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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第5页 > 74ABT125D
集成电路
74ABT125
四缓冲器(三态)
产品speci fi cation
取代1996年的数据3月5日
IC23数据手册
1998年01月16日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器(三态)
74ABT125
特点
四路总线接口
三态缓冲器
直播插入/拔出许可
输出能力: + 64毫安/ -32mA
闭锁保护超过每JEDEC标准17 500毫安
ESD保护超过每MIL STD 883方法3015 2000V
每机型号200V
描述
该74ABT125高性能BiCMOS器件结合了低
静态和动态功耗,高速和高
输出驱动器。
该74ABT125装置是一个四缓冲,是理想的驾驶巴士
线。该器件具有四个输出启用( OE0 , OE1 , OE2 ,
OE3 )的三态输出的每一个控制一个。
开机三态
输入在三态模式下被禁用
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
OUT
I
CCZ
参数
传播延迟
一到Yn
输入电容
输出电容
总电源电流
条件
T
AMB
= 25°C ; GND = 0V
C
L
= 50pF的; V
CC
= 5V
V
I
= 0V或V
CC
输出禁用;
V
O
= 0V或V
CC
输出禁用; V
CC
=5.5V
典型
2.9
4
7
65
单位
ns
pF
pF
A
订购信息
套餐
14引脚塑料DIP
14引脚塑料SO
14引脚塑封SSOP II型
14引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74ABT125
74ABT125
74ABT125 DB
74ABT125 PW
北美
74ABT125
74ABT125
74ABT125 DB
74ABT125PW DH
DWG号
SOT27-1
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
引脚说明
引脚数
2, 5, 9, 12
3, 6, 8, 11
1, 4, 10, 13
7
14
符号
A0 – A3
Y0 – Y3
OE0 - OE3
GND
V
CC
数据输入
数据输出
输出使能输入(低电平有效)
地( 0V )
正电源电压
名称和功能
引脚配置
逻辑符号
1
OE0
2
4
OE1
A1
5
10
6
Y1
3
Y0
OE0
A0
Y0
OE1
A1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
OE3
A3
Y3
OE2
A2
Y2
A0
OE2
A2
9
13
OE3
12
11
Y3
8
Y2
SA00025
A3
SA00026
1998年01月16日
2
853–1606 18868
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器(三态)
74ABT125
逻辑符号( IEEE / IEC )
功能表
输入
输出
An
L
H
X
Yn
L
H
Z
OEN
1
2
4
5
10
9
13
12
EN
1
3
L
L
H
6
8
11
H
L
X
Z
=高电压电平
=低电压电平
= DO NOT CARE
=高阻抗“关闭”状态
SA00027
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
OUT
I
OUT
T
英镑
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
DC输出二极管电流
直流输出电压
3
直流输出电流
存储温度范围
V
O
& LT ; 0
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
& LT ; 0
条件
等级
-0.5到+7.0
–18
-1.2到+7.0
–50
-0.5到+5.5
128
-65到150
单位
V
mA
V
mA
V
mA
°C
注意事项:
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件, “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度,这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
范围
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
直流电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度范围内
0
–40
参数
4.5
0
2.0
0.8
–32
64
10
+85
最大
5.5
V
CC
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
单位
1998年01月16日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器(三态)
74ABT125
DC电气特性
范围
符号
参数
测试条件
T
AMB
= +25°C
V
IK
输入钳位电压
V
CC
= 4.5V ;我
IK
= -18mA
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
OH
高电平输出电压
V
CC
= 5.0V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -32mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
OL
I
I
I
关闭
I
PU
/I
PD
I
OZH
I
OZL
I
CEX
I
O
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
静态电源电流
低电平输出电压
输入漏电流
关机漏电流
上电/下三态
输出电流
3
三态输出大电流
三态输出低电平电流
输出高泄漏电流
输出电流
1
V
CC
= 4.5V ;我
OL
= 64毫安; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
I
= GND或5.5V
V
CC
= 0.0V; V
O
或V
I
4.5V
V
CC
= 2.1V; V
O
= 0.5V; V
I
GND或V
CC
;
V
OE
= DO NOT CARE
V
CC
= 5.5V; V
O
= 2.7V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 0.5V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 5.5V; V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V; V
O
= 2.5V
V
CC
= 5.5V ;输出高电平,V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出低电平,V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出三态;
V
I
= GND或V
CC
输出使能,一个数据输入在3.4V ,
其他输入在V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5V
I
CC
每个额外的电源电流
输入引脚
2
输出三态,一个数据输入在3.4V ,其他
输入在V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5V
输出三态,一个使能输入为3.4V ,
其他输入在V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5V
–50
2.5
3.0
2.0
典型值
–0.9
2.9
3.4
2.4
0.35
±0.01
±5.0
±5.0
1.0
–1.0
5.0
–100
65
12
65
0.5
50
0.5
0.55
±1.0
±100
±50
50
–50
50
–180
250
15
250
1.5
250
1.5
–50
最大
–1.2
2.5
3.0
2.0
0.55
±1.0
±100
±50
50
–50
50
–180
250
30
50
1.5
250
1.5
T
AMB
= –40°C
至+ 85°C
最大
–1.2
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
A
mA
A
mA
A
mA
单位
注意事项:
1.不超过一个输出应在同一时间进行测试,并在测试的持续时间应不超过一秒钟。
2.这是增加的电源电流为每个输入在3.4V 。
3.此参数是有效的任何V
CC
之间0V和2.1V ,最高为10毫秒的过渡时间。从V
CC
= 2.1V至V
CC
= 5V
±
10% a
高达100微秒的转换时间是允许的。
AC特性
GND = 0V ;吨
R
= t
F
=为2.5ns ;
L
= 50pF的,R
L
= 500
范围
符号
参数
波形
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
一到Yn
输出使能时间
高低级别
输出禁止时间
从高电平和低电平
1
2
2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
T
AMB
= +25°C
V
CC
= +5.0V
典型值
2.8
3.1
3.2
4.2
4.1
2.8
最大
4.1
4.6
5.0
6.2
5.4
5.0
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
V
CC
= +5.0V
±0.5V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
最大
4.6
4.9
5.9
6.8
6.2
5.5
ns
ns
ns
单位
1998年01月16日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器(三态)
74ABT125
AC波形
V
M
= 1.5V, V
IN
= GND到3.0V
3V
OE输入
1.5V
输入
0V
t
PLH
t
PHL
V
OH
1.5V
产量
V
OL
1.5V
t
PZH
t
PHZ
YN输出
t
PZL
t
PLZ
3.5V
1.5V
V
M
V
M
V
M
V
OL
+ 0.3V
V
OL
V
OH
V
OH
– 0.3V
SA00028
YN输出
1.波形显示波形的输入(一)至
输出( YN )传播延迟
V
M
0V
SA00029
2.波形显示波形的三态
输出启用和禁用时报
测试电路和波形
7V
从输出
被测
C
L
= 50 pF的
500
S1
开放
GND
500
负载电路
TEST
t
pd
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
7V
开放
释义
负载电容包括夹具和探头电容;
C
L
=
看到AC特性值。
SA00012
1998年01月16日
5
74ABT125
四缓冲器;三态
版本04 - 2010年4月27日
产品数据表
1.概述
该74ABT125高性能BiCMOS器件结合了低的静态和动态
功耗与高速度,高输出驱动。
该74ABT125装置是一个四缓冲,非常适合驾驶的公交线路。该装置
具有四个输出启用( 10E, 2OE , 3Oe时,如图40E所示) ,三态各控制一个
输出。
2.特点和好处科幻TS
四路总线接口
三态缓冲器
在线插拔许可
输出能力:高
32
毫安;低64毫安
开机三态
输入在三态模式下被禁用
闭锁保护超过每JESD78 II类A级500毫安
ESD保护:
HBM JESD22- A114E超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74ABT125N
74ABT125D
74ABT125DB
74ABT125PW
74ABT125BQ
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
名字
DIP14
SO14
SSOP14
TSSOP14
DHVQFN14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线( 300万)
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 14线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
VERSION
SOT27-1
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
恩智浦半导体
74ABT125
四缓冲器;三态
4.功能图
2
1
5
4
9
10
12
13
1A
1OE
2A
2OE
3A
3OE
4A
4OE
1Y
3
2
1
1
3
EN1
6
2Y
6
5
4
nA
nY
3Y
8
9
8
10
诺埃
mna227
4Y
11
12
11
13
mna229
mna228
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图(一个缓冲区)
5.管脚信息
5.1钢钉
74ABT125
1OE
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
GND
(1)
1
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aai027
74ABT125
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
8
3A
3Y
1号航站楼
索引区
1A
1Y
2OE
2A
2Y
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
3A
001aai028
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 , SO14和( T) SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
图10E至如图40E所示
1A至4A
1Y到4Y
GND
V
CC
74ABT125_4
引脚说明
1, 4, 10, 13
2, 5, 9, 12
3, 6, 8, 11
7
14
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
电源电压
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年4月27日
2 15
恩智浦半导体
74ABT125
四缓冲器;三态
6.功能描述
表3中。
输入
诺埃
L
L
H
[1]
功能选择
[1]
产量
nA
L
H
X
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
j
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
结温
储存温度
总功耗
条件
0.5
1.2
最大
+7.0
+7.0
+5.5
-
-
128
150
+150
500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
在关断状态或高输出状态
V
I
& LT ; 0 V
V
O
& LT ; 0 V
在低输出状态
[2]
0.5
18
50
-
-
65
-
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[3]
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度,这是不利于可靠性。
SO14封装: 70以上
°C
P
合计
8毫瓦/ K线性降额
SSOP14和TSSOP20封装: 60岁以上
°C
P
合计
5.5毫瓦/ K线性降额
DHVQFN14包: 60岁以上
°C
P
合计
4.5毫瓦/ K线性降额
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
74ABT125_4
参数
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升和下降率
环境温度
条件
4.5
0
2.0
-
32
-
-
最大
5.5
V
CC
-
0.8
-
64
10
+85
单位
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
在自由空气
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
40
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年4月27日
3 15
恩智浦半导体
74ABT125
四缓冲器;三态
9.静态特性
表6 。
符号
V
IK
V
OH
静态特性
参数
条件
25
°C
输入钳位电压V
CC
= 4.5 V ;我
IK
=
18
mA
高电平的输出
电压
V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 4.5 V ;我
OH
=
3
mA
V
CC
= 5.0 V ;我
OH
=
3
mA
V
CC
= 4.5 V ;我
OH
=
32
mA
V
OL
I
I
I
关闭
I
O( PU / PD )
I
OZ
低电平输出
电压
输入漏电流
关机泄漏
当前
V
CC
= 4.5 V ;我
OL
= 64毫安;
V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或5.5 V
V
CC
= 0.0 V; V
I
或V
O
4.5 V
[1]
40 °C
+85
°C
单位
典型值
0.9
2.9
3.4
2.4
0.35
±0.01
±5.0
±5.0
最大
1.2
-
-
-
0.55
±1.0
±100
±50
-
2.5
3.0
2.0
-
-
-
-
最大
1.2
-
-
-
0.55
±1.0
±100
±50
V
V
V
V
V
μA
μA
μA
-
2.5
3.0
2.0
-
-
-
-
上电/掉电V
CC
= 2.1 V; V
O
= 0.5 V;
输出电流
V
I
= GND或V
CC
; OE =不关心
断态输出
当前
V
CC
= 5.5 V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
O
= 2.7 V
V
O
= 0.5 V
-
-
-
[2]
1.0
1.0
5.0
100
65
12
65
50
50
50
180
250
15
250
-
-
-
50
-
-
-
50
50
50
180
250
30
50
μA
μA
μA
mA
μA
mA
μA
I
LO
I
O
I
CC
输出漏电流高状态; V
O
= 5.5 V;
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或V
CC
输出电流
电源电流
V
CC
= 5.5 V; V
O
= 2.5 V
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或V
CC
输出高电平状态
输出低电平状态
输出禁用
50
-
-
-
ΔI
CC
新增供应
当前
每个控制引脚; V
CC
= 5.5 V;
在3.4 V,另一个控制输入
输入在V
CC
或GND
输出启用
输出禁用
一个使能输入的3.4 V和其他
输入在V
CC
或GND ;输出
[3]
-
-
-
0.5
50
0.5
1.5
250
1.5
-
-
-
1.5
250
1.5
mA
mA
mA
C
I
C
O
[1]
[2]
[3]
输入电容
输出电容
V
I
= 0 V或V
CC
输出禁用; V
O
= 0 V或V
CC
-
-
4
7
-
-
-
-
-
-
pF
pF
这个参数对于任何V
CC
在0V 2.1伏,最高为10毫秒的过渡时间。从V
CC
= 2.1 V到V
CC
= 5 V
±
10 %,
高达100的一个过渡时间
μs
是允许的。
不超过一个的输出应在同一时间进行测试,并在测试的持续时间应不超过一秒钟。
这是在3.4 V的增加,电源电流为每个输入
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产品数据表
版本04 - 2010年4月27日
4 15
恩智浦半导体
74ABT125
四缓冲器;三态
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0V。测定电路示于
网络连接gure 8 。
符号参数
条件
25
°C;
V
CC
= 5.0 V
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
从低到高
传播延迟
前高后低
传播延迟
OFF状态,以高
传播延迟
OFF状态,以LOW
传播延迟
HIGH到OFF状态
传播延迟
低到OFF状态
传播延迟
nA至纽约,看
图6
nA至纽约;看
图6
NOE到纽约;看
图7
NOE到纽约;看
图7
NOE到纽约;看
图7
NOE到纽约;看
图7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
典型值
2.8
3.1
3.2
4.2
4.1
2.8
最大
4.1
4.6
5.0
6.2
5.4
5.0
40 °C
+85
°C;
单位
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
最大
4.6
4.9
5.9
6.8
6.2
5.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11.波形
V
I
nA的输入
GND
V
M
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
t
PLH
V
M
mna230
V
M
= 1.5 V
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图6 。
传播延迟输入( NA)输出(纽约州)
74ABT125_4
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