74LVQ573低电压八路锁存器与3态输出
1998年5月
74LVQ573
低电压八路锁存器与3态输出
概述
该LVQ573是一个高速八进制锁存与缓冲的COM
周一锁存使能（ LE ）和缓冲的共同输出使能
（ OE ）输入。该LVQ573在功能上等同于
LVQ373但与上的相对侧的输入和输出
封装。
特点
n
非常适合低功耗/低噪音3.3V的应用
n
实现专利的EMI抑制电路
n
采用SOIC JEDEC ， EIAJ SOIC和QSOP
套餐
n
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
n
改进的闭锁抗扰度
n
保证入射波切换到75Ω
n
4 KV最小静电放电抗扰度
订购代码：
订单号
74LVQ573SC
74LVQ573SJ
74LVQ573QSC
包装数
M20B
M20D
MQA20
包装说明
模压20引脚（ 0.300"广角）小外形封装， SOIC ， JEDEC
20引脚模塑收缩型小外形封装， SOIC ， EIAJ
模塑收缩型小外形封装， SSOP ， JEDEC 20引脚（ 0.150"宽）
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
逻辑符号
接线图
引脚分配
SOIC和QSOP
DS011361-1
IEEE / IEC
DS011361-3
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
DS011361-2
描述
数据输入
锁存使能输入
三态输出使能输入
三态输出锁存器
LE
OE
O
0
–O
7
1998仙童半导体公司
DS011361
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真值表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
O
n
H
L
O
0
Z
功能说明
该LVQ573包含八个D型锁存器带3态
输出缓冲器。当锁存使能（ LE ）输入为高电平，
在D个数据
n
输入端进入锁存器。在这种状态下
锁存器是透明的，也就是说，锁存器输出将改变状态
它的每一个D型输入改变的时间。当LE为低电平时，
锁存器存储，这是存在于D型的信息
输入的高电平至低电平转换之前的准备时间
LE 。的三态缓冲器由所述输出控制的烯
能（ OE ）输入。当OE为低电平时，缓冲器被启用。
当OE为高电平的缓冲器是处于高阻抗
模式，但这并不与输入新的数据到干扰
所述锁存器。
H =高电压
L =低电压
Z =高阻抗
X =非物质
O
0
=上一页
0
前锁存高向低转换启动
逻辑图
DS011361-5
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
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2
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压（V
CC
)
DC输入二极管电流（I
IK
)
V
I
= 0.5V
V
I
= V
CC
+ 0.5V
直流输入电压（V
I
)
DC输出二极管电流（I
OK
)
V
O
= 0.5V
V
O
= V
CC
+ 0.5V
直流输出电压（V
O
)
DC输出源
或吸收电流（I
O
)
DC V
CC
或接地
电流（I
CC
还是我
GND
)
存储温度（T
英镑
)
直流闭锁或来源
灌电流
-0.5V至+ 7.0V
= 20毫安
20毫安
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
= 20毫安
20毫安
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
推荐工作
条件
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
输入电压（V
I
)
输出电压（V
O
)
工作温度（T
A
)
最小输入边沿速率（ ΔV / ΔT）
V
IN
0.8V至2.0V
V
CC
@
3.0V
2.0V至3.6V
0V至V
CC
0V至V
CC
-40 ° C至+ 85°C
125毫伏/ NS
±
50毫安
±
400毫安
-65 ° C至+ 150°C
注1 ：
“绝对最大额定值”，超出该值的
该装置的安全性不能得到保证。该设备不应该OP-
erated这些限制。在电气特定义的参数值
开创性意义的表都不能保证在绝对最大额定值。该
“推荐工作条件”表将定义为AC-条件
图阿尔设备操作。
注2 ：
未使用的输入必须保持高电平或低电平。他们可能不浮动。
±
300毫安
DC电气特性
符号
参数
V
CC
(V)
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.6
3.6
3.6
3.6
4.0
0.002
T
A
= +25C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
1.5
1.5
2.99
2.0
0.8
2.9
2.58
0.1
0.36
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
保证限制
2.0
0.8
2.9
2.48
0.1
0.44
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
A
V
OUT
= 0.1V
或V
CC
0.1V
V
OUT
= 0.1V
或V
CC
0.1V
I
OUT
= 50 A
V
IN
= V
IL
或V
IH
（注3）
I
OH
= -12毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
I
OUT
= 50 A
V
IN
= V
IL
或V
IH
（注3）
I
OL
= 12毫安
I
IN
I
老
I
OHD
I
CC
I
OZ
最大输入
漏电流
最小动态
输出电流（注4 ）
最大静态
电源电流
3-STATE
漏个当前
V
I
= V
CC
， GND
V
老
= 0.8 V
最大
（注5 ）
V
OHD
= 2.0V V
民
（注5 ）
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
（ OE ） = V
IL
, V
IH
3.6
3.3
3.3
3.3
3.3
0.4
0.4
1.6
1.6
单位
条件
±
0.1
±
1.0
36
25
40.0
±
0.25
0.8
0.8
2.0
0.8
±
2.5
A
V
V
V
V
V
I
= V
CC
， GND
V
O
= V
CC
， GND
（注6,7）
（注6,7）
（注6,8）
（注6,8）
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
宁静输出
最大动态V
OL
宁静输出
最小动态V
OL
最大高水平
动态输入电压
最大低电平
动态输入电压
注3 ：
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
注4 ：
最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注5 ：
与阻抗低至75Ω的商业级温度范围输电线路入射波切换保证。
注6 ：
最坏的情况下包。
注7 ：
定义为（n ）输出最大数量。数据输入驱动0V至3.3V ;一个输出为GND 。
注8 ：
数据输入（ N）开关的最大数量。 （N - 1 ）输入切换0V至3.3V 。输入被测开关： 3.3V阈值（V
ILD
） ， 0V到阈值（Ⅴ
IHD
),
F = 1兆赫。
3
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AC电气特性
T
A
= +25C
C
L
= 50 pF的
民
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PHZ
t
PLZ
t
OSHL
t
OSLH
输出到输出偏斜（注9 ）
D
n
与O
n
输出禁止时间
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
典型值
10.2
8.5
10.2
8.5
10.2
8.5
10.8
9.0
1.0
1.0
最大
14.8
10.5
16.9
12.0
18.3
13.0
20.4
14.5
1.5
1.5
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
民
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
最大
16.0
11.0
18.0
12.5
19.0
13.5
21.0
15.0
1.5
1.5
ns
ns
ns
ns
ns
符号
参数
V
CC
(V)
单位
注9 ：
歪斜是指实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。这个说明
fication适用于任何输出以相同的方向切换，无论是高电平变为低电平（叔
OSHL
）或低到高（T
OSLH
） 。参数设计保证来。
AC操作要求
T
A
= +25C
C
L
= 50 pF的
典型值
t
S
t
H
t
W
建立时间，高或低
D
n
以LE
保持时间，高或低
D
n
以LE
LE脉冲宽度，高
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
2.7
3.3
±
0.3
0
0
0
0
2.4
2.0
4.0
3.0
1.5
1.5
5.0
4.0
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
保证最低
4.5
3.0
1.5
1.5
6.0
4.0
ns
ns
ns
符号
参数
V
CC
(V)
单位
电容
符号
C
IN
C
PD
（注10 ）
参数
输入电容
功率耗散电容
典型值
4.5
37
单位
pF
pF
条件
V
CC
=打开
V
CC
= 3.3V
注10 ：
C
PD
的测量是在10兆赫。
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4
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
模压20引脚（ 0.300"广角）小外形封装， SOIC ， JEDEC
包装数M20B
20引脚模塑收缩型小外形封装， SOIC ， EIAJ
包装数量M20D
5
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74LVQ573
低压CMOS八路D型锁存器
具有三态输出的非反相
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 5.8 ns（典型值），在V
CC
= 3.3 V
兼容TTL输出
低功耗：
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
=25°C
低噪音：
V
OLP
= 0.5V （ TYP 。 ）在V
CC
= 3.3V
75Ω传输线驱动
能力
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 12毫安（ MIN）在V
CC
= 3.0 V
保证为24毫安PCI总线水平
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 2V至3.6V （ 1.2V数据保留）
引脚和功能兼容
74系列573
改进的闭锁抗扰度
SOP
TSSOP
表1 ：订购代码
包
SOP
TSSOP
T&R
74LVQ573MTR
74LVQ573TTR
描述
该74LVQ573是低压CMOS八路
D类锁存器与3态输出非
反相制备亚微米硅
门和双层金属布线
2
MOS
技术。它是理想的低功耗和低噪音
3.3V应用。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
图1 ：引脚连接和IEC逻辑符号
而对LE输入端保持在高电平时，Q
输出将跟随输入的数据准确。
当LE为低电平时， Q输出将
在D输入的数据的逻辑电平被锁存精确。
而（OE）输入为低时， 8个输出将在
一个正常的逻辑状态（高或低逻辑电平）和
而高水平的输出将处于高
阻抗状态。为了提高印刷电路板
布局， 74LVQ573提供的引脚具有输入
和在所述封装的相反侧输出。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2004年7月
启5
1/13
74LVQ573
表4 ：绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
50
±
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
储存温度
T
英镑
T
L
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
表5 ：推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压（注1 ）
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间V
CC
= 3.0V （注2 ）
参数
价值
2至3.6
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0-10
单位
V
V
V
°C
NS / V
1 ）真值表保证： 1.2V至3.6V
2) V
IN
从0.8V至2V
表6 ：DC规格
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.0
to
3.6
I
O
=-50
A
3.0
I
O
= -12毫安
I
O
= -24毫安
V
OL
低电平输出
电压
I
O
=50
A
3.0
3.6
3.6
3.6
3.6
I
O
= 12毫安
I
O
= 24毫安
I
I
I
OZ
I
CC
I
老
I
OHD
输入漏电流
高阻抗输出
漏电流
静态电源
当前
动态输出电流
（注1,2）
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
V
老
= 0.8 V最大
V
OHD
= 2 V分钟
±
0.1
±0.25
4
36
-25
0.002
0
0.1
0.36
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
0.8
2.9
2.58
2.99
2.9
2.48
2.2
0.1
0.44
0.55
±
1
±
2.5
40
25
-25
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
0.8
2.9
2.48
2.2
0.1
0.44
0.55
±
1
±
5.0
40
A
A
A
mA
mA
V
V
马克斯。
-55到125°C单位
分钟。
2.0
0.8
马克斯。
V
V
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出
电压
1 ）最大测试时间为2ms ，一个输出负载在时间
2 ）事故波的开关可以保证在传输线阻抗低至75Ω
3/13
74LVQ573
表7 ：动态开关特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
3.3
C
L
= 50 pF的
3.3
0.8
V
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.5
-0.8
2
-0.6
马克斯。
0.8
V
V
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
-55到125°C
分钟。
马克斯。
单位
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
动态低
电压安静
输出（注1,2 ）
高动态
电压输入
（注1,3）
动态低
电压输入
（注1,3）
1 ）最坏情况方案。
2 ）最大的定义为（ n）的输出数量。数据的输入被驱动为0V至3.3V， （ n-1个）输出开关和一个输出在GND 。
3 ）最大的数据输入端（n）的切换次数。 （ n-1个）切换0V到3.3V。测试开关量输入： 3.3V阈值（V
ILD
） ， 0V到阈
(V
IHD
） ， F = 1MHz的。
表8 ： AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，R
L
= 500
,
输入吨
r
= t
f
= 3纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
2.7
3.3
(*)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
7.2
5.8
7.2
5.8
8.7
7.4
8.5
7.5
2.0
1.5
0.0
0.0
0.0
0.0
0.5
0.5
马克斯。
11.5
9.0
11.5
9.0
14.0
11.5
14.0
11.5
5.0
4.0
4.0
3.0
1.5
1.5
1.0
1.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
13.5
10.5
13.5
10.5
16.0
13.5
16.0
13.5
6.0
4.0
4.5
3.0
1.5
1.5
1.0
1.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
15.5
12.0
15.5
12.0
18.5
15.5
18.5
15.5
6.0
4.0
4.5
3.0
1.5
1.5
1.0
1.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
勒到Q
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间D到Q
t
PLZ
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
t
W
t
sL
t
sH
t
hL
t
hH
t
OSLH
t
OSHL
输出禁用
时间
OUTPUT ENABLE
时间
LE脉冲宽度
高
设置时间D为LE
高或低
保持时间D为LE ，
高或低
输出到输出
滞后时间
（注2 ）
ns
1）斜度被定义为用于在同一设备中的任何两个输出实际的传播延迟之间的差的绝对值开关
荷兰国际集团在同一方向上，为高电平或低电平（叔
OSLH
= |t
PLHm
- t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
- t
PHLn
|)
2）参数设计保证来
（ *）的电压范围为3.3V
±
0.3V
4/13
74LVQ573
表9 ：电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
3.3
3.3
f
IN
= 10MHz时
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
4
8
10
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
-55到125°C
分钟。
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
（注1 ）
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ N （每锁存器）
图4 ：测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
L
= R
1
= 500Ω或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
2V
CC
开放
5/13
QQ：2880707522 复制
