74LVC2G32
双路2输入或门
牧师07 - 2008年6月6日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G32提供一个2输入或门功能。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
在掉电模式下可承受5V电压输出
高噪声抗扰度
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
符合JEDEC标准：
N
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
N
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
N
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
I
恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74LVC2G32DP
74LVC2G32DC
74LVC2G32GT
74LVC2G32GD
74LVC2G32GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
SOT902-1
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
V32
V32
V32
V32
V32
类型编号
74LVC2G32DP
74LVC2G32DC
74LVC2G32GT
74LVC2G32GD
74LVC2G32GM
5.功能图
≥
1
1A
1B
2A
2B
1Y
2Y
≥
1
001aah791
001aah792
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
B
Y
A
mna166
图3 。
逻辑图（ 1门）
74LVC2G32_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月6日
2 16
恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G32
1A
1
8
V
CC
1B
2
7
1Y
74LVC2G32
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aab742
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
2Y
3
6
2B
GND
4
5
2A
001aab743
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 （ XSON8 ）
74LVC2G32
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
74LVC2G32
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1A
2B
1Y
2B
2A
2A
2
6
1B
3
4
5
2Y
GND
001aae994
001aai244
透明的顶视图
透明的顶视图
图6 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
图7 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 （ XQFN8U ）
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 ， SOT765-1 ，
SOT833-1和SOT996-2
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
74LVC2G32_7
描述
SOT902-1
7, 3
6, 2
4
1, 5
8
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
NXP B.V. 2008保留所有权利。
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
产品数据表
牧师07 - 2008年6月6日
3 16
恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
100
65
最大
+6.5
+6.5
V
CC
+ 0.5
+6.5
-
±50
±50
100
-
+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
主动模式
掉电模式
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ LT ; 0 V或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0 V到V
CC
[1]
[2]
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常状态下。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC2G32_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月6日
4 16
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
在掉电模式下可承受5V电压输出
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入呐， NB输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
描述
74LVC2G32
该74LVC2G32是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这
特征允许使用这些设备作为一个翻译
混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G32提供了2输入或门。
典型
3.9
ns
ns
ns
ns
ns
单位
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
2.4
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.7
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.2
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
1.7
C
I
C
PD
笔记
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
2.5
14
pF
pF
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
2004年9月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
74LVC2G32
手册， halfpage
B
Y
A
MNA166
图5的逻辑图（ 1栅极） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
2004年9月22日
5
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
在掉电模式下可承受5V电压输出
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入呐， NB输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
描述
74LVC2G32
该74LVC2G32是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这
特征允许使用这些设备作为一个翻译
混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G32提供了2输入或门。
典型
3.9
ns
ns
ns
ns
ns
单位
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
2.4
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.7
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.2
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
1.7
C
I
C
PD
笔记
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
2.5
14
pF
pF
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
2004年9月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
74LVC2G32
手册， halfpage
B
Y
A
MNA166
图5的逻辑图（ 1栅极） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
2004年9月22日
5
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
74LVC2G32
双路2输入或门
牧师05 - 2007年9月4日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G32提供一个2输入或门功能。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
在掉电模式下可承受5V电压输出
高噪声抗扰度
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
符合JEDEC标准：
N
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
N
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
N
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
ESD保护：
N
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
N
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
I
恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74LVC2G32DP
74LVC2G32DC
74LVC2G32GT
74LVC2G32GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XQFN8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
SOT902-1
4.标记
表2中。
记号
标识代码
V32
V32
V32
V32
类型编号
74LVC2G32DP
74LVC2G32DC
74LVC2G32GT
74LVC2G32GM
5.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
5
6
mna733
mna734
≥
1
7
2Y
3
≥
1
3
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
B
Y
A
mna166
图3.逻辑图（ 1门）
74LVC2G32_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年9月4日
2 15
恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G32
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aab742
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和VSSOP8
74LVC2G32
74LVC2G32
1A
1
8
V
CC
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
7
1A
1B
2
7
1Y
2B
2
6
1B
2Y
3
6
2B
2A
3
4
5
2Y
GND
GND
4
5
2A
001aae994
001aab743
透明的顶视图
透明的顶视图
图5.引脚CON组fi guration XSON8
图6.引脚CON组fi guration XQFN8
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A
1B
2Y
GND
2A
2B
1Y
V
CC
引脚说明
针
TSSOP8 ， VSSOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
XSON8
1
2
3
4
5
6
7
8
XQFN8
7
6
5
4
3
2
1
8
数据输入
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
描述
74LVC2G32_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74LVC2G32
双路2输入或门
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
100
65
最大
+6.5
+6.5
V
CC
+ 0.5
+6.5
-
±50
±50
100
-
+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
主动模式
掉电模式
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ LT ; 0 V或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0 V到V
CC
[1]
[2]
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常状态下。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8和XQFN8包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC2G32_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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