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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第365页 > AC08FSMA
数据表
AC08DSMA,AC08FSMA
8树脂绝缘型双向可控硅
晶闸管
描述
该AC08DSMA和AC08FSMA是树脂绝缘型
8 A的有效电流双向可控硅（T
C
= 88°C).
这些产品在整个外壳用树脂覆盖模
并进行电绝缘的电极，使它们一
17 ±0.2
封装图（单位：mm ）
10.5最大。
7 ±0.2
4.7 MAX 。
φ
3.2 ±0.2
5 ±0.1
3.0 MAX 。
2.8 ±0.2
比传统可控硅的时候相当的优势
安装在一个散热片板或进行高密度
安装。
这些产品功能等级和电气特性
等于TO- 220AB封装TRIAC和高可靠性的设计。
12 ±0.2
1
2 3
*
特点
绝缘型双向可控硅完全覆盖着树脂的整个
情况比电极引线等
绝缘电压和导通等于传统的云母
和聚酯薄膜
可置换为TO - 220AB包
导通电流时，使用单个单元的高许
0.8 ±0.1
2.54 TYP 。
1.3 ±0.2
1.5 ±0.2
2.54 TYP 。
13.5最小。
5 ±0.2
0.5 ±0.1
2.5 ±0.1
TRIAC
1: T
1
2: T
2
3 ：门
应用
*
: T
C
试验台标志
标准重量： 2克
电动机速度控制，加热器温度控制，灯光控制的非接触式开关
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D10613EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2004年6月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002
AC08DSMA,AC08FSMA
最大额定值
参数
非重复峰值断态电压
重复峰值断态电压
有效的通态电流
浪涌通态电流
符号
V
帝斯曼
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
AC08DSMA
500
400
8 (T
C
= 88°C)
80 （50赫兹1个周期）
88 （60赫兹1个周期）
熔断电流
通态电流临界上升率
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
结温
储存温度
AC08FSMA
700
600
单位
V
V
A
A
备注
请参阅
图11
和
12.
请参阅
图2中。
∫
i
T2
dt
dI
T
/ DT
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
j
T
英镑
28 （ 1毫秒
≤
t
≤
10毫秒）
50
5.0 (f
≥
50赫兹，职务
≤
10%)
0.5
±3 (f
≥
50赫兹，职务
≤
10%)
40½+125
55½+150
As
A/
s
W
W
A
°C
°C
2
电气特性（T
j
= 25°C)
参数
重复峰值断态电流
符号
I
DRM
条件
V
DM
= V
DRM
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
通态电压
门极触发电流
模式I
II
III
IV
门极触发电压
模式I
II
III
IV
门非触发电压
保持电流
对断态临界电压上升率
整流的爆击率上升
断态电压
热阻
记
分钟。
典型值。
30
100
马克斯。
100
2
1.6
20
20
20
1.5
1.5
1.5
单位
备注
请参阅
图1 。
请参阅
图4中。
A
mA
V
mA
V
TM
I
GT
I
TM
= 10 A
V
DM
= 12 V,
R
L
= 30
T
2
+, G+
T
2
,
G+
T
2
,
G
T
2
+, G
0.3
10
V
GT
V
DM
= 12 V,
R
L
= 30
T
2
+, G+
T
2
,
G+
T
2
,
G
T
2
+, G
V
请参阅
图4中。
V
GD
I
H
dv / dt的
T
j
= 125°C ，V
DM
=
1
V
DRM
2
2
=
3
V
DRM
V
mA
V
/
s
V
/
s
V
DM
= 24 V，I
TM
= 10 A
T
j
= 125°C ，V
DM
（ dv / dt的） （C T）
j
= 125°C,
（二
T
/ DT ）C =
4
A / MS ，V
D
= 400 V
R
日（J -C ）
结到外壳交流
3.7
°C / W参见
图13 。
记
具有50赫兹或60赫兹的正弦波电流的热阻，如图所示的以下表达式：
R
日（J -C ）
=
T
J（下MAX）的
T
C
P
T（ AV ）
T
J（下最大）
：最高结温
T
C
：外壳温度
P
T（ AV ）
：平均在耗散
2
数据表D10613EJ5V0DS
AC08DSMA,AC08FSMA
典型特征
图1.我
T
与
½
T
特征
100
马克斯。
图2.我
TSM
等级
140
初始的T
j
= 125C
I
TSM
0
π
N=1
2
π
I
TSM
- 浪涌通态电流 - 一个
i
T
- 通态电流 - 一个
120
100
80
50赫兹
60赫兹
10
T
C
= 125C
25C
60
40
20
0
1.0
0.1
0
1
2
3
4
5
1
5
10
50
100
½
T
- 通态电压 - V
周期 - N
图3. GATE评级
10
T
j
=
40
至+ 125°C
图4. GATE特性
2.0
模式
I，III， IV
T
A
=
40C
25C
125C
8
V
GT
- 栅极触发电压 - V
V
G
- 栅极电压 - V
1.5
6
P
GM
= 5 W
f
≥
50赫兹
税
≤
10%
1
4
0.5
2
P
G（ AV ）
= 0.5 W
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
10
20
30
40
I
G
- 栅电流 - 一个
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
图5.我
GT
与T
A
特征
1000
模式
I，III， IV
图6. V
GT
与T
A
特征
1.4
模式
I，III， IV
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
V
GT
- 栅极触发电压 - V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
10
1
40
0
40
80
120
40
0
40
80
120
T
A
- 环境温度 - C
T
A
- 环境温度 - C
数据表D10613EJ5V0DS
3
AC08DSMA,AC08FSMA
图7.我
GT
与
τ
特征
10000
模式
I，III， IV
T
A
= 25C
网络连接gure 8 。
½
GT
与
τ
特征
5
模式
I，III， IV
T
A
= 25C
i
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
½
GT
- 栅极触发电压 - V
4
1000
3
100
2
10
1
1
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
τ
- 脉冲宽度 -
s
τ
- 脉冲宽度 -
s
图9.我
H
与T
A
特征
1000
图10. P
T（ AV ）
与我
T（ RMS ）
特征
P
T（ AV ）
- 通态平均功耗 - W
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
I
H
- 保持电流 - 毫安
100
10
1
20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
- 环境温度 - C
I
T（ RMS ）
- 有效的通态电流 - 一个
图11吨
C
与我
T（ RMS ）
等级
140
图12吨
A
与我
T（ RMS ）
等级
140
T
A
- 环境温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
120
100
80
60
40
20
0
0
1.0
2.0
I
T（ RMS ）
- 有效的通态电流 - 一个
I
T（ RMS ）
- 有效的通态电流 - 一个
4
数据表D10613EJ5V0DS
AC08DSMA,AC08FSMA
图13.
th
特征
100
Z
th
- 瞬态热阻抗 -
° C / W
结到环境
10
结到外壳
1
0.1
0.1
1
10
100
1k
10 k
100 k
个周期（ 50赫兹）
数据表D10613EJ5V0DS
5
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