特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 90纳秒
内部控制程序和定时器
与锁定16K字节引导块
快速擦除周期 - 10秒
逐字节编程 - 10
微秒/字节
典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
– 100
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49F080是5伏，只在系统闪存设备。其8兆
存储器由1024576字由8位。爱特梅尔的制造
先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为90 ns的用
只需275毫瓦的功耗在商用温度范围。当
取消选择器件时， CMOS待机电流小于100
A.
该器件包含一个用户启用“引导块”保护功能。两个版本
该功能可用： AT49F080定位引导块在最低阶
地址（ “底部启动”）;在AT49F080T其定位在最高阶地址（ “顶
启动“ ） 。
8-Megabit
（ 1M ×8 ）
5伏只有
FL灰
内存
AT49F080
AT49F080T
AT49F080/080T
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
数据输入/输出
无连接
CBGA顶视图
1
2
3
4
5
6
7
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SOIC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
（续）
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RDY / BUSY
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
TSOP顶视图
类型1
A
A5
B
A4
C
A6
D
A3 I / O1 NC VCC I / O4 I / O7 NC
E
A2
F
A1 I / O0 I / O2 GND I / O5 RY / BY WE
A0 I / O3 GND I / O6 OE NC
A9 RST CE A14 A16 A19
A7 A10 A13 VCC NC A18
A8 A11 NC A12 A15 A17
A19
A17
A15
A13
CE
A18
A16
A14
A12
4
6
8
10
12
14
16
1
3
5
7
9
11
13
15
2
40
38
36
34
32
30
28
26
39
37
35
33
31
29
27
25
NC
OE
I/O7
I/O5
VCC
GND
I/O2
I/O0
A1
A3
NC
WE
RDY / BUSY
I/O6
I/O4
GND
I/O3
I/O1
A0
A2
VCC
NC
RESET
A11
A10
A9 A8
A7
A5
A6
A4
18 17
20 19
24 23
22 21
0584B-A–8/97
1
为了让简单的系统内可重编程中，
AT49F080不要求高输入电压为亲
编程。 5伏，只命令确定读和
该装置的编程操作。读出数据的
该装置类似于从一个EPROM读取。重现
编程的AT49F080被擦除整个执行
8兆的内存，然后编写一个字节逐
字节的基础。典型的字节编程时间是10快
s.
可以任选地检测到程序周期结束时
通过数据查询功能。一旦一个字节亲的端
克周期已被检测到，用于读出一个新的接入或
程序就可以开始。程序的典型数目和
擦除周期为超过10,000次
可选的16K字节的引导块部分包括重现
编程写入锁定功能，提供数据完整性。
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区是perma-
nently保护被重新编程。
框图
AT49F080
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFFH
X解码器
主内存
（ 1008K字节）
03FFFH
可选的引导
块（ 16K字节）
00000H
主内存
（ 1008K字节）
00000H
可选的引导
块（ 16K字节）
FC000H
AT49F080T
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFFH
V
CC
GND
OE
WE
CE
Y译码
地址
输入
设备操作
阅读：
该AT49F080访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止总线CON-
张力。
删除：
前一个字节可以被重新编程，在
1024K字节的存储阵列（或1008K字节，如果开机
块功能时） ，必须先擦除。擦除状态
的存储器中的位是逻辑“1”。整个设备可以是
通过使用一个6字节的软件代码擦除一次。该
软件芯片擦除代码由6个字节负载的COM
mands到特定地址的位置与特定的数据
模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能有
被启用，在引导扇区中的数据不会被
删除。
字节编程：
一旦存储器阵列是
擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的
2
逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组
用vert “0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期能操作
ATION （请参照命令定义的表）。该
设备将自动生成所需的内部亲
克脉冲。
该项目周期有锁的下落地址
边WE或CE认证，去年为准，而数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。编程是指定的T完成后，
BP
周期时间。的数据查询功能，也可以使用以
表明一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
该块的大小为16K字节。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
AT49F080/080T
AT49F080/080T
可选给用户。该AT49F080的地址范围
引导块是00000H到03FFFH同时的地址范围
在AT49F080T引导块是FC000H到FFFFFH 。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置00002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
出功能已被激活，并且该块不能
编程。软件产品标识的退出代码
应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车：
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚至12V
±
0.5V 。通过这样做
此，受保护的引导块中的数据可以通过一个被改变
芯片擦除或字节编程。当RESET引脚
带回TTL电平，启动区块规划
锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F080具有数据查询
以指示一个程序循环的结束。在节目
周期的最后一个字节的企图读取加载会导致
加载的数据的有关I / O 7的补码。一旦亲
克周期已经完成，真正的数据是对所有有效
输出和下一个周期可以开始。数据可能投票
该程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询， AT49F080
提供了另一种方法，用于确定一个亲的端
克或擦除周期。在编程或擦除操作，
连续尝试读出的数据从该装置将导致
在I / O6 1和0之间切换。一旦程序
周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据
将被读出。检查触发位可以随时开始
在一个程序循环。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。漏极开路
连接允许或 - 捆绑多个设备的
同样的RDY / BUSY线。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。如果
RESET引脚使一个由高到低的转变过程中的程序
或擦除操作时，该操作可能不会成功
完成并且操作将后进行重复
高的电平被施加到复位引脚。当高电平
重新生效的RESET引脚，该设备返回到
读或待机模式下，根据的状态
控制输入。通过施加12V的
±
0.5V的输入信号到
RESET引脚，引导块阵列可以被重新编程
即使引导块锁定功能已启用
（见引导块编程锁定覆盖部分） 。
硬件数据保护：
硬件特性
防止在无意中程序的AT49F080
以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V
（典型的），程序功能被抑制。 （二）项目
抑制：控股OE低，CE中的任何一个高或WE高
抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：脉冲小于
15纳秒（典型值）的WE或CE输入将不会启动亲
克循环。
3
命令定义（十六进制）
命令
顺序
读
芯片擦除
字节编程
引导块锁定
(1)
产品ID进入
产品ID退出
(2)
公共汽车
周期
1
6
4
6
3
3
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
80
A0
80
90
F0
5555
ADDR
5555
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
55
5555
10
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
产品ID退出
(2)
1
XXXX
F0
注：1. 16K字节的引导扇区有地址范围00000H到03FFFH的AT49F080和FC000H到FFFFFH的
AT49F080T.
2.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面............................ -0.6V到V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
4
AT49F080/080T
AT49F080/080T
直流和交流工作范围
AT49F080-90
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F080-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F080-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写
抑制
禁止程序
禁止程序
输出禁用
RESET
产品标识
V
IL
五金
V
IL
V
IH
V
IH
A1 - A19 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A19 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A19 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A19 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
X
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
X
RESET
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
X
高Z
高Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
RDY / BUSY
V
OH
V
OL
V
OH
V
OH
V
OH
V
OH
软件
(5)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V
4.制造商代码： 1FH
器件代码： 23H （ AT49F080 ） ， 27H （ AT49F080T ）
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出的详细信息..
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC(1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
COM 。
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
IND 。
民
最大
10
10
100
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
注意：
1. I
CC
在擦除模式中为90毫安。
5
QQ：2881677436 复制
