数据表
26185.201B
6276
16位串行输入, CONSTANT-
当前锁存LED驱动器
A6276ELW
地
串行
DATA IN
时钟
LATCH
启用
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CK
L
注册
锁存器
20
19
18
17
16
15
14
13
OE
V
DD
I
O
调节器
24
23
22
21
逻辑
供应
R
EXT
串行
数据输出
产量
启用
OUT
15
OUT
14
OUT
13
OUT
12
OUT
11
OUT
10
OUT
9
OUT
8
该A6276EA和A6276ELW是专为LED的设计
显示的应用程序。每个BiCMOS器件包括一个16位的CMOS
移位寄存器,随附的数据锁存和16个NPN恒流
下沉的驱动程序。除了包装风格和允许包电
耗散,这两个装置是完全相同的。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V逻辑电源,典型的串行
数据输入速率高达20 MHz 。 LED的驱动电流是阻止 -
由单个电阻器的用户的选择确定的。 CMOS串行数据
输出允许级联连接,在需要额外的应用程序
驱动线路。对于数字间消隐,所有输出驱动器可以被禁用
有一个使能输入高。类似的8位器件可为
A6275EA和A6275ELW 。
提供了用于通孔DIP (后缀A)或两种封装类型
表面安装SOIC (后缀LW ) 。在一般的应用中,铜
引线框架和低逻辑电功率耗散允许双列直插式
包下沉最大额定电流输出全部continu-
ously在工作温度范围(90毫安, 0.75 V的压降,
+ 85°C ) 。这两款器件也可工作于标准
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。如需订购,更改后缀
字母' E'为' S' 。
DWG 。 PP- 029-11
注意, A6276EA (DIP )和A6276ELW
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
......................
7.0 V
输出电压范围,
V
O
............................
-0.5 V至+17 V
输出电流,I
O
........................
90毫安
接地电流,I
GND
...............
1475毫安
输入电压范围,
V
I
....................
-0.4 V到V
DD
+ 0.4 V
封装功耗,
P
D
.....................................
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
.............................
-40
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
...........................
-55
°
C至+150
°
C
注意:这些CMOS器件具有输入
静电保护( 2级) ,但仍suscep-
如果暴露在非常高的1149损坏
静电荷。
特点
s
s
s
s
s
要90毫安恒流输出
欠压锁定
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高数据输入速率
功能置换TB62706BN / BF
通过完整的部件号总是订货,例如,
A6276EA
.
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
2.5
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
24引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
2.0
24引脚SOIC ,R
θJA
= 75 ° C / W
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 022-3
功能框图
V
DD
时钟
串行
DATA IN
LATCH
启用
UVLO
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
OUTPUT ENABLE
(低电平有效)
MOS
双极
地
I
O
调节器
R
EXT
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
N
DWG 。 FP- 013-3
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 2000年, 2003 Allegro MicroSystems公司
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
范围
特征
电源电压范围
欠压锁定
输出电流
(任意单输出)
输出电流匹配
(任何区别
在相同的V两路输出
CE
)
输出漏电流
逻辑输入电压
I
CEX
V
IH
V
IL
串行数据输出
电压
输入阻抗
V
OL
V
OH
R
I
I
OL
= 500
A
I
OH
= -500
A
使能输入上拉
锁存输入,下拉
电源电流
I
DD ( OFF )
R
EXT
=打开,V
OE
= 5 V
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 5 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 5 V
I
DD ( ON)
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 0 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 0 V
符号
V
DD
V
DD ( UV)
I
O
测试条件
操作
V
DD
= 0
5 V
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 250
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 470
I
O
0.4 V
≤
V
CE ( A)
= V
CE ( B)
≤
0.7 V:
R
EXT
= 250
R
EXT
= 470
V
OH
= 15 V
–
–
–
0.7V
DD
GND
–
4.6
150
100
–
3.5
6.5
7.0
10
±1.5
±1.5
1.0
–
–
–
–
300
200
0.8
6.0
11
13
22
±6.0
±6.0
5.0
V
DD
0.3V
DD
0.4
–
600
400
1.4
8.0
15
20
32
%
%
A
V
V
V
V
k
k
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。
4.5
3.4
64.2
34.1
典型值。
5.0
–
75.5
40.0
马克斯。
5.5
4.0
86.8
45.9
单位
V
V
mA
mA
典型的数据是在V
DD
= 5 V ,并且是唯一的设计信息。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
数据表
26185.201B
6276
16位串行输入, CONSTANT-
当前锁存LED驱动器
A6276ELW
地
串行
DATA IN
时钟
LATCH
启用
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CK
L
注册
锁存器
20
19
18
17
16
15
14
13
OE
V
DD
I
O
调节器
24
23
22
21
逻辑
供应
R
EXT
串行
数据输出
产量
启用
OUT
15
OUT
14
OUT
13
OUT
12
OUT
11
OUT
10
OUT
9
OUT
8
该A6276EA和A6276ELW是专为LED的设计
显示的应用程序。每个BiCMOS器件包括一个16位的CMOS
移位寄存器,随附的数据锁存和16个NPN恒流
下沉的驱动程序。除了包装风格和允许包电
耗散,这两个装置是完全相同的。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V逻辑电源,典型的串行
数据输入速率高达20 MHz 。 LED的驱动电流是阻止 -
由单个电阻器的用户的选择确定的。 CMOS串行数据
输出允许级联连接,在需要额外的应用程序
驱动线路。对于数字间消隐,所有输出驱动器可以被禁用
有一个使能输入高。类似的8位器件可为
A6275EA和A6275ELW 。
提供了用于通孔DIP (后缀A)或两种封装类型
表面安装SOIC (后缀LW ) 。在一般的应用中,铜
引线框架和低逻辑电功率耗散允许双列直插式
包下沉最大额定电流输出全部continu-
ously在工作温度范围(90毫安, 0.75 V的压降,
+ 85°C ) 。这两款器件也可工作于标准
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。如需订购,更改后缀
字母' E'为' S' 。
DWG 。 PP- 029-11
注意, A6276EA (DIP )和A6276ELW
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
......................
7.0 V
输出电压范围,
V
O
............................
-0.5 V至+17 V
输出电流,I
O
........................
90毫安
接地电流,I
GND
...............
1475毫安
输入电压范围,
V
I
....................
-0.4 V到V
DD
+ 0.4 V
封装功耗,
P
D
.....................................
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
.............................
-40
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
...........................
-55
°
C至+150
°
C
注意:这些CMOS器件具有输入
静电保护( 2级) ,但仍suscep-
如果暴露在非常高的1149损坏
静电荷。
特点
s
s
s
s
s
要90毫安恒流输出
欠压锁定
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高数据输入速率
功能置换TB62706BN / BF
通过完整的部件号总是订货,例如,
A6276EA
.
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
2.5
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
24引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
2.0
24引脚SOIC ,R
θJA
= 75 ° C / W
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 022-3
功能框图
V
DD
时钟
串行
DATA IN
LATCH
启用
UVLO
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
OUTPUT ENABLE
(低电平有效)
MOS
双极
地
I
O
调节器
R
EXT
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
N
DWG 。 FP- 013-3
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 2000年, 2003 Allegro MicroSystems公司
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
范围
特征
电源电压范围
欠压锁定
输出电流
(任意单输出)
输出电流匹配
(任何区别
在相同的V两路输出
CE
)
输出漏电流
逻辑输入电压
I
CEX
V
IH
V
IL
串行数据输出
电压
输入阻抗
V
OL
V
OH
R
I
I
OL
= 500
A
I
OH
= -500
A
使能输入上拉
锁存输入,下拉
电源电流
I
DD ( OFF )
R
EXT
=打开,V
OE
= 5 V
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 5 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 5 V
I
DD ( ON)
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 0 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 0 V
符号
V
DD
V
DD ( UV)
I
O
测试条件
操作
V
DD
= 0
5 V
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 250
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 470
I
O
0.4 V
≤
V
CE ( A)
= V
CE ( B)
≤
0.7 V:
R
EXT
= 250
R
EXT
= 470
V
OH
= 15 V
–
–
–
0.7V
DD
GND
–
4.6
150
100
–
3.5
6.5
7.0
10
±1.5
±1.5
1.0
–
–
–
–
300
200
0.8
6.0
11
13
22
±6.0
±6.0
5.0
V
DD
0.3V
DD
0.4
–
600
400
1.4
8.0
15
20
32
%
%
A
V
V
V
V
k
k
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。
4.5
3.4
64.2
34.1
典型值。
5.0
–
75.5
40.0
马克斯。
5.5
4.0
86.8
45.9
单位
V
V
mA
mA
典型的数据是在V
DD
= 5 V ,并且是唯一的设计信息。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
数据表
26185.201B
6276
16位串行输入, CONSTANT-
当前锁存LED驱动器
A6276ELW
地
串行
DATA IN
时钟
LATCH
启用
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CK
L
注册
锁存器
20
19
18
17
16
15
14
13
OE
V
DD
I
O
调节器
24
23
22
21
逻辑
供应
R
EXT
串行
数据输出
产量
启用
OUT
15
OUT
14
OUT
13
OUT
12
OUT
11
OUT
10
OUT
9
OUT
8
该A6276EA和A6276ELW是专为LED的设计
显示的应用程序。每个BiCMOS器件包括一个16位的CMOS
移位寄存器,随附的数据锁存和16个NPN恒流
下沉的驱动程序。除了包装风格和允许包电
耗散,这两个装置是完全相同的。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V逻辑电源,典型的串行
数据输入速率高达20 MHz 。 LED的驱动电流是阻止 -
由单个电阻器的用户的选择确定的。 CMOS串行数据
输出允许级联连接,在需要额外的应用程序
驱动线路。对于数字间消隐,所有输出驱动器可以被禁用
有一个使能输入高。类似的8位器件可为
A6275EA和A6275ELW 。
提供了用于通孔DIP (后缀A)或两种封装类型
表面安装SOIC (后缀LW ) 。在一般的应用中,铜
引线框架和低逻辑电功率耗散允许双列直插式
包下沉最大额定电流输出全部continu-
ously在工作温度范围(90毫安, 0.75 V的压降,
+ 85°C ) 。这两款器件也可工作于标准
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。如需订购,更改后缀
字母' E'为' S' 。
DWG 。 PP- 029-11
注意, A6276EA (DIP )和A6276ELW
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
......................
7.0 V
输出电压范围,
V
O
............................
-0.5 V至+17 V
输出电流,I
O
........................
90毫安
接地电流,I
GND
...............
1475毫安
输入电压范围,
V
I
....................
-0.4 V到V
DD
+ 0.4 V
封装功耗,
P
D
.....................................
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
.............................
-40
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
...........................
-55
°
C至+150
°
C
注意:这些CMOS器件具有输入
静电保护( 2级) ,但仍suscep-
如果暴露在非常高的1149损坏
静电荷。
特点
s
s
s
s
s
要90毫安恒流输出
欠压锁定
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高数据输入速率
功能置换TB62706BN / BF
通过完整的部件号总是订货,例如,
A6276EA
.
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
2.5
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
24引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
2.0
24引脚SOIC ,R
θJA
= 75 ° C / W
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 022-3
功能框图
V
DD
时钟
串行
DATA IN
LATCH
启用
UVLO
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
OUTPUT ENABLE
(低电平有效)
MOS
双极
地
I
O
调节器
R
EXT
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
N
DWG 。 FP- 013-3
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 2000年, 2003 Allegro MicroSystems公司
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
范围
特征
电源电压范围
欠压锁定
输出电流
(任意单输出)
输出电流匹配
(任何区别
在相同的V两路输出
CE
)
输出漏电流
逻辑输入电压
I
CEX
V
IH
V
IL
串行数据输出
电压
输入阻抗
V
OL
V
OH
R
I
I
OL
= 500
A
I
OH
= -500
A
使能输入上拉
锁存输入,下拉
电源电流
I
DD ( OFF )
R
EXT
=打开,V
OE
= 5 V
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 5 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 5 V
I
DD ( ON)
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 0 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 0 V
符号
V
DD
V
DD ( UV)
I
O
测试条件
操作
V
DD
= 0
5 V
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 250
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 470
I
O
0.4 V
≤
V
CE ( A)
= V
CE ( B)
≤
0.7 V:
R
EXT
= 250
R
EXT
= 470
V
OH
= 15 V
–
–
–
0.7V
DD
GND
–
4.6
150
100
–
3.5
6.5
7.0
10
±1.5
±1.5
1.0
–
–
–
–
300
200
0.8
6.0
11
13
22
±6.0
±6.0
5.0
V
DD
0.3V
DD
0.4
–
600
400
1.4
8.0
15
20
32
%
%
A
V
V
V
V
k
k
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。
4.5
3.4
64.2
34.1
典型值。
5.0
–
75.5
40.0
马克斯。
5.5
4.0
86.8
45.9
单位
V
V
mA
mA
典型的数据是在V
DD
= 5 V ,并且是唯一的设计信息。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
数据表
26185.201B
6276
16位串行输入, CONSTANT-
当前锁存LED驱动器
A6276ELW
地
串行
DATA IN
时钟
LATCH
启用
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
1
2
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4
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6
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9
10
11
12
CK
L
注册
锁存器
20
19
18
17
16
15
14
13
OE
V
DD
I
O
调节器
24
23
22
21
逻辑
供应
R
EXT
串行
数据输出
产量
启用
OUT
15
OUT
14
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13
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12
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11
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10
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9
OUT
8
该A6276EA和A6276ELW是专为LED的设计
显示的应用程序。每个BiCMOS器件包括一个16位的CMOS
移位寄存器,随附的数据锁存和16个NPN恒流
下沉的驱动程序。除了包装风格和允许包电
耗散,这两个装置是完全相同的。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V逻辑电源,典型的串行
数据输入速率高达20 MHz 。 LED的驱动电流是阻止 -
由单个电阻器的用户的选择确定的。 CMOS串行数据
输出允许级联连接,在需要额外的应用程序
驱动线路。对于数字间消隐,所有输出驱动器可以被禁用
有一个使能输入高。类似的8位器件可为
A6275EA和A6275ELW 。
提供了用于通孔DIP (后缀A)或两种封装类型
表面安装SOIC (后缀LW ) 。在一般的应用中,铜
引线框架和低逻辑电功率耗散允许双列直插式
包下沉最大额定电流输出全部continu-
ously在工作温度范围(90毫安, 0.75 V的压降,
+ 85°C ) 。这两款器件也可工作于标准
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。如需订购,更改后缀
字母' E'为' S' 。
DWG 。 PP- 029-11
注意, A6276EA (DIP )和A6276ELW
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
......................
7.0 V
输出电压范围,
V
O
............................
-0.5 V至+17 V
输出电流,I
O
........................
90毫安
接地电流,I
GND
...............
1475毫安
输入电压范围,
V
I
....................
-0.4 V到V
DD
+ 0.4 V
封装功耗,
P
D
.....................................
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
.............................
-40
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
...........................
-55
°
C至+150
°
C
注意:这些CMOS器件具有输入
静电保护( 2级) ,但仍suscep-
如果暴露在非常高的1149损坏
静电荷。
特点
s
s
s
s
s
要90毫安恒流输出
欠压锁定
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高数据输入速率
功能置换TB62706BN / BF
通过完整的部件号总是订货,例如,
A6276EA
.
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
2.5
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
24引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
2.0
24引脚SOIC ,R
θJA
= 75 ° C / W
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 022-3
功能框图
V
DD
时钟
串行
DATA IN
LATCH
启用
UVLO
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
OUTPUT ENABLE
(低电平有效)
MOS
双极
地
I
O
调节器
R
EXT
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
N
DWG 。 FP- 013-3
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 2000年, 2003 Allegro MicroSystems公司
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
范围
特征
电源电压范围
欠压锁定
输出电流
(任意单输出)
输出电流匹配
(任何区别
在相同的V两路输出
CE
)
输出漏电流
逻辑输入电压
I
CEX
V
IH
V
IL
串行数据输出
电压
输入阻抗
V
OL
V
OH
R
I
I
OL
= 500
A
I
OH
= -500
A
使能输入上拉
锁存输入,下拉
电源电流
I
DD ( OFF )
R
EXT
=打开,V
OE
= 5 V
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 5 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 5 V
I
DD ( ON)
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 0 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 0 V
符号
V
DD
V
DD ( UV)
I
O
测试条件
操作
V
DD
= 0
5 V
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 250
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 470
I
O
0.4 V
≤
V
CE ( A)
= V
CE ( B)
≤
0.7 V:
R
EXT
= 250
R
EXT
= 470
V
OH
= 15 V
–
–
–
0.7V
DD
GND
–
4.6
150
100
–
3.5
6.5
7.0
10
±1.5
±1.5
1.0
–
–
–
–
300
200
0.8
6.0
11
13
22
±6.0
±6.0
5.0
V
DD
0.3V
DD
0.4
–
600
400
1.4
8.0
15
20
32
%
%
A
V
V
V
V
k
k
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。
4.5
3.4
64.2
34.1
典型值。
5.0
–
75.5
40.0
马克斯。
5.5
4.0
86.8
45.9
单位
V
V
mA
mA
典型的数据是在V
DD
= 5 V ,并且是唯一的设计信息。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
数据表
26185.201B
6276
16位串行输入, CONSTANT-
当前锁存LED驱动器
A6276ELW
地
串行
DATA IN
时钟
LATCH
启用
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CK
L
注册
锁存器
20
19
18
17
16
15
14
13
OE
V
DD
I
O
调节器
24
23
22
21
逻辑
供应
R
EXT
串行
数据输出
产量
启用
OUT
15
OUT
14
OUT
13
OUT
12
OUT
11
OUT
10
OUT
9
OUT
8
该A6276EA和A6276ELW是专为LED的设计
显示的应用程序。每个BiCMOS器件包括一个16位的CMOS
移位寄存器,随附的数据锁存和16个NPN恒流
下沉的驱动程序。除了包装风格和允许包电
耗散,这两个装置是完全相同的。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V逻辑电源,典型的串行
数据输入速率高达20 MHz 。 LED的驱动电流是阻止 -
由单个电阻器的用户的选择确定的。 CMOS串行数据
输出允许级联连接,在需要额外的应用程序
驱动线路。对于数字间消隐,所有输出驱动器可以被禁用
有一个使能输入高。类似的8位器件可为
A6275EA和A6275ELW 。
提供了用于通孔DIP (后缀A)或两种封装类型
表面安装SOIC (后缀LW ) 。在一般的应用中,铜
引线框架和低逻辑电功率耗散允许双列直插式
包下沉最大额定电流输出全部continu-
ously在工作温度范围(90毫安, 0.75 V的压降,
+ 85°C ) 。这两款器件也可工作于标准
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。如需订购,更改后缀
字母' E'为' S' 。
DWG 。 PP- 029-11
注意, A6276EA (DIP )和A6276ELW
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
......................
7.0 V
输出电压范围,
V
O
............................
-0.5 V至+17 V
输出电流,I
O
........................
90毫安
接地电流,I
GND
...............
1475毫安
输入电压范围,
V
I
....................
-0.4 V到V
DD
+ 0.4 V
封装功耗,
P
D
.....................................
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
.............................
-40
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
...........................
-55
°
C至+150
°
C
注意:这些CMOS器件具有输入
静电保护( 2级) ,但仍suscep-
如果暴露在非常高的1149损坏
静电荷。
特点
s
s
s
s
s
要90毫安恒流输出
欠压锁定
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高数据输入速率
功能置换TB62706BN / BF
通过完整的部件号总是订货,例如,
A6276EA
.
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
2.5
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
24引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
2.0
24引脚SOIC ,R
θJA
= 75 ° C / W
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 022-3
功能框图
V
DD
时钟
串行
DATA IN
LATCH
启用
UVLO
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
OUTPUT ENABLE
(低电平有效)
MOS
双极
地
I
O
调节器
R
EXT
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
N
DWG 。 FP- 013-3
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 2000年, 2003 Allegro MicroSystems公司
6276
16位串行输入,
恒流
锁存LED驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
范围
特征
电源电压范围
欠压锁定
输出电流
(任意单输出)
输出电流匹配
(任何区别
在相同的V两路输出
CE
)
输出漏电流
逻辑输入电压
I
CEX
V
IH
V
IL
串行数据输出
电压
输入阻抗
V
OL
V
OH
R
I
I
OL
= 500
A
I
OH
= -500
A
使能输入上拉
锁存输入,下拉
电源电流
I
DD ( OFF )
R
EXT
=打开,V
OE
= 5 V
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 5 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 5 V
I
DD ( ON)
R
EXT
= 470
,
V
OE
= 0 V
R
EXT
= 250
,
V
OE
= 0 V
符号
V
DD
V
DD ( UV)
I
O
测试条件
操作
V
DD
= 0
5 V
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 250
V
CE
= 0.7 V ,R
EXT
= 470
I
O
0.4 V
≤
V
CE ( A)
= V
CE ( B)
≤
0.7 V:
R
EXT
= 250
R
EXT
= 470
V
OH
= 15 V
–
–
–
0.7V
DD
GND
–
4.6
150
100
–
3.5
6.5
7.0
10
±1.5
±1.5
1.0
–
–
–
–
300
200
0.8
6.0
11
13
22
±6.0
±6.0
5.0
V
DD
0.3V
DD
0.4
–
600
400
1.4
8.0
15
20
32
%
%
A
V
V
V
V
k
k
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。
4.5
3.4
64.2
34.1
典型值。
5.0
–
75.5
40.0
马克斯。
5.5
4.0
86.8
45.9
单位
V
V
mA
mA
典型的数据是在V
DD
= 5 V ,并且是唯一的设计信息。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000