【集成电路数据表74LVC38A四路2输入与非门（开漏）产品speci fi cation取代2004】,IC型号74LVC38APW,74LVC38APW PDF资料,74LVC38APW经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

74LVC38A

四路2输入与非门（开

漏）

产品speci fi cation

取代2004年的数据03月10日

2004年3月22日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

特点

5 V容限输入为5 V逻辑接口

宽电源电压范围为1.2 3.6 V

CMOS低功耗

直接接口与TTL电平

漏极开路输出

输入接收电压高达5.5 V

符合JEDEC标准没有。 8-1A

从指定的

40

+85

°C

和

40

+125

°C.

描述

74LVC38A

该74LVC38A是一款高性能，低功耗，

低电压，硅栅CMOS器件，优于最

先进的CMOS兼容TTL家庭。

输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这

特征允许使用这些设备作为一个翻译

混合3.3和5 V环境。

该74LVC38A提供二输入NAND功能。

在74LVC38A设备的输出是漏极开路，

可以被连接到其它的漏极开路输出到

实施积极的低线或有效或高电平有效

线与功能。

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

t

r

= t

f

≤

2.5纳秒。

符号

t

PZL

t

PLZ

C

I

C

PD

笔记

1. C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W).

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

×

N +

Σ(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=以MHz输入频率;

f

o

=以MHz输出频率;

C

L

=以pF输出负载电容;

V

CC

=伏特的供电电压;

N =总负荷开关量输出;

Σ(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =的输出的总和。

2.条件为V

I

= GND到V

CC

.

订购信息

包

类型编号

温度范围

74LVC38AD

74LVC38ADB

74LVC38APW

74LVC38ABQ

40

+125

°C

40

+125

°C

40

+125

°C

40

+125

°C

引脚

14

包

SO14

SSOP14

TSSOP14

DHVQFN14

材料

塑料

CODE

SOT108-1

SOT337-1

SOT402-1

SOT762-1

参数

传播延迟呐， NB到纽约

输入电容

每门功率耗散电容

V

CC

= 3.3 V ;注1和2

条件

C

L

= 50 pF的; V

CC

= 3.3 V

C

L

= 50 pF的; V

CC

= 3.3 V

典型

1.7

2.3

4.0

5.5

单位

ns

pF

2004年3月22日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

功能表

见注1 。

输入

nA

L

H

记

1. H =高电压电平;

L =低电压电平：

Z =高阻关断状态。

钉扎

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

1A

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

3Y

3A

3B

4Y

4A

4B

V

CC

符号

数据输入

数据输出

数据输入

数据输出

接地（ 0 V ）

数据输出

数据输入

数据输出

数据输入

电源电压

描述

nB

L

H

L

H

74LVC38A

输出

nY

Z

L

2004年3月22日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

74LVC38A

手册， halfpage

1A

1

VCC

14

13

12

4B

4A

4Y

3B

3A

1A

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

MNA696

14 VCC

13 4B

12 4A

1B

1Y

2A

2B

2Y

2

3

4

5

6

7

顶视图

GND

8

3Y

38

11 4Y

10 3B

9

3A

GND

(1)

11

10

9

8 3Y

MNA977

（1）在模具基板使用导电管芯附连到该焊盘

附加材料。它不能被用作一个电源引脚或输入。

Fig.1引脚配置SO14和（ T） SSOP14 。

图2引脚配置（ DHVQFN14 ）。

手册， halfpage

1

2

＆放大器;

3

1

2

4

5

9

10

12

13

1A

1B

2A

2B

3A

3B

4A

4B

1Y

3

4

＆放大器;

6

2Y

6

5

9

10

3Y

8

＆放大器;

8

4Y

11

12

13

＆放大器;

11

MNA697

MNA698

图3逻辑符号。

图4逻辑符号（ IEEE / IEC ）。

2004年3月22日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

74LVC38A

手册， halfpage

Y

A

B

GND

MNA699

图5的逻辑图（ 1栅极）。

推荐工作条件

符号

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

t

r

, t

f

参数

电源电压

输入电压

输出电压

工作环境温度

输入上升和下降时间

V

CC

= 1.2 2.7 V

V

CC

= 2.7 3.6 V

条件

最大速度性能

对于低电压应用

分钟。

2.7

1.2

0

40

0

马克斯。

3.6

5.5

+125

20

10

V

°C

NS / V

单位

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

V

I

OK

V

O

I

O

I

CC

, I

GND

T

英镑

P

合计

笔记

1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.对于SO14封装： 70以上

°C

8毫瓦/ K线性降额。

对于（T ） SSOP14封装： 60岁以上

°C

5.5毫瓦/ K线性降额。

对于DHVQFN14包： 60岁以上

°C

4.5毫瓦/ K线性降额。

2004年3月22日

5

参数

电源电压

输入二极管电流

输入电压

输出二极管电流

输出电压

输出灌电流

V

CC

或GND电流

储存温度

功耗

T

AMB

=

40

+125

°C;

注2

V

I

＆ LT ; 0

注1

V

O

＆ LT ; 0

注1

V

O

= 0至V

CC

条件

0.5

65

分钟。

0.5

马克斯。

+6.5

50

+6.5

50

+6.5

50

±100

+150

500

V

mA

V

mA

V

mA

°C

mW

单位

集成电路

数据表

74LVC38A

四路2输入与非门（开

漏）

产品speci fi cation

取代2004年的数据03月10日

2004年3月22日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

特点

5 V容限输入为5 V逻辑接口

宽电源电压范围为1.2 3.6 V

CMOS低功耗

直接接口与TTL电平

漏极开路输出

输入接收电压高达5.5 V

符合JEDEC标准没有。 8-1A

从指定的

40

+85

°C

和

40

+125

°C.

描述

74LVC38A

该74LVC38A是一款高性能，低功耗，

低电压，硅栅CMOS器件，优于最

先进的CMOS兼容TTL家庭。

输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这

特征允许使用这些设备作为一个翻译

混合3.3和5 V环境。

该74LVC38A提供二输入NAND功能。

在74LVC38A设备的输出是漏极开路，

可以被连接到其它的漏极开路输出到

实施积极的低线或有效或高电平有效

线与功能。

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

t

r

= t

f

≤

2.5纳秒。

符号

t

PZL

t

PLZ

C

I

C

PD

笔记

1. C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W).

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

×

N +

Σ(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=以MHz输入频率;

f

o

=以MHz输出频率;

C

L

=以pF输出负载电容;

V

CC

=伏特的供电电压;

N =总负荷开关量输出;

Σ(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =的输出的总和。

2.条件为V

I

= GND到V

CC

.

订购信息

包

类型编号

温度范围

74LVC38AD

74LVC38ADB

74LVC38APW

74LVC38ABQ

40

+125

°C

40

+125

°C

40

+125

°C

40

+125

°C

引脚

14

包

SO14

SSOP14

TSSOP14

DHVQFN14

材料

塑料

CODE

SOT108-1

SOT337-1

SOT402-1

SOT762-1

参数

传播延迟呐， NB到纽约

输入电容

每门功率耗散电容

V

CC

= 3.3 V ;注1和2

条件

C

L

= 50 pF的; V

CC

= 3.3 V

C

L

= 50 pF的; V

CC

= 3.3 V

典型

1.7

2.3

4.0

5.5

单位

ns

pF

2004年3月22日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

功能表

见注1 。

输入

nA

L

H

记

1. H =高电压电平;

L =低电压电平：

Z =高阻关断状态。

钉扎

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

1A

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

3Y

3A

3B

4Y

4A

4B

V

CC

符号

数据输入

数据输出

数据输入

数据输出

接地（ 0 V ）

数据输出

数据输入

数据输出

数据输入

电源电压

描述

nB

L

H

L

H

74LVC38A

输出

nY

Z

L

2004年3月22日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

74LVC38A

手册， halfpage

1A

1

VCC

14

13

12

4B

4A

4Y

3B

3A

1A

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

MNA696

14 VCC

13 4B

12 4A

1B

1Y

2A

2B

2Y

2

3

4

5

6

7

顶视图

GND

8

3Y

38

11 4Y

10 3B

9

3A

GND

(1)

11

10

9

8 3Y

MNA977

（1）在模具基板使用导电管芯附连到该焊盘

附加材料。它不能被用作一个电源引脚或输入。

Fig.1引脚配置SO14和（ T） SSOP14 。

图2引脚配置（ DHVQFN14 ）。

手册， halfpage

1

2

＆放大器;

3

1

2

4

5

9

10

12

13

1A

1B

2A

2B

3A

3B

4A

4B

1Y

3

4

＆放大器;

6

2Y

6

5

9

10

3Y

8

＆放大器;

8

4Y

11

12

13

＆放大器;

11

MNA697

MNA698

图3逻辑符号。

图4逻辑符号（ IEEE / IEC ）。

2004年3月22日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四2输入与非门（漏极开路）

74LVC38A

手册， halfpage

Y

A

B

GND

MNA699

图5的逻辑图（ 1栅极）。

推荐工作条件

符号

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

t

r

, t

f

参数

电源电压

输入电压

输出电压

工作环境温度

输入上升和下降时间

V

CC

= 1.2 2.7 V

V

CC

= 2.7 3.6 V

条件

最大速度性能

对于低电压应用

分钟。

2.7

1.2

0

40

0

马克斯。

3.6

5.5

+125

20

10

V

°C

NS / V

单位

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

V

I

OK

V

O

I

O

I

CC

, I

GND

T

英镑

P

合计

笔记

1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.对于SO14封装： 70以上

°C

8毫瓦/ K线性降额。

对于（T ） SSOP14封装： 60岁以上

°C

5.5毫瓦/ K线性降额。

对于DHVQFN14包： 60岁以上

°C

4.5毫瓦/ K线性降额。

2004年3月22日

5

参数

电源电压

输入二极管电流

输入电压

输出二极管电流

输出电压

输出灌电流

V

CC

或GND电流

储存温度

功耗

T

AMB

=

40

+125

°C;

注2

V

I

＆ LT ; 0

注1

V

O

＆ LT ; 0

注1

V

O

= 0至V

CC

条件

0.5

65

分钟。

0.5

马克斯。

+6.5

50

+6.5

50

+6.5

50

±100

+150

500

V

mA

V

mA

V

mA

°C

mW

单位