的
3842/4
3843/5
15
7.8
9
7.0
13
12
0.1
1.5
13.5
13.5
50
50
0.4
2.2
V
V
V
V
V
OH
V
OH
t
R
t
F
V
CC
（上）
V
CC
（分钟）
V
OUV
T
OT
上升时间
下降时间
1
150
150
ns
ns
内务管理
起动阈值
16
8.4
10
7.6
1.5
125
17
9.0
11
8.2
2.0
V
V
V
V
V
C
最低工作电压
打开后
输出低电平UV州
过温关断
4
3842/4
3843/5
I
SINK
能力= 20 mA ，V
CC
= 6 V
ASTEC半导体
5
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