UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
9N70
初步
功率MOSFET
9A ， 700V N沟道
功率MOSFET
描述
该
UTC 9N70
是高电压和高电流的功率MOSFET
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，
低栅极电荷，低通态电阻和高的耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
DC-DC， AC-DC转换器，用于功率应用。
特点
* R
DS （ ON）
=1.3@V
GS
=10V
*低栅极电荷（典型的44 NC）
*低的Crss （典型值10pF的）
*高开关速度
* 100 ％的雪崩测试
*改进dv / dt能力
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
9N70L-TA3-T
9N70G-TA3-T
引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
注意：
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2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-617.a
9N70
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续T
C
=25°C
9
A
I
D
V
GS
@ 10V牛逼
C
=100°C
漏电流
5
A
脉冲（注2）
I
DM
40
A
雪崩电流
I
AR
9
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
305
mJ
雪崩能量
重复
E
AR
9
mJ
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
156
W
线性降额因子
1.25
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
起始物为
J
= 25 ° C，V
DD
= 50V ，L = 6.8mH ，R
G
=25, I
AS
=9A.
热数据
参数
结到安眠药
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62
0.8
单位
° C / W
° C / W
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2 3
QW-R502-617.a
9N70
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅源漏电流
反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷（注
2)
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
测试条件
最小典型最大单位
700
V
0.6
V /°C的
10
A
100 nA的
-100 nA的
4
1.25
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
9
40
1.5
A
A
V
BV
DSS
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
△
BV
DSS
/
△
T
J
参考至25℃ ，我
D
=1mA
I
DSS
V
DS
=700V, V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
V
GS
=+30V
I
GSS
V
GS
=-30V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
2
1.1
2660
170
10
44
11
12
19
21
56
24
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 560V ，我
D
=9A
门源费
Q
GS
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间（注
2)
t
D（上）
V
DD
= 350V ，我
D
= 9A ，R
G
=10,
上升时间
t
R
V
GS
= 10V ，R
D
=38
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.5V
最大体二极管脉冲电流（注1 ）
I
SM
漏源二极管的正向电压（注
2)
V
SD
I
S
= 9A ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％ 。
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
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可靠，可恕不另行通知。
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