A1174
超灵敏霍尔效应锁存
与内部或外部控制样品及休眠期
对于滚球和滚轮应用
特点和优点
微功率锁存操作
1.65 3.5 V电池供电
推挽输出省去了外部上拉
电阻
用户配置的，内部或外部控制样品
和睡眠时间
浮在两个时钟引脚的效果，在使用固定的
采样时钟的内部与传感器
翻转时钟引脚允许用户控制
该传感器在极低的采样和睡眠时间
权力运行
的时钟管脚外部控制允许用户
实现多传感器同步采样
方向检测系统
斩波稳定
卓越的温度稳定性
极低的开关点漂移
不受物理应力
固态可靠性
小型
描述
该A1174是一种微功耗霍尔效应锁存器用于便携式应用
雇用转动检测系统，并有一个器件
电源电压V之间的1.65和3.5的设备具有
单个推挽输出结构，不需要外部
上拉电阻进行可靠操作。
当足够的正的磁场存在于
装置，该装置的输出转换到低电平状态，而
锁存在这个状态，直到有足够的强度的负场
锁存器输出为高状态。锁存输出
使用转速和多个传感器时，是理想的
方向传感系统（例如，跟踪球和滚动
巴系统中的便携式设备） 。
该器件包括一个创新的时钟方案，该方案
满足几乎所有应用的微功耗的需求，
其中包括跟踪球的PDA和手机。使用
如在此所描述EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK销
数据表，该设备可以被设置成不同的工作模式。
在双时钟模式下，器件预定义之间切换
慢速和快速采样率。平均消耗电流
该装置的非常低时，没有检测到转动。
在外部时钟模式下，用户设置的时钟速率为
设备以达到所需的开启和关闭时间来控制
平均功率。该用户确定的时钟也有助于
续下页...
包装： 6触点MLP / DFN封装（后缀EW ）
1.5 mm × 2 mm × 0.40 mm
不按比例
+B
磁通
密度
B
OP
0
B
RP
–B
+V
B
OP
B
RP
B
OP
B
RP
A1174输出
On
关闭
On
关闭
On
输出开关图1.时序图
A1174-DS
A1174
超灵敏霍尔效应锁存
与内部或外部控制样品及休眠期
对于滚球和滚轮应用
描述（续）
实现多台设备的同步时钟。这允许
每个输出转换之间限定的相位关系
设备中的方向检测系统。
提高稳定性成为可能，通过动态偏移
取消使用斩波稳定，从而降低残余
偏移电压通常由器件超模压，温度引起的
依存性以及热应力。提供固态可靠性
通过整合，在单个硅芯片上，一个霍尔电压发生器，
小信号放大器，稳定斩波特性，锁存器和
MOSFET输出。
该设备包是6接触， 1.5毫米×2毫米， 0.40毫米标称
总高度MLP / DFN封装，带有裸焊盘以增强散热功能
耗散。它是铅（Pb ）免费，以100 ％雾锡
电镀。
选购指南
产品型号
包装*
A1174EEWLT-T
每7英寸卷筒3000件
额外的包装选项
*联系快板
绝对最大额定值
特征
正向电源电压
反向电源电压
输出电压
反向输出电压
EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK
引脚的输入电压
EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK
销反向输入电压
连续输出电流
磁通密度*
工作环境温度
最高结温
储存温度
* 1G = 0.1 MT（毫特斯拉）
符号
V
DD
V
RDD
V
OUT
V
大败
V
IN
V
凛
I
OUT （ SINK ）
I
OUT （ SOURCE ）
B
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
笔记
等级
5.0
–0.3
5.0
–0.3
5.0
–0.3
–1
1
无限
-40到85
165
-65 170
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
G
°C
°C
°C
终端列表
PIN- OUT框图
VDD 1
NC 2
VOUT 3
PAD
6 DUAL_CLK
5 GND
4 EXTERNAL_CLK
数
1
2
3
4
5
6
名字
VDD
NC
VOUT
EXTERNAL_CLK
GND
dual_clk
电源电压
无连接
产量
功能
与DUAL_CLK组合，可以使器件的外部控制
采样周期和占空比
地
与EXTERNAL_CLK组合，驱动部分双时钟模式
（ TOP VIEW ）
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
2
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超灵敏霍尔效应锁存
与内部或外部控制样品及休眠期
对于滚球和滚轮应用
功能框图
VDD
AMP
LATCH
VOUT
示例控制
块
EXTERNAL_CLK
dual_clk
输入
解码器
国内
时钟
GND
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3
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超灵敏霍尔效应锁存
与内部或外部控制样品及休眠期
对于滚球和滚轮应用
工作特性
有效覆盖整个电压和环境温度范围（除非另有规定）
特征
电气特性
电源电压
2
输出电压上
V
DD
V
OUT （ SAT ）
I
DD （ EN ）
电源电流
I
DD （ DIS ）
I
DD （ AV ）
内部斩波稳定时钟频率
EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK引脚输入电流
EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK引脚漏电流
电源转换率
3
普通时钟模式特点
4
普通模式唤醒时间
普通模式阶段
外部时钟模式特点
4
EXTERNAL_CLK和DUAL_CLK销门槛
外部时钟模式下唤醒时间
外部时钟模式周期
状态转换延迟
5
双时钟模式特点
4
双时钟模式下唤醒时间
双时钟模式快速采样周期
双时钟模式慢速采样周期
双时钟模式超时
6
磁特性
2
操作点
放点
迟滞
1
典型
2
磁
符号
测试条件
T
A
= 25°C
–40°C
≥
T
A
≥
85°C
NMOS ，我
OUT
= 1毫安
芯片在清醒状态（启用）
芯片处于休眠状态（禁用）
普通时钟模式，V
DD
= 2.5 V
普通时钟模式，V
DD
= 3.0 V
V
EXTERNAL_CLK
= V
DD
, V
dual_clk
= V
DD
V
EXTERNAL_CLK
= 0 V, V
dual_clk
= 0 V
t
关闭
= 100毫秒
分钟。
1.65
1.8
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
–
–
–
0.25 × V
DD
典型值。
1
–
–
100
–
–
–
–
200
0.5
0.02
–
25
0.7
–
–
–
–
25
25
8×
t
awake_dual
28
100 ×
t
period_slow
36
–36
72
马克斯。
3.5
3.5
300
–
2.0
8.0
71
82
–
–
–
–
38
1.05
0.75 × V
DD
–
–
–
38
38
–
–
–
单位
V
V
mV
mV
mA
μA
μA
μA
千赫
mA
μA
V / ms的
ms
ms
V
V
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
输出（高）
对，我PMOS
OUT
= 1毫安
V
DD
– 300 V
DD
– 100
f
C
I
IN
I
关闭
SR
t
awake_norm
t
period_norm
V
TH （高）
V
TH （ LOW ）
t
awake_ext
t
period_ext
t
delay_ext
t
awake_dual
t
period_fast
t
period_slow
t
TIMEOUT
V
EXTERNAL_CLK
＆ GT ; V
TH （高）
V
EXTERNAL_CLK
＆ GT ; V
TH （高）
38
80
–
–
–
–
–
B
OP
B
RP
B
HYS
南极到设备端品牌
北极到设备端品牌
B
OP
– B
RP
5
–55
–
55
–5
110
G
G
G
值是在T
A
= 25° C和V
DD
= 2.75V。性能可能为单个的单元变化时，指定最大和最小的限度内。
操作和释放点随电源电压。
3
如果设备电源被切碎，电压摆率dV
DD
/ dt的具有进行调整，以保证设备的正常功能。吨
关闭
是的时间
功率循环时， V
DD
＆ LT ; V
DD
（最小值） 。
4
定义在这个数据表的功能描述部分。
5
外部时钟过渡和清醒和睡眠状态的设备产生之间的过渡时间。参见功能描述部分。
6
如果在超时时间内没有检测到输出转换，装置会回到缓慢采样。参见功能描述部分。
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115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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超灵敏霍尔效应锁存
与内部或外部控制样品及休眠期
对于滚球和滚轮应用
性能特点
饱和电压与温度
300
250
I
OUT
= 1毫安
V
OUT （ SAT ）
（毫伏）
V
OUT （ SAT ）
（毫伏）
300
250
饱和电压与电源电压
200
150
100
50
0
-60
-40
-20
0
20
T
A
(°C)
40
60
80
100
V
DD
(V)
1.65
1.8
2.5
2.75
3.0
3.5
I
OUT
= 1毫安
200
150
100
50
0
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DD
(V)
3.0
3.5
4.0
T
A
(°C)
85°C
-40°C
25°C
平均电源电流与温度
100
90
80
70
100
90
80
70
平均电源电流与电源电压
60
50
40
30
20
10
0
-60
-40
-20
0
20
T
A
(°C)
40
60
80
100
V
DD
(V)
1.65
1.8
2.5
3.0
3.5
T
A
(°C)
85°C
-40°C
25°C
I
DD （ AV ）
(μA)
I
DD （ AV ）
(μA)
60
50
40
30
20
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DD
(V)
3.0
3.5
4.0
普通模式周期与温度
1000
900
800
700
1000
900
800
普通模式周期与电源电压
t
期
(μs)
600
500
400
300
200
100
0
-60
-40
-20
0
20
T
A
(°C)
40
60
80
100
V
DD
(V)
1.65
1.8
2.5
3.0
3.5
700
t
期
(μs)
600
500
400
300
200
100
0
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DD
(V)
3.0
3.5
4.0
T
A
(°C)
85°C
-40°C
25°C
Allegro MicroSystems公司
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