3946
半桥式功率MOSFET控制器
A3946KLB SOIC
VREG
CP2
CP1
保护地
GL
S
数据表
29319.150b
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VBB
15 VREF
14 DT
13 LGND
12 RESET
11
IN2
该A3946是专具体来说适用于需要
高功率单向直流电动机，三相无刷直流电动机，或
其他感性负载。该A3946提供两个高电流栅极驱动器
输出，能够驱动大范围的功率N沟道的
MOSFET
秒。高边栅极驱动器开关的N沟道
MOSFET
其控制到负载的电流，而低侧栅极驱动器的开关
一个N沟道
MOSFET
作为同步整流器器。
自举电容器提供上述电池电源电压
所需的N沟道MOSFET 。内部电荷泵为
高侧允许直流半桥（100％占空比）的操作。
该A3946是两种功率封装可供选择：一
16-lead
SOIC
与内部融合线索（部件编号SUF网络X
磅） ，
和
16引脚
TSSOP
带有外露散热垫（ SUF网络X
LP ） 。
这两种套餐
有铅（Pb ）的免费版本，采用100％雾锡电镀引脚框
（ SUF科幻X
-T).
比例为1 ： 1
GH
BOOT
10 IN1
9
故障
A3946KLP TSSOP封装，带有裸焊盘的热
VREG
CP2
CP1
保护地
GL
S
GH
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VBB
15 VREF
14 DT
13 LGND
12 RESET
11 IN2
10 IN1
9 故障
特点
片上电荷泵为7 V最小输入电压
用于驱动一个大范围的高电流栅极驱动器
N沟道
MOSFET
s
电荷泵为100％占空比的自举栅极驱动器
过热保护
欠压保护
-40C至135C的操作环境
比例为1 ： 1
BOOT
绝对最大额定值
负载电源电压，V
BB
.............................
60 V
逻辑输入..................................- 0.3
V到6.5 V
针S ...... 。 .........................................- 4
V到60 V
脚GH ...........................................- 4
V到75 V
BOOT引脚... .. ................................- 0.6
V到75 V
销DT ................................................ ........
V
REF
引脚VREG ......................................- 0.6
V到15 V
封装热阻，R
JA
A3946KLB.....................................
48°C/W
1
A3946KLB.....................................
38°C/W
2
A3946KLP .....................................
44°C/W
1
2
选购指南
产品型号
A3946KLB
A3946KLB-T
A3946KLBTR
A3946KLBTR-T
A3946KLP
A3946KLP-T
A3946KLPTR
A3946KLPTR-T
无铅
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
填料
47片/管
16引脚SOIC与内部
融合信息
1000件/卷
96片/管
16引脚TSSOP封装，带有裸
散热垫
4000个/卷
包
注意事项：
1.标准的双面印刷电路板与3英寸
2
of
2盎司铜。
2.测对JEDEC标准的High-K主板。
A3946KLP .....................................
34°C/W
工作温度范围，T
A
..
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........................+150°C
存储温度范围，T
S
....-55°C
至+ 150°C
3946
半桥式功率MOSFET控制器
功能框图
+ VBAT
C1
0.47用友， X7R
V额定VBAT
C2
0.47用友， X7R
V额定VBAT
P
VBB
CP2
CP1
VREF
5 Vref的
0.1 uF的
X7R
10 V
收费
泵
I
LIM
收费
泵
VREG
C
REG
P
BOOT
10
kΩ
L
L
P
故障
保护
VREG欠压
过热
UVLOBOOT
L
VREF
DT
开启
延迟
HIGH SIDE
司机
引导
UVLO
C
BOOT
GH
R
门
P
R
DEAD
L
IN1
控制
逻辑
VREG
L
S
IN2
LOW SIDE
司机
GL
R
门
保护地
L
RESET
P
L
LGND
L
P
控制逻辑表
IN1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
IN2
X
0
1
0
1
0
1
0
1
DT引脚
X
R
DEAD
- LGND
R
DEAD
- LGND
R
DEAD
- LGND
R
DEAD
- LGND
VREF
VREF
VREF
VREF
RESET
0
1
1
1
1
1
1
1
1
GH
Z
L
L
L
H
L
L
H
H
GL
Z
H
L
L
L
L
H
L
H
睡眠模式
低侧FET导通之后的死区时间
全部关闭
全部关闭
高侧FET导通之后的死区时间
全部关闭
低侧FET导通
高侧FET导通
注意：高侧和低侧FET的开
功能
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2
3946
半桥式功率MOSFET控制器
电气特性
在T
A
= -40+ 135℃ ，V
BB
= 7到60伏（除非另有说明）
特征
符号
测试条件
RESET =高，产出低
RESET =低
V
BB
> 7.75 V，I
REG
= 0 mA至15毫安
V
BB
= 7 V至7.75 V，I
REG
= 0 mA至15毫安
CP1，CP2
I
REF
≤
4毫安，C
REF
= 0.1
μF
范围
分钟。
典型值。
3
马克斯。
6
10
13.5
13.5
单位
mA
μA
V
V
千赫
V
V
BB
静态电流
I
VBB
–
–
12.0
11.0
–
13
VREG输出电压
电荷泵频率
VREF输出电压
V
REG
F
CP
V
REF
–
62.5
–
4.5
–
5.5
–
60
40
4
6
2
3
门输出驱动
启动时间
关闭时间
拉通电阻
t
上升
t
秋天
R
DSUP
C
负载
= 3300 pF的， 20 ％至80％
C
负载
= 3300 pF的，80％至20％
T
j
= 25°C
T
j
= 135°C
T
j
= 25°C
T
j
= 135°C
t
pw
＆ LT ; 10
μs
t
pw
＆ LT ; 10
μs
t
pw
＆ LT ; 10
μs,
自举电容完全充电
下拉导通电阻
短路电流 -
来源
短路电流 -
SINK
GH输出电压
GL输出电压
R
DSDOWN
–
–
–
–
–
–
800
1000
V
REG
– 1.5
V
REG
– 0.2
100
80
ns
ns
Ω
Ω
Ω
Ω
mA
mA
V
V
–
–
–
–
–
–
–
–
500
7
150
–
–
V
GH
V
GL
–
–
–
–
350
6
–
R
DEAD
= 5 kΩ
R
DEAD
= 100 kΩ
逻辑输入来卸载GH ， GL 。 DT = VREF
定时
死区时间（延迟从
关闭到打开）
传播延迟
t
DEAD
t
PD
200
5
ns
μs
ns
–
–
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电气特性
在T
A
= -40+ 135℃ ，V
BB
= 7到60伏（除非另有说明）
范围
特征
保护
VREG欠压
VREG欠压
BOOT欠压
BOOT欠压
热关断温度
热关断迟滞
V
REGON
V
REGOFF
V
BSON
V
BSOFF
T
JTSD
ΔT
J
V
REG
增加
V
REG
减少
V
BOOT
增加
V
BOOT
减少
温度的升高
恢复= T
JTSD
–
ΔT
J
8.6
7.8
8
7.25
9.1
8.3
8.75
8.0
170
15
9.6
8.8
9.5
8.75
V
V
V
V
°C
°C
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
–
–
–
–
–
2.0
2.2
–
–
100
40
1
逻辑
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
IN1 V
IN
/ IN2 V
IN
= 2.0 V
IN1 V
IN
/ IN2 V
IN
= 0.8 V
只有RESET引脚
逻辑输入电压
V
IN(1)
IN1 / IN2逻辑高
复位逻辑高
V
IN(0)
逻辑输入迟滞
故障输出
逻辑低
所有数字输入
I = 1毫安，故障断言
V=5V
40
16
μA
μA
μA
V
V
V
mV
mV
μA
–
100
–
V
ol
V
oh
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.8
300
400
1
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功能说明
VREG 。
从片上电荷泵，一个13 V输出，用于
低侧栅极驱动电路直接供电，提供了
当前的自举电容充电的高侧
栅极驱动。
在VREG电容C
REG
，必须提供瞬时
到低侧MOSFET的栅极电流。 10
μF,
25 V
电容应该是足够的。该电容可以是
电解或陶瓷（ X7R ） 。
诊断和保护。
故障输出引脚，
故障，变低（即FAULT = 1）时， RESET线
高，以下任何一种情况都存在：
欠压条件VREG （ UVREG ），或在
内部逻辑电源VREF （ UVREF ） 。这些条件
设置锁定故障。
结温> 170 ° C（过温） 。这CON-
DITION设置一个锁存故障。
在启动电容的存储电荷的欠压
器（ UVBOOT ） 。这种情况不会设定一个锁定
错。
过温事件信号锁存故障，但不会
没有任何禁止输出驱动器，稳压器，或逻辑输入。
用户必须关掉A3946 （例如，强制复位线
低） ，以防止损坏。
功率FET免受不适当的栅极驱动器
电压欠压检测器。任一调节器的
欠压故障（ UVREG或UVREF ）禁用两个输出
司机直到两个电压已经恢复。高侧
驱动程序是在一个UVBOOT故障状态也将被禁用。
在许多运行条件下，这两个高侧（GH）
和低侧（GL）的驱动程序可能会关闭，从而允许将引导
电容放电（或永远不会成为收费），并创建
一个UVBOOT故障状态，从而抑制高
侧驱动器，并创建一个FAULT = 1 ，此故障不
锁存。要消除这种故障，随时打开GL到
充电启动电容器。
锁存的故障可能由一个低脉冲被清零， 1至10个
μs
宽，在RESET线。纵观该脉冲（尽管
一个可能的UVBOOT ） ， FAULT = 0;同样的故障锁存器是
立即清除，并保持清零。如果电源是
恢复（无UVREG或UVREF ），并且如果没有过温
故障存在，那么锁定故障保持清零时
RESET线返回高电平。然而， FAULT = 1仍觉
可能是由UVBOOT故障可能依然存在。
电荷泵。
的A3946被设计为容纳
各种各样的电源电压。电荷泵
输出VREG时，调节到13 V的标称。
在所有模式中，这种调节是限流。当V
BB
< 8 V时，电荷泵操作为一个倍压器。当
8 V < V
BB
< 15 V时，电荷泵操作为电压
倍频器/ PWM ，电流控制，电压调节器。当
V
BB
>15 V时，电荷泵作为PWM ，电流 - CON-
受控，电压调节器。 EF网络效率的变化，从80％在V
BB
=
在V 7 V时，以20％的
BB
= 50 V.
注意。虽然VREG用品的简单并联
从几个A3946s可能会出现正常工作，这样的
CON组fi guration不推荐。没有保证
该监管机构的人会不会占主导地位，承担一切
负载和背偏压的另一调节器。 （例如，
如果一个特定的稳压器的内部参考，这可能会发生
ENCE电压越高，那些在其他监管机构，
这将迫使它在最高电压来调节。 ）
休眠模式/上电。
在睡眠模式下，所有的电路都
为了吸取电流最小从VBB禁用。当
开机和退出休眠模式（ RESET线是
高） ，栅极驱动输出保持禁用和故障依旧
有效直到VREF和VREG通过其欠压
阈值。当上电时，在开始之前
第一个自举
带充电周期，等到
t
=
C
REG
4 （其中C
REG
在
μF,
并且t是在纳秒） ，以允许所述电荷泵达到稳定。
当接通电源时（而不是在睡眠模式） ，如果RESET线
是低> 10
μs,
在A3946可能会开始进入睡眠模式
(V
REF
< 4 V） 。在这种情况下， FAULT = 1 ，只要复位
线仍然很低。
如果RESET线是开放的， A3946应该进入睡眠
模式。然而，为了确保这种情况，复位线
必须接地。
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