M
特点
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
100 μA典型的读操作工作电流在2.5V
在2.5V 3 μA典型待机电流
ORG引脚可选的内存配置
128× 8或64× 16位的企业（ 93LC46 ）
256× 8或128 ×16位的企业（ 93LC56 ）
512 ×8或256 ×16位组织（ 93LC66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦除/写设备状态信号
周期
连续读取功能
百万东/西次担保
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC标准）
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
93LC46/56/66
描述
Microchip Technology Inc.的93LC46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。该设备的内存配置
为x8或x16位取决于列弗的外部逻辑
ELS的ORG引脚。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗的非易失性
内存的应用程序。该93LC系列是可
标准的8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装
老少皆宜。旋转的引脚输出93LC46X / 56X / 66X是
在“ SN ”只是封装。
1K / 2K / 4K 2.5V微丝
串行EEPROM
封装类型
PDIP / SOIC
CS
CLK
DI
DO
ROTATED SOIC
NU
V
CC
CS
CLK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
V
SS
DO
DI
93LC46X
93LC56X
93LC66X
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NU
ORG
V
SS
93LC46
93LC56
93LC66
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
产量
卜FF器
DO
数据寄存器
DI
ORG
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
注册
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第1页
93LC46/56/66
1.0
电气特性
绝对最大额定值？
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度。电源应用..........................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注意：
条件超过上述“最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC
极特
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
高电平输出电压
低电平输出电压
低电平输入电压
特征
高电平输入电压
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
3
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.3
—
—
±10
±10
7
3
1
500
—
100
30
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
I
OL
= 400 μA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1和2 ）
T
AMB
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 2.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 2.5V
ORG ， DI = V
SS
或V
CC
I
CC
写工作电流
I
CC
读
D10
I
CCS
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21712A第2页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
AC特性
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
符号
F
CLK
T
长实
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
—
—
250
250
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
16
—
最大
2
1
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
1M
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
（注2 ）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（V
CC
=5V ±10%)
WRAL模式（V
CC
=5V ±10%)
相对于CLK
相对于CLK
条件
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ;
4.5V
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
耐力
1M
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注3）
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子，请咨询可从Microchip网站获得的总耐力型号：
www.microchip.com 。
图1-1：
CS
V
IH
V
IL
CLK
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
同步数据时序
4
2
3
5
7
8
DI
9
尽诉
OH
（READ ）
V
OL
尽诉
OH
（写）
V
OL
9
10
11
状态有效
10
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第3页
93LC46/56/66
表1-1：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X
0 0 X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-2：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
DS21712A第4页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第5页
QQ：2881677436 复制
