6B273
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2000年1月24日
8位锁存
DMOS功率驱动器
该A6B273KA和A6B273KLW结合八（正边沿
触发的D型）的数据锁存器和DMOS输出为需要系统
相对较高的负载功率。驱动器应用包括继电器，电磁铁
noids ，和其他中等电流或高电压的外围功率
负载。 CMOS输入和锁存允许直接连接带
基于微处理器的系统。使用带有TTL可能需要适当的
上拉电阻，以确保输入的逻辑高。
该DMOS输出反转的数据输入。所有的输出
驱动器被禁用（在DMOS下沉司机关闭）与
CLEAR输入低电平。该A6B273KA / KLW DMOS漏极开路输出
能够吸收高达500毫安的。类似的设备与减少
r
DS （ ON）
可用为A6273KA / KLW 。
该A6B273KA被布置在一个20脚双列直插式塑料
封装。该A6B273KLW被布置在一个20引脚宽体，
小外形塑料封装（ SOIC ）与鸥翼导致的surface-
安装应用程序。铜引线框架，降低了供电电流
要求，以及低的导通电阻使两个器件下沉
150毫安不断从所有输出，在环境温度超过
85°C.
数据表
26180.122
明确
IN
1
IN
2
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
IN
3
IN
4
地
1
2
3
4
V
DD
20
19
18
17
逻辑
供应
IN
8
IN
7
OUT
8
OUT
7
OUT
6
OUT
5
IN
6
IN
5
频闪
锁存器
锁存器
5
6
7
8
9
10
16
15
14
13
12
11
DWG 。 PP- 015-2
注意， A6B273KA （DIP ）和A6B273KLW
（SOIC）电相同的，并且都有一个共同的
终端数量分配。
绝对最大额定值
在T
A
= 25
°
C
输出电压V
O
...............................
50 V
输出漏电流，
连续的，我
O
..........................
150毫安*
山顶，我
OM
...................................
500毫安
单脉冲雪崩能量，
E
AS
.................................................
30兆焦耳
逻辑电源电压，V
DD
..................
7.0 V
输入电压范围，
V
I
...................................
0.3 V至7.0 V
封装功耗，
P
D
...........................................
请参阅图表
工作温度范围，
T
A
.................................
-40
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围，
T
S
.................................
-55
°
C至+150
°
C
*每路输出，所有输出上。
=脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%.
注意：这些CMOS器件具有输入静态
保护（ 3级） ，但仍易受如果损坏
暴露于非常高的静电荷。
特点
s
50 V最小输出钳位电压
s
150毫安输出电流（同时所有输出）
s
5
典型
r
DS （ ON）
s
低功耗
s
替代TPIC6B273N和TPIC6B273DW
通过完整的部件号总是命令：
产品型号
包
A6B273KA
20引脚DIP
A6B273KLW
20引脚SOIC
R
θJA
55°C/W
70°C/W
R
θJC
25°C/W
17°C/W
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8位锁存
DMOS功率驱动器
逻辑符号
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
2.5
1
11
SU
FF
IX
R
C1
1D
1D
1D
1D
1D
1D
1D
1D
4
5
6
7
14
15
16
17
2.0
2
'A
', R
1.5
SU
FF
IX
θ
J
A
=
3
55
°
C
/W
“ LW
', R
8
9
12
13
18
1.0
θ
J
A
=7
0
°
C/
W
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°C
150
19
DWG 。 GS- 004A
DWG 。 FP- 046-1
VDD
IN
OUT
DWG 。 EP- 010-16
DWG 。 EP- 063
逻辑输入
DMOS功率驱动输出
功能表
明确
L
H
H
H
输入
频闪
X
IN
X
X
H
L
X
OUT
X
H
L
H
R
L
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
R =以前的状态
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
W
版权所有2000 ， Allegro MicroSystems公司
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8位锁存
DMOS功率驱动器
推荐工作条件
在工作温度范围
逻辑电源电压范围，V
DD
............... 4.5 V至5.5 V
高电平输入电压V
IH
............................
≥
0.85V
DD
低电平输入电压，V
IL
.................................
≤0.15V
DD
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
DD
= 5 V ，T
ir
= t
if
≤
10纳秒（除非另有
指定）。
范围
特征
逻辑电源电压
输出故障
电压
断态输出
当前
静态漏源
导通状态电阻
符号
V
DD
V
（ BR ） DSX
I
DSX
测试条件
操作
I
O
= 1毫安
V
O
= 40 V, V
DD
= 5.5 V
V
O
= 40 V, V
DD
= 5.5 V ，T
A
= 125°C
分钟。
4.5
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
5.0
—
0.1
0.15
4.2
6.8
5.5
90
—
—
150
90
200
200
20
150
马克斯。
5.5
—
5.0
8.0
5.7
9.5
8.0
—
1.0
-1.0
—
—
—
—
100
300
单位
V
V
A
A
mA
A
A
ns
ns
ns
ns
A
A
r
DS （ ON）
I
O
= 100毫安， V
DD
= 4.5 V
I
O
= 100毫安， V
DD
= 4.5 V ，T
A
= 125°C
I
O
= 350毫安， V
DD
= 4.5 V （见注）
额定输出
当前
逻辑输入电流
I
ON
I
IH
I
IL
V
DS （ ON）
= 0.5 V ，T
A
= 85°C
V
I
= V
DD
= 5.5 V
V
I
= 0, V
DD
= 5.5 V
I
O
= 100毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 100毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 100毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 100毫安，C
L
= 30 pF的
V
DD
= 5.5 V ，输出OFF
V
DD
= 5.5 V ，输出ON
道具，延迟时间
t
PLH
t
PHL
输出上升时间
输出下降时间
电源电流
t
r
t
f
I
DD （ OFF ）
I
DD （ ON）
典型的数据是在V
DD
= 5 V ，并且是唯一的设计信息。
注 - 脉冲试验，持续时间
≤100 s,
占空比
≤2%.
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
6B273
8位锁存
DMOS功率驱动器
时序要求
INX
50%
50%
t
SU（ D）
频闪
t
H（ D）
50%
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
PLH
OUTPUTx
10%
t
PHL
90%
t
r
t
f
DWG 。 WP- 036-1
输入活动时间选通之前
（数据建立时间） ，T
SU（ D）
..............................................
20纳秒
输入活动时间选通之后
（数据保持时间） ，T
H（ D）
...................................................
20纳秒
输入脉冲宽度，T
W（ D）
.......................................................
40纳秒
输入逻辑高电平，V
IH
................................................
≥
0.85V
CC
输入逻辑低电平，V
IL
.................................................
≤
0.15V
CC
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