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74LX1G07
单缓冲/驱动器,具有漏极开路
特点
5 V容限输入
高速:吨
PD
= 4.2纳秒(最大)在V
CC
= 3.3 V
低功耗:
– I
CC
= 1
μ
A( MAX 。 )在T
A
= 25 °C
掉电保护的输入和输出
工作电压范围:
– V
CC
( OPR )= 1.65 5.5 V
闭锁性能超过300毫安
( JESD 17 )
ESD性能
- 2000 -V人体模型
( JESD 22 A114 -A )
- 200 -V机模型
( JESD 22 A115 -A )
- 1000 - V充电设备模型
( JESD 22 C101 )
倒装芯片4
SOT23-5L
SOT323-5L
描述
该74LX1G07是低压CMOS单
缓冲/驱动器(漏极开路)制造与子
微米硅栅和双层金属布线
C
2
MOS技术。
的2个阶段构成的内部电路
包括缓冲输出,提供高噪声
性和稳定的输出。
掉电保护提供输入和0
至7 V可以接受输入,没有问候
到电源电压。此装置可用于
接口5 3V。
应用
手机
表1中。
设备简介
订货编号
74LX1G07STR
74LX1G07CTR
74LX1G07BJR
SOT23-5L
SOT323-5L
倒装芯片4
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
2008年4月
第9版
1/20
www.st.com
20
目录
74LX1G07
目录
1
2
引脚连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
推荐的工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/20
74LX1G07
引脚连接
1
引脚连接
图1 。
引脚连接和IEC符号
V CC
5
1Y
4
GND
1A
2
1
3
1Y
VCC
1A
GND
1
2
4
3
VCC
1Y
4
1
NC
2
3
倒装芯片4
底部视图
倒装芯片4
顶视图
CS00012
1A GND
SOT封装
顶视图
表2中。
引脚分配
引脚数
符号
名称和功能
无连接
数据输入
数据输出
地( 0V )
正电源电压
倒装芯片4
SOT
1
2
4
3
5
NC
1A
1Y
GND
V
CC
1
3
2
4
表3中。
真值表
A
L
H
Y
L
Z
Z:高阻
3/20
引脚连接
图2中。
输入和输出等效电路
V
CC
74LX1G07
过压
控制
输入
产量
ESD
保护
ESD
保护
GND
GND
GND
GND
GND
CS08973
4/20
74LX1G07
最大额定值
2
最大额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
表4 。
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压(V
CC
= 0 V)
直流输出电压(高或低状态)
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个电源引脚DC接地电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
±
100
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
5/20
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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