UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N70
7A ， 700V N沟道
功率MOSFET
描述
该
UTC 7N70
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性，如快速开关
时，低栅电荷，低通态电阻，并具有高
坚固耐用的雪崩特性。这种功率MOSFET通常是
在电源高速开关应用中使用，脉宽调制
电机控制装置，高效率的直流 - 直流转换器和桥
电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.6 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的30 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型18 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
无铅
7N70L-TF3-T
7N70L-TF1-T
无卤
7N70G-TF3-T
7N70G-TF1-T
包
TO-220F
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 7
QW-R502-103,C
7N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
700
V
栅源电压
±30
V
T
C
= 25°C
7.0
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100°C
4.7
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
28
A
雪崩能量，单脉冲（注3 ）
E
AS
530
mJ
雪崩能量，重复，限制T
JMAX
E
AR
14.2
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220F
142
W
功率耗散（T
C
= 25°C)
P
D
TO-220F1
48
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度限制T
J
3. L = 19.5mH ，我
AS
= 7.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
7.0A ， di / dt的
≤100A/μs,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220F
TO-220F1
TO-220F
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
62.5
0.88
2.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 7
QW-R502-103,C
7N70
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
700
V
1
μA
1
μA
100 nA的
-100 nA的
0.67
V/℃
4.0
1.6
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 560 V，T
C
= 125°C
前锋
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A（注1 ）
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
C
OSS
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 350V ，我
D
= 7.0 A
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 560V ，我
D
= 7.0A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
DD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
=7.0 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
2.0
1.4
8.0
1200 1600
150 190
18
25
35
79
80
52
30
6.5
13
80
165
160
120
1.4
7.0
28
320
2.4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 7
QW-R502-103,C
7N70
测试电路和波形
功率MOSFET
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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4 7
QW-R502-103,C
7N70
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
I
AS
R
D
V
DD
D.U.T.
t
p
t
p
时间
V
DD
I
D（T）
V
DS （T ）
10V
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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5 7
QW-R502-103,C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N70
7安培， 700伏
N沟道功率MOSFET
描述
与UTC 7N70是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 1.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的30 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型18 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 7N70L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
7N70-TF3-T
7N70L-TF3-T
包
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
7N70L-TF3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TF3 ： TO- 220F
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1第8
QW-R502-103,A
7N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
700
V
栅源电压
±30
V
T
C
= 25°C
7.0
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100°C
4.7
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
28
A
雪崩能量，单脉冲（注2 ）
E
AS
530
mJ
雪崩能量，重复，限制T
JMAX
E
AR
14.2
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散（T
C
= 25°C)
P
D
142
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
62.5
0.88
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 560 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
700
1
1
100
-100
0.67
2.0
1.35
8.0
4.0
1.5
V
A
A
nA
nA
V/℃
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
DD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A（注4 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
1200 1600
150 190
18
25
35
79
80
52
30
6.5
13
80
165
160
120
V
DD
= 350V ，我
D
= 7.0 A
（注4,5）
V
DS
= 560V ，我
D
= 7.0A ，V
GS
= 10 V
（注4,5）
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2第8
QW-R502-103,A
7N70
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
=7.0 A
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度限制T
J
2， L = 19.5mH ，我
AS
= 7.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
7.0A ， di / dt的
≤100A/s,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
民
典型最大单位
1.4
7.0
28
320
2.4
V
A
A
ns
C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 8
QW-R502-103,A
7N70
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
P.W.
期
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复dv
/ DT
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-103,A
7N70
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
功率MOSFET
V
DS
V
GS
R
G
V
DS
90%
10V
脉冲宽度
≤
1μs
占空比
≤0.1%
D.U.T.
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
50kΩ
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
V
DS
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
DUT
1mA
V
G
收费
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
R
D
V
DD
D.U.T.
10V
t
p
I
AS
t
p
时间
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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5 8
QW-R502-103,A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N70
7安培， 700伏
N沟道功率MOSFET
描述
该
UTC 7N70
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的30 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型18 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
无铅
7N70L-TF3-T
7N70L-TF1-T
无卤
7N70G-TF3-T
7N70G-TF1-T
包
TO-220F
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-103,B
7N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
700
V
栅源电压
±30
V
T
C
= 25°C
7.0
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100°C
4.7
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
28
A
雪崩能量，单脉冲（注2 ）
E
AS
530
mJ
雪崩能量，重复，限制T
JMAX
E
AR
14.2
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220F
142
W
功率耗散（T
C
= 25°C)
P
D
TO-220F1
48
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220F
TO-220F1
TO-220F
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
62.5
0.88
2.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 560 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
700
1
1
100
-100
0.67
2.0
1.35
8.0
4.0
1.5
V
μA
μA
nA
nA
V/℃
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
DD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A（注4 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
1200 1600
150 190
18
25
35
79
80
52
30
6.5
13
80
165
160
120
V
DD
= 350V ，我
D
= 7.0 A
（注4,5）
V
DS
= 560V ，我
D
= 7.0A ，V
GS
= 10 V
（注4,5）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2第8
QW-R502-103,B
7N70
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
=7.0 A
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度限制T
J
2， L = 19.5mH ，我
AS
= 7.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
7.0A ， di / dt的
≤100A/μs,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
民
典型最大单位
1.4
7.0
28
320
2.4
V
A
A
ns
μC
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测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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测试电路和波形（续）
功率MOSFET
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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