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74LVT374 74LVTH374低电压八路D型触发器带3态输出
1999年9月
修订后的2000年11月
74LVT374 74LVTH374
低电压八路D型触发器
具有三态输出
概述
该LVT374和LVTH374是高速,低功耗
八路D型触发器设有独立的D型输入,
公交为导向的应用程序的每个触发器和三态输出
阳离子。缓冲时钟( CP )和输出使能( OE )是
共同所有的触发器。
该LVTH374数据输入包括bushold ,消除了
无需外部上拉电阻持有未使用的输入。
这些八进制触发器被设计用于低电压(3.3V )
V
CC
应用,但与有能力提供一个TTL
接口为5V环境。该LVT374和LVTH374
均选用先进的BiCMOS技术
实现类似于5V ABT而高速动作
保持低功耗。
特点
s
在输入输出接口功能的系统
5V V
CC
s
总线保持数据输入不再需要外部
上拉电阻持有未使用的输入( 74LVTH374 )
也有不bushold功能( 74LVT374 ) 。
s
直播插入/拔出许可
s
上电/掉电高阻抗提供无干扰
总线负载
s
输出源/汇
32毫安/
+
64毫安
s
与74系列374功能兼容
s
闭锁性能超过500 mA。
s
ESD性能:
人体模型
& GT ;
2000V
机器型号
& GT ;
200V
带电器件模型
& GT ;
1000V
订购代码:
订单号
74LVT374WM
74LVT374SJ
74LVT374MTC
74LVTH374WM
74LVTH374SJ
74LVTH374MTC
包装数
M20B
M20D
MTC20
M20B
M20D
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
逻辑符号
IEEE / IEC
2000仙童半导体公司
DS012016
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74LVT374 74LVTH374
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
CP
OE
O
0
–O
7
数据输入
时钟脉冲输入
三态输出使能输入
三态输出
描述
真值表
输入
D
n
H
L
X
X
CP
输出
OE
L
L
L
H
O
n
H
L
O
o
Z


L
X
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
Z
=
高阻抗
=
低到高的转变
O
o
=
上一页
o
之前HIGH到LOW CP的

功能说明
该LVT374和LVTH374包括八边沿触发
触发器与个别D型输入和3 -STATE真
输出。该缓冲时钟和缓冲输出使能
通用于所有触发器。八触发器将存储
对符合设置和它们各自的D输入状态
按住低到高的时钟( CP )时间要求
过渡。随着输出使能( OE )低,其内容
八个触发器可在输出端。当
OE为高电平时,输出为高阻状态。
在OE输入操作不会影响到状态
触发器。
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74LVT374 74LVTH374
绝对最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
价值
条件
单位
V
V
输出三态
输出高电平或者低电平状态(注2 )
V
I
& LT ;
GND
V
O
& LT ;
GND
V
O
& GT ;
V
CC
输出高国
V
O
& GT ;
V
CC
输出低电平状态
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
0.5
+
4.6
0.5
+
7.0
0.5
+
7.0
0.5
+
7.0
50
50
64
128
±
64
±
128
65
+
150
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
A
电源电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
输入边沿速率,V
IN
=
0.8V–2.0V, V
CC
=
3.0V
参数
2.7
0
最大
3.6
5.5
单位
V
V
mA
mA
32
64
40
0
85
10
°
C
NS / V
t/
V
注1 :
绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
注2 :
I
O
绝对最大额定值必须遵守。
3
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74LVT374 74LVTH374
DC电气特性
符号
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
V
CC
(V)
2.7
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7
3.0
V
OL
输出低电压
2.7
2.7
3.0
3.0
3.0
I
我( HOLD )
(注4 )
I
我(OD)的
(注4 )
I
I
Bushold输入过驱动
目前的状态改变
输入电流
控制引脚
数据引脚
I
关闭
I
PU / PD
I
OZL
I
OZH
I
OZH
+
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCZ
+
I
CC
关机漏电流
上电/掉电三态
输出电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
电源电流
电源电流
电源电流
电源电流
增加电源电流
(注7 )
注3 :
所有典型值是在V
CC
=
3.3V ,T
A
=
25°C.
注4 :
适用于Bushold版本仅( 74LVTH374 ) 。
注5 :
外部驱动器,必须有至少指定的电流以从低到高的转换。
注6 :
外部驱动器必须吸收至少指定电流从高电平到低电平切换。
注7 :
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平,而不是V
CC
或GND 。
T
A
= 40°C
to
+85°C
典型值
(注3)
1.2
2.0
0.8
V
CC
0.2
2.4
2.0
0.2
0.5
0.4
0.5
0.55
75
75
500
500
10
±1
5
1
±100
±100
5
5
10
0.19
5
0.19
0.19
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
I
I
= 18
mA
V
O
0.1V或
V
O
V
CC
0.1V
I
OH
= 100 A
I
OH
= 8
mA
I
OH
= 32
mA
I
OL
=
100
A
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
16毫安
I
OL
=
32毫安
I
OL
=
64毫安
V
I
=
0.8V
V
I
=
2.0V
(注5 )
(注6 )
V
I
=
5.5V
V
I
=
0V或V
CC
V
I
=
0V
V
I
=
V
CC
0V
V
I
或V
O
5.5V
V
O
=
0.5V至3.0V
V
I
=
GND或V
CC
V
O
=
0.5V
V
O
=
3.0V
V
CC
& LT ;
V
O
5.5V
输出高电平
输出低电平
输出禁用
V
CC
V
O
5.5V,
输出禁用
一个输入在V
CC
0.6V
其他输入在V
CC
或GND
最大
单位
条件
Bushold输入最小驱动
3.0
3.0
3.6
3.6
3.6
0
0–1.5V
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
0.2
mA
动态切换特性
符号
V
OLP
V
OLV
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
V
CC
(V)
3.3
3.3
(注8)
T
A
=
25°C
单位
最大
V
V
条件
C
L
=
为50 pF ,R
L
=
500
(注9 )
(注9 )
典型值
0.8
0.8
注8 :
其特征在于, SOIC封装。保证参数,但未经测试。
注9 :
定义为(n )输出最大数量。 n-1个数据输入驱动0V至3V 。被测的输出保持低电平。
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4
74LVT374 74LVTH374
AC电气特性
T
A
= 40°C
to
+85°C
C
L
=
为50 pF ,R
L
=
500
符号
参数
f
最大
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
W
t
S
t
H
脉冲宽度
建立时间
保持时间
输出禁止时间
最大时钟频率
传播延迟
CP与O
n
输出使能时间
160
1.8
1.8
1.3
1.6
1.9
2.0
3.0
1.5
0.8
4.9
4.8
5.0
4.7
4.6
4.7
V
CC
=
3.3V
±
0.3V
典型值
(注10 )
最大
160
1.8
1.8
1.3
1.6
1.9
2.0
3.0
2.0
0.0
5.1
5.2
5.8
5.3
4.9
5.0
V
CC
=
2.7V
最大
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注10 :
所有典型值是在V
CC
=
3.3V ,T
A
=
25°C.
电容
(注11 )
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
CC
=
0V, V
I
=
0V或V
CC
V
CC
=
3.0V, V
O
=
0V或V
CC
典型
3
5
单位
pF
pF
注11 :
电容的测量是在频率f
=
1 MHz时,每MIL -STD -883方法3012 。
5
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