A4985
DMOS细分驱动器与翻译
和过流保护
特点和优点
低R
DS （ ON）
输出
自动电流衰减模式检测/选择
混合与慢电流衰减模式
同步整流，阳离子以实现低功耗
内部UVLO
交叉电流保护
3.3和5 V兼容逻辑电源
薄型QFN和TSSOP封装
热关断电路
短期到接地保护
负载短路保护
低电流休眠模式， < 10
μA
无油烟无火（ NSNF ）符合（ ET包）
近似尺寸
描述
该A4985是完整的微电机驱动器与
内置转换器，易于操作。它被设计为工作
双极步进电机在全，半，四分之一，和第八步
模式。步骤模式由MSX逻辑输入选择。它有
高达35 V和± 1 A的A4985的输出驱动能力
包括一个固定关断时间电流稳压器，有能力
工作在慢或混合衰减模式。
在ET包满足客户的要求进行没有硝烟
无火（ NSNF ）加入的无连接引脚设计
关键的输出，感觉和电源引脚。所以，在一个的情况下
针到相邻针的短，设备不会导致烟
或火灾。此外，该设备不引起冒烟或起火
当任何引脚对地短路或开路。
翻译的关键是易于实施的
A4985 。只需在STEP输入驱动器中输入一个脉冲
电动机产生微。有没有相序表，
高频率控制行或复杂的界面。
该A4985界面非常适合应用场合
复杂的微处理器不可用或过载。
在步进操作，斩波控制在A4985
可自动选择电流衰减模式，慢或混合。
续下页...
包：
有外露散热垫
4 mm × 4 mm × 0.75 mm
（ ES软件包）
24 - QFN接触
有外露散热垫
5 mm × 5 mm × 0.90 mm
（ ET包）
24引脚TSSOP
有外露散热垫
（ LP包）
32 - QFN接触
典型应用图
V
DD
0.22
μF
VREG ROSC
VDD
5 kΩ
微控制器或
控制器逻辑
睡觉
步
MS1
MS2
DIR
启用
RESET
VREF
GND
0.1
μF
0.1
μF
0.22
μF
CP1
CP2
VCP
VBB1
VBB2
OUT1A
100
μF
A4985
OUT1B
SENSE1
OUT2A
OUT2B
SENSE2
GND
4985-DS
A4985
DMOS细分驱动器与翻译
和过流保护
描述（续）
在混合衰减模式下，设备的初始设置为快速衰减为
的固定关断时间的比例，然后缓慢衰减的
其余的关断时间。混合衰减电流控制的结果
减少可听到的电动机噪音，增加步进精确度并减少
功耗。
提供内部同步整流控制电路
PWM操作过程中的功耗。国内
电路保护包括：带滞后的过热关机，
欠压锁定（ UVLO）及交叉电流保护。
不需要特别的加电排序。
该A4985是三面供应贴装封装： 2 QFN
包， 4毫米× 4毫米， 0.75 mm标称总高度ES
包，5 10mm×5mm的× 0.90毫米ET包。该LP
封装采用24引脚TSSOP封装。所有三个包都暴露垫
以增强散热，并且是无铅（Pb ）免费（后缀-T ） ，
采用100％雾锡电镀引脚框。
选购指南
产品型号
A4985SESTR-T
A4985SETTR-T
A4985SLPTR-T
包
24 - QFN接触带裸露热焊盘
32 - QFN接触带裸露热焊盘
24引脚TSSOP封装，带有裸焊盘的热
填料
1500件每7英寸卷轴
1500件每7英寸卷轴
4000件每13英寸卷轴
绝对最大额定值
特征
负载电源电压
输出电流
逻辑输入电压
逻辑电源电压
VBBx到的OUTx
检测电压
参考电压
工作环境温度
最大结
储存温度
V
SENSE
V
REF
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围S
符号
V
BB
I
OUT
V
IN
V
DD
笔记
等级
35
±1
-0.3 5.5
-0.3 5.5
35
0.5
5.5
-20到85
150
-55到150
单位
V
A
V
V
V
V
V
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A4985
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和过流保护
功能框图
0.22 F
VREG
ROSC
CP1
0.1 F
CP2
VDD
当前
调节器
OSC
收费
泵
VCP
0.1 F
DMOS全桥
REF
DAC
VBB1
OUT1A
OUT1B
PWM锁存器
消隐
混合衰减
OCP
SENSE1
门
DRIVE
控制
逻辑
OCP
步
DIR
RESET
MS1
MS2
PWM锁存器
消隐
混合衰减
DAC
翻译者
DMOS全桥
VBB2
R
S1
OUT2A
OUT2B
启用
睡觉
SENSE2
R
S2
V
REF
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3
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DMOS细分驱动器与翻译
和过流保护
符号
测试条件
操作
在睡眠模式
操作
源极驱动器，我
OUT
= -800毫安
下沉式驱动器，我
OUT
= 800毫安
来源二极管，我
F
= -800毫安
沉二极管，我
F
= 800毫安
f
PWM
< 50千赫
操作时，输出禁用
睡眠模式
f
PWM
< 50千赫
输出OFF
睡眠模式
分钟。
8
0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
DD
0.7
V
IN
= V
DD
0.7
–
–20
–20
–
–
5
0.7
20
23
0
–3
–
–
–
100
1.1
–
–
2.7
–
典型值。
2
–
–
–
700
700
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
<1.0
<1.0
100
50
11
1
30
30
–
0
–
–
–
475
–
165
15
2.8
90
马克斯。
35
35
5.5
900
900
1.3
1.3
4
2
10
8
5
10
–
V
DD
0.3
20
20
–
–
19
1.3
40
37
4
3
±15
±5
±5
800
–
–
–
2.9
–
单位
V
V
V
mΩ
mΩ
V
V
mA
mA
μA
mA
mA
μA
V
V
μA
μA
kΩ
kΩ
%
μs
μs
μs
V
μA
%
%
%
ns
A
°C
°C
V
mV
电气特性
1
在T
A
= 25 ° C，V
BB
= 35 V（除非另有说明）
特征
输出驱动器
负载电源电压范围
逻辑电源电压范围
输出导通电阻
体二极管正向电压
V
BB
V
DD
R
DS （ ON）
V
F
I
BB
电机电源电流
逻辑电源电流
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
微步选择
逻辑输入迟滞
空白时间
固定关断时间
参考输入电压范围
参考输入电流
电流跳闸级错误
3
交叉死区时间
保护
过电流保护阈值
4
热关断温度
热关断迟滞
VDD欠压锁定
VDD欠压滞后
1
为
2
典型
I
DD
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
R
MS1
R
MS2
V
HYS （ IN）
t
空白
t
关闭
V
REF
I
REF
ERR
I
V
IN
= V
DD
0.3
作为V的％
DD
OSC = VDD和GND
R
OSC
= 25 kΩ
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
=
38.27%
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
= 70.71%
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
= 100.00%
t
DT
I
OCPST
T
TSD
T
TSDHYS
V
DDUVLO
V
DDUVLOHYS
V
DD
升起
输入和输出电流规格，负电流定义为流出（采购）指定的设备引脚。
数据是初步设计估算而已，并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同个体
单元，在规定的最大和最小极限。
3
V
ERR
= [(V
REF
/8) – V
SENSE
] / (V
REF
/8).
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
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和过流保护
热特性可能需要降额在最大条件
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
ES软件包;据估计，在4层PCB ，基于JEDEC标准
ET包;据估计，在4层PCB ，基于JEDEC标准
LP包;在4层PCB ，基于JEDEC标准
*在静止的空气中。可在快板网站更多的热量信息。
值单位
37
32
28
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
最大功耗，P
D
（最大）
5.5
5.0
4.5
4.0
R
JA
功耗，P
D
(W)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
=
32
C
R
/W
JA
=
28
R
JA
C
/W
=3
7
C/
W
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
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