【模拟电源AM30N10-70DN沟道100 -V （D -S ）的MOSFET主要特点：低RDS （】,IC型号AM30N10-70D,AM30N10-70D PDF资料,AM30N10-70D经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

AM30N10-70D

N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET

主要特点：

低R

DS （ ON）

沟槽技术

低热阻

开关速度快

典型应用：

PoE的供电设备

电信DC / DC转换器

白光LED升压转换器

产品概述

DS （ ON）

(m )

(V)

78 @ V

= 10V

100

92 @ V

= 4.5V

(A)

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

极限

漏源电压

100

栅源电压

±20

=25°C

连续漏电流

漏电流脉冲

100

连续源电流（二极管传导）

=25°C

功耗

, T

英镑

-55至175

工作结存储温度范围

单位

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号最大

θJA

θJC

单位

° C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步=

出版订单号：

DS-AM30N10-70D_revC

模拟电源

AM30N10-70D

参数

门源阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

测试条件

STATIC

= V

ID = 250微安

= 0 V, V

= 20 V

= 80 V, V

= 0 V

= 80 V, V

= 0 V ，T

= 55°C

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 9.2 A

= 4.5 V，I

= 6.1 A

= 40 V，I

= 5.5 A

9 = A，V

= 0 V

动态

= 50 V, V

= 4.5 V ， ID = 9的

民

典型值

最大

单位

±10

0.8

3.8

14.2

7.5

13.6

= 50 V ，R

= 5.2 , I

= 9.6 A,

根

= 10 V ，R

根

= 6

笔记

一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

B 。通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，

表示

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担由此产生的任何法律责任

任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，

间接或附带损失。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同

在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证

客户的客户应用的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL

产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他

应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成这样的局面

可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，

买方应赔偿并持有联合地产及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用是无害的，

损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关

与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。

APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

初步=

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模拟电源

典型电气特性

0.14

RDS （ ON） - 导通电阻（）

0.12

0.1

0.08

0.06

6V,8V,10V

0.04

0.02

3.5V

4.0V

4.5V

ID - 漏电流（ A）

TJ = 25°C

AM30N10-70D

ID-漏电流（ A）

VGS - 栅极至源极电压（V ）

1.导通电阻与漏电流

0.2

0.18

RDS （ ON） - 导通电阻（）

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0.01

VGS - 栅极至源极电压（V ）

100

TJ = 25°C

= 9A

IS - 源电流（ A）

2.传输特性

TJ = 25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

VSD - 源极到漏极电压（V ）

1.2

3.导通电阻与栅极至源极电压

ID - 漏电流（ A）

0.5

1.5

VDS - 漏极至源极电压（V ）

3.0V

1600

4.5V

4.0V

3.5V

电容（pF）

4.漏 - 源正向电压

10V,8V,6V

F = 1MHz的

1400

1200

1000

800

600

400

200

CRSS

VDS漏 - 源极电压（ V）

科斯

西塞

5.输出特性

初步=

6.电容

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模拟电源

典型电气特性

VGS栅 - 源极电压（ V）

QG - 总栅极电荷（ NC）

0.5

-50 -25

= 50V

RDS （ ON） - 导通电阻（）

（归一化）

= 9A

2.5

AM30N10-70D

1.5

100 125 150 175

TJ - 结温（ ° C）

7.栅极电荷

1000

IDM限制

PEAKTRANSIENT功率（ W）

200

180

160

140

120

100

0.1

100

1000

0.001

8.归一化导通电阻VS

结温

100

ID电流（A ）

有限

通过RDS

10S

100S

0.1

1mS

10mS

100mS

1000mS

10S

100S

0.01

VDS漏极至源极电压（ V）

0.01

0.1

100

1000

T1时间（秒）

9.安全工作区

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

10.单脉冲最大功率耗散

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 96

°C

P（ PK）

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1时间（秒）

100

1000

11.归热瞬态结到环境

初步=

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包装信息

AM30N10-70D

注意：

1.所有尺寸以毫米为单位。

2.包装体尺排除毛边，突起或毛刺。模具闪光灯，突起或毛刺不得

超过0.10毫米每边。

立志在最极端的塑体独家模具闪光灯，门3.封装体尺寸

毛刺和引脚间，但包括的顶部和底部的塑体的不匹配。

4.包装顶部可能小于包装袋底部。

5.尺寸"b"不包括dambar突出。允许DAMBAR突出0.10毫米总过量

的"B"尺寸最大材料情况。密封条不能设在较低的半径中

脚下。

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

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原装正品

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500

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原装正品，支持实单

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深圳市世品佳电子有限公司

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联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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原装正品假一赔百！

深圳市恒达亿科技有限公司

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电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

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全新原装现货特价销售！

深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

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电话：0755-83209630 82519391

联系人：许小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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