【不建议用于新设计 -请使用93LC76C或93LC86C 。93C76/868K / 16K 5.0】,IC型号93C76_04,93C76_04 PDF资料,93C76

不建议用于新设计 -

请使用93LC76C或93LC86C 。

93C76/86

8K / 16K 5.0V Microwire串行EEPROM

产品特点：

5.0V单电源供电

低功耗CMOS技术

- 1毫安典型工作电流

ORG引脚可选的内存配置

1024× 8或512× 16位的企业（ 93C76 ）

2048× 8或1024×16位组织（ 93C86 ）

自定时擦除和写入周期

（包括自动擦除）

WRAL前自动ERAL

电源开/关数据保护电路

工业标准的3线串行I / O

在擦/写周期设备状态信号

连续读取功能

百万次擦/写保证

数据保留和GT ; 200年

8引脚PDIP / SOIC封装

支持的温度范围

- 商业（ C）：

0 ° C至+ 70°C

- 工业级（I ）：

-40 ° C至+ 85°C

- 汽车（ E）

-40°C至+ 125°C

封装类型

PDIP封装

CLK

ORG

93C76/86

SOIC封装

93C76/86

CLK

ORG

框图

描述：

Microchip的93C76 / 86顷和8K

16K的低电压串行电可擦除PROM中。

该设备的内存配置为x8或x16位

根据ORG引脚设置。先进的CMOS

技术使这些器件非常适合低功耗

非易失性存储器应用。这些器件还

有一个程序使能（ PE ）引脚允许用户

写保护的存储器阵列中的全部内容。

在93C76 / 86是标准的8引脚PDIP提供

8引脚表面贴装SOIC封装。

内存

ARRAY

地址

解码器

地址

计数器

数据

产量

卜FF器

模式

解码

逻辑

CLK

时钟

发电机

2004年Microchip的科技公司

DS21132E第1页

93C76/86

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

.............................................................................................................................................................................7.0V

所有输入和输出w.r.t. V

........................................................................................................ -0.6V至Vcc + 1.0V

储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C

环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C

引线焊接温度（ 10秒） .......................................................................................................+300°C

所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏

注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

1.1

AC测试条件

= 2.0V

= VCC - 0.2V

= 4.0V的

（注1 ）

（注2 ）

AC波形：

定时测量参考电平

输入

产量

注1 ：

对于V

≤

4.0V

对于V

＆ GT ; 4.0V

0.5 V

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93C76/86

表1-1：

DC特性

可适用于如下建议的工作范围，除非另有说明：

= + 4.5V至+ 5.5V

商业（ C）：T已

= 0℃至-40 ℃的

产业

（一）：T已

= -40 ° C至+ 85°C

汽车

（ E）：T已

= -40 ° C至+ 125°C

符号

IH1

IL1

OL1

OL2

OH1

OH2

INT

写

读

CCS

分钟。

2.0

-0.3

—

2.4

-0.2

-10

—

马克斯。

0.8

0.4

0.2

—

1.5

100

单位

条件

—

= 2.1毫安; V

= 4.5V

=100

= 4.5V

= -400

= 4.5V

= -100

= 4.5V.

= 0.1V至V

OUT

= 0.1V至V

（注1 ）

= + 25 ° C，F

CLK

= 1兆赫

CLK

= 2 MHz的; V

= 5.5V

CLK

= 2 MHz的; V

= 5.5V

CLK = CS = 0V ; V

= 5.5V

DI = PE = V

ORG = V

或V

DC特性

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

低电平输出电压

高电平输出电压

输入漏电流

输出漏电流

引脚电容

（所有输入/输出）

工作电流

待机电流

注1 ：

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

表1-2：

AC特性

可适用于如下建议的工作范围，除非另有说明：

= + 4.5V至+ 5.5V

商业（ C）：T已

= 0℃至-40 ℃的

产业

（一）：T已

= -40 ° C至+ 85°C

汽车

（ E）：T已

= -40 ° C至+ 125°C

符号

CLK

长实

CKL

CSS

CSH

CSL

DIS

DIH

—

分钟。

—

300

200

250

100

—

马克斯。

—

400

100

500

—

单位

兆赫

周期

VCC

≥

4.5V

条件

AC特性

参数

时钟频率

时钟高电平时间

时钟低电平时间

片选建立时间

芯片选择保持时间

片选低电平时间

数据输入建立时间

数据输入保持时间

数据输出的延迟时间

数据输出禁止时间

状态有效时间

项目周期

相对于CLK

= 100 pF的

（注1 ）

= 100 pF的

擦/写模式

（注2 ）

ERAL模式

WRAL模式

25 ° C，V

= 5.0V ，块模式

（注3）

耐力

注1 ：

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

典型的项目周期是每字4毫秒。

该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用

应用程序，请查阅Total Endurance

可从Microchip网站获得的模型

从www.microchip.com 。

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93C76/86

表1-3：

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

指令集93C76 ： ORG = 1 （ x16组织）

操作码

地址

X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 1 X X X X X X X X

X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 0 X X X X X X X X

X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 1 X X X X X X X X

0 0 X X X X X X X X

DATA IN

—

D15 - D0

—

数据输出

D15 - D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK周期

表1-4：

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

指令集93C76 ： ORG = 0 （ X8组织）

操作码

地址

X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 1 X X X X X X X X X

X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 0 X X X X X X X X X

X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 1 X X X X X X X X X

0 0 X X X X X X X X X

DATA IN

—

D7 - D0

—

数据输出

D7 - D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK

周期

表1-5 ：

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

指令集93C86 ： ORG = 1 （ x16组织）

操作码

地址

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 1 X X X X X X X X

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 0 X X X X X X X X

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 1 X X X X X X X X

0 0 X X X X X X X X

DATA IN

—

D15 - D0

—

数据输出

D15 - D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK周期

表1-6 ：

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

指令集93C86 ： ORG = 0 （ X8组织）

操作码

地址

A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 1 X X X X X X X X X

A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1 0 X X X X X X X X X

A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 1 X X X X X X X X X

0 0 X X X X X X X X X

DATA IN

—

D7 - D0

—

数据输出

D7 - D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK周期

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93C76/86

2.0

操作原理

2.3

当ORG引脚连接到V

，在X16奥尔加

nization被选中。当它被连接到地，

在x8组织的选择。指令，地址

和写入数据移入的上升DI引脚

的时钟（CLK）的边缘。 DO引脚为常举行

在读取数据时，除了高Z状态

设备，或检查时， READY / BUSY状态

在编程操作。该READY / BUSY

状态可擦除/写操作期间进行验证

通过查询DO管脚; DO低表明编程

明仍在进行中，而做高表示

设备已准备就绪。在DO将进入高阻抗

状态在CS的下降沿。

擦除/写使能和禁用

（ EWEN ， EWDS ）

在93C76 / 86上电时，在擦除/写禁止

（ EWDS ）状态。所有的编程模式必须

先进行擦除/写使能（ EWEN ）指令。

一旦

EWEN

指令被执行，编程

保持启用状态，直到

EWDS

指令被执行

或V

从设备中删除。为了防止

数据的意外干扰，在

EWDS

指令可以

使用禁用所有擦除/写功能，并应

遵循所有编程操作。的执行

读

指令是独立的两个

EWEN

和

EWDS

指令。

2.1

启动条件

2.4

数据保护

起始位的检测设备，如果CS和DI是

兼具高相对于CLK的用于正边缘

第一次。

之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI

在任何组合可以改变（除非是一

启动条件），而不会导致任何设备操作

化（读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL和

WRAL ）。当CS为高电平时，该装置已不再是

在待机模式。

一个指令到启动条件将只

执行，如果需要的操作码的数量，地址

和数据比特对于任何特定的指令的时钟

IN 。

在指令执行（即时钟或缩小后

最后需要的地址或数据位） CLK和DI

成为“不关心”位，直到一个新的启动条件是

检测到。

在上电期间，所有的编程操作模式

被禁止，直到V

已经达到一个电平大于

1.4V 。在掉电模式下，源数据保护

电路的作用是抑制所有的编程模式时，

已经跌破1.4V 。

该EWEN和EWDS命令授予其他

保护过程中发生意外编程

正常操作。

上电后，设备会自动在

EWDS模式。因此，一个

EWEN

指令必须是

之前进行的任何

抹去

写

说明会

被执行。

2.2

DI / DO

它可以连接在数据输入和数据输出引脚

在一起。然而，随着这种配置，可以

一个“总线冲突， ”出现了“假零”时

那之前的读取操作中，如果A 0是逻辑高

的水平。在这种条件下的电压电平见于

数据输出是不确定的，并且将取决于相对

的数据输出阻抗与信号源的驱动

A0 。 A0较高的电流源的能力，

在数据输出引脚上的电压越高。

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