SN74SSTV16859
13位至26位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
SCES297D - 2000年2月 - 修订2004年8月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
1对2输出，以支持堆叠DDR
的DIMM
支持SSTL_2数据输入
输出满足SSTL_2 II类
特定网络阳离子
差分时钟（ CLK和CLK ）输入
支持LVCMOS接通的水平
复位输入
RESET输入禁用差分输入
接收器，复位所有寄存器和
强制所有输出低
优化的引脚排列DIMM PCB布局
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
DGG包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
这13位至26位寄存缓冲器设计
2.3 V至2.7 V V
CC
操作。
所有的输入都是SSTL_2 ，除了LVCMOS复位
（ RESET ）输入。所有输出SSTL_2 ， II类
兼容。
该SN74SSTV16859从差分操作
时钟（CLK和CLK ） 。数据被登记在
CLK的交叉变高和CLK变低。
Q13A
Q12A
Q11A
Q10A
Q9A
V
DDQ
GND
Q8A
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
GND
Q1A
Q13B
V
DDQ
Q12B
Q11B
Q10B
Q9B
Q8B
Q7B
Q6B
GND
V
DDQ
Q5B
Q4B
Q3B
Q2B
Q1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
V
DDQ
GND
D13
D12
V
CC
V
DDQ
GND
D11
D10
D9
GND
D8
D7
RESET
GND
CLK
CLK
V
DDQ
V
CC
V
REF
D6
GND
D5
D4
D3
GND
V
DDQ
V
CC
D2
D1
GND
V
DDQ
订购信息
TA
包装
QFN - RGQ
（锡铅表面处理）
0 ° C至70℃
QFN - RGQ
（雾锡完成）
TSSOP - DGG
磁带和卷轴
SN74SSTV16859RGQ8
磁带和卷轴
SN74SSTV16859DGGR
SSTV16859
订购
产品型号
SN74SSTV16859RGQR
SS859
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
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SN74SSTV16859
13位至26位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
描述/订购信息（续）
该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时，差分输入接收器
残疾人和无驱动（浮动）的数据，时钟和基准电压（V
REF
）的输入是允许的。另外，当
RESET为低电平时，所有寄存器复位，所有输出被拉低。该LVCMOS RESET输入必须始终
要在有效的逻辑高电平或低电平举行。
为确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前， RESET必须在中国北京举行
上电时低的状态。
RGQ包装
（ TOP VIEW ）
中心芯片焊盘必须连接到GND 。
功能表
输入
RESET
H
H
H
L
CLK
↑
↑
L或H
X或
漂浮的
CLK
↓
↓
L或H
X或
漂浮的
D
H
L
X
X或
漂浮的
产量
Q
H
L
Q0
L
2
邮政信箱655303
Q7B
Q6B
V
DDQ
Q5B
Q4B
Q3B
Q2B
Q1B
V
DDQ
D1
D2
V
CC
V
DDQ
D3
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
Q1A
Q13B
V
DDQ
Q12B
Q11B
Q10B
Q9B
Q8B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
GND¤
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
Q8A
V
DDQ
Q9A
Q10A
Q11A
Q12A
Q13A
V
DDQ
GND
D13
D12
V
CC
V
DDQ
D11
D10
D9
D8
D7
RESET
GND
CLK
CLK
V
DDQ
V
CC
V
REF
D6
D5
D4
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13位至26位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
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逻辑图（正逻辑）
RESET
CLK
CLK
VREF
51
48
49
45
其中的13个频道
D1
35
1D
C1
R
32
Q1B
16
Q1A
TO 12其他渠道
显示引脚数都为DGG包。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
或V
DDQ
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输出电压范围，V
O
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DDQ
+ 0.5 V
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流，I
OK
(V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
DDQ
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续输出电流，I
O
(V
O
= 0至V
DDQ
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过每个V
CC
, V
DDQ
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55 ° C / W
（见注4 ） ： RGQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.该值被限制为3.6伏的最大值。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
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13位至26位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
推荐工作条件（见注5 ）
民
VCC
VDDQ
VREF
VTT
VI
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VICR
六（ PP）
IOH
IOL
电源电压
输出电源电压
参考电压（VREF = VDDQ / 2）
终止电压
输入电压
交流高电平的输入电压
AC低电平输入电压
直流高电平的输入电压
DC低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
共模输入电压范围
峰 - 峰值输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
RESET
RESET
CLK ， CLK
CLK ， CLK
0.97
360
20
20
mA
1.7
0.7
1.53
VREF + 150毫伏
VREF - 150毫伏
VDDQ
2.3
1.15
VREF - 40毫伏
0
VREF + 310毫伏
VRE F- 310毫伏
1.25
VREF
喃
最大
2.7
2.7
1.35
VREF + 40毫伏
VCC
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
TA
工作自由空气的温度
0
70
_C
注5 ：该设备的复位输入必须在有效的逻辑电平举行（不浮动），以确保器件正常工作。微分
输入不能悬空，除非RESET为低。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VOH
VOL
II
ICC
所有的输入
静态待机
静态工作
动态工作 -
只有时钟
ICCD
动态工作 -
按每个数据输入
输出高
输出低
r
OH - ROL
数据输入
CI-
CLK ， CLK
RESET
II = -18毫安
IOH = -100
A
IOH = -16毫安
IOL = 100
A
IOL = 16毫安
VI = VCC或GND
RESET = GND
RESET = VCC ， VI = VIH （ AC）或VIL （ AC）
复位值= VCC时， VI = VIH （AC）或VIL（ AC）
CLK和CLK的开关占空比为50％
复位值= VCC时， VI = VIH （AC）或VIL（ AC）
CLK和CLK的开关占空比为50％ ，
一个数据输入的二分之一时钟切换
频率，50 ％占空比
IOH = -20毫安
IOL = 20毫安
IO = 20 mA时， TA = 25 ℃，一个输出
VI = VREF
±
310毫伏
VICR = 1.25 V ， VI （ PP ） = 360mV
IO = 0
2.5 V
10
IO = 0
2.7 V
30
测试条件
VCC-
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.3 V至2.7 V
2.3 V
2.7 V
民
TYP
最大
1.2
VDDQ - 0.2
1.95
0.2
0.35
±5
10
40
V
A
A
mA
A/
兆赫
A/
时钟
兆赫/
D输入
20
20
6
2.5
2.5 V
2.5
3
3
3
3.5
3.5
pF
单位
V
V
ROH
ROL
RO（ Δ ）
2.3 V至2.7 V
2.3 V至2.7 V
2.5 V
7
7
VI = VCC或GND
对于此测试条件下， VDDQ总是等于VCC。
所有典型值是在VCC = 2.5 V ， TA = 25 ℃。
§测量50 MHz的输入频率为QFN封装， 10 - MHz的输入频率为TSSOP封装
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13位至26位寄存缓冲器
与SSTL_2输入和输出
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时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
fclock
tw
TACT
TINACT
TSU
th
时钟频率
脉冲持续时间， CLK ， CLK高或低
差分输入活动时间（见注6 ）
差分输入端处于非活动状态的时间（见注7 ）
建立时间，快速压摆率（见注8和10）
建立时间，缓慢的回转率（见注9和10 ）
保持时间，快速压摆率（见注8和10）
保持时间，缓慢的回转率（见注9和10 ）
CLK ↑ ， ↓ CLK后的数据
CLK ↑数据之前， CLK ↓
0.75
0.9
0.75
0.9
ns
ns
2.5
22
22
最大
200
兆赫
ns
ns
ns
单位
对于此测试条件下， VDDQ总是等于VCC。
注： 6 VREF必须在一个有效的输入电平举行，数据输入，必须保持为低电平圆通最大的最短时间，复位后采取高。
7. VREF ，数据和时钟输入必须在有效的电压电平（不飘浮），用于TINACT最大的一个最小时间保持，取复位后
低。
8.对于数据信号输入转换率
≥
1 V / ns的
9.对于数据信号输入转换率
≥
0.5 V / ns的和
＆ LT ;
1 V / ns的
10. CLK ， CLK信号输入转换率
≥
1 V / ns的。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
FMAX
tPD的
的TPH1
从
（输入）
TO
（输出）
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
200
CLK和CLK
RESET
Q
Q
1.1
2.8
5
最大
兆赫
ns
ns
单位
对于此测试条件下， VDDQ总是等于VCC。
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5
QQ：2880707522 复制
