不建议用于新设计 -
请使用93LC76C或93LC86C 。
93LC76/86
8K / 16K 2.5V Microwire串行EEPROM
产品特点：
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 5
A
待机电流（典型值） ，在3.0V
ORG引脚可选的内存配置
1024 ×8或512× 16位组织（ 93LC76 ）
2048 ×8或1024 ×16位组织（ 93LC86 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦/写周期设备状态信号
连续读取功能
百万次擦/写保证
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC封装
温度范围内工作
- 商业（ C）
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ）
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP封装
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
93LC76/86
SOIC封装
1
2
3
4
8
7
6
5
93LC76/86
CS
CLK
DI
DO
V
CC
PE
ORG
V
SS
框图
V
CC
V
SS
描述：
Microchip Technology Inc.的93LC76 / 86顷和8K
16K的低电压串行电可擦除PROM中。
该设备的内存配置为x8或x16位
根据ORG引脚设置。先进的CMOS
技术使这些器件非常适合低功耗
非易失性存储器应用。这些器件还
有一个程序使能（ PE ）引脚允许用户
写保护的存储器阵列中的全部内容。
该93LC76 / 86是标准的8引脚PDIP提供
8引脚表面贴装SOIC封装。
DI
内存
ARRAY
地址
解码器
地址
计数器
数据
注册
产量
卜FF器
DO
PE
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
发电机
2010 Microchip的技术公司
DS21131F第1页
93LC76/86
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V至Vcc + 1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） .......................................................................................................+300°C
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
1.1
AC测试条件
V
LO
= 2.0V
V
HI
= VCC - 0.2V
V
HI
= 4.0V的
（注1 ）
（注2 ）
AC波形：
定时测量参考电平
输入
产量
0.5 V
CC
0.5 V
CC
注1 ：
对于V
CC
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
DS21131F第2页
2010 Microchip的技术公司
93LC76/86
表1-2：
AC特性
可适用于如下建议的工作范围，除非另有说明：
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V
商业（ C） ：T已
A
= 0 ° C至+ 70°C
产业
（一） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
F
CLK
T
长实
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
TSV
T
WC
T
EC
T
WL
—
分钟。
—
200
300
100
200
50
100
0
250
50
100
50
100
—
—
—
—
—
—
1M
马克斯。
3
2
—
—
—
—
—
—
—
100
250
100
500
200
300
5
15
30
—
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
周期
条件
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
4.5V
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
4.5V
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
4.5V
4.5V
V
CC
6.0V ，相对于CLK的
2.5V
V
CC
4.5V ，相对于CLK的
—
相对于CLK
4.5V
V
CC
6.0V ，相对于CLK的
2.5V
V
CC
<4.5V ，相对于CLK的
4.5V
V
CC
6.0V ，相对于CLK的
2.5V
V
CC
4.5V ，相对于CLK的
4.5V
V
CC
6.0V ，C
L
= 100 pF的
2.5V
V
CC
< 4.5V ，C
L
= 100 pF的
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
＆ LT ; 4.5V
（注1 ）
4.5V
V
CC
6.0V ，C
L
= 100 pF的
2.5V
V
CC
<4.5V ，C
L
= 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式
WRAL模式
25 ° C， VCC = 5.0V ，块模式
（注2 ）
AC特性
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
耐力
注1 ：
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子，请咨询可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
www.microchip.com 。
DS21131F第4页
2010 Microchip的技术公司
93LC76/86
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC76 ： ORG = 1 （ 1X16组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 1 X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 0 X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1
X
A1
X
A1
X
X
A0
X
A0
X
A0
X
X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
29
13
13
13
29
29
13
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC76 ： ORG = 0 （ X8组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 1 X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 0 X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A3
X
A3
X
A3
X
X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1 A0
X
A1 A0
X
A1 A0
X
X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
22
14
14
14
22
22
14
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC86 ： ORG = 1 （ x16组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 1 X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 0 X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1
X
A1
X
A1
X
X
DATA IN
A0
—
X
—
A0
—
X
—
A0 D15 - D0
X D15 - D0
X
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
29
13
13
13
29
29
13
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC86 ： ORG = 0 （ X8组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
1
1 X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
1
0 X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
0
1 X X X X X
0
0 X X X X X
A3
X
A3
X
A3
X
X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1 A0
X
A1 A0
X
A1 A0
X
X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
22
14
14
14
22
22
14
2010 Microchip的技术公司
DS21131F第5页
QQ：2881677436 复制
