74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
启10 - 2008年6月11日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G125提供了3态输出的双非反相缓冲器/线路驱动器。
三态输出由输出使能输入端（引脚NOE ）控制。一个高层次的引脚
NOE使输出呈现高阻关断状态。在施密特触发器动作
所有的输入使电路包容度很高的输入速度较慢的上升和下降时间。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
N
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
N
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
N
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
I
I
I
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GD
74LVC2G125GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
SOT902-1
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
V25
V25
V25
V25
V25
类型编号
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GD
74LVC2G125GM
5.功能图
74LVC2G125
1A
1OE
2A
2OE
EN2
mna941
001aae009
74LVC2G125
1Y
EN1
2Y
2
1
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
74LVC2G125_10
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
启10 - 2008年6月11日
2 17
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G125
1OE
1
8
V
CC
1A
2
7
2OE
74LVC2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
001aab738
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
2Y
3
6
1Y
GND
4
5
2A
001aab739
透明的顶视图
图3 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 （ XSON8 ）
74LVC2G125
1号航站楼
索引区
2OE
1
V
CC
8
74LVC2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1OE
1Y
2OE
1Y
2A
2A
2
6
1A
3
4
5
2Y
GND
001aae010
001aai243
透明的顶视图
透明的顶视图
图5 。
引脚CON组fi guration XSON8
图6 。
引脚CON组fi guration XQFN8U
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 ， SOT765-1 ，
SOT833-1和SOT996-2
10E， 2OE
1A, 2A
GND
1Y, 2Y
V
CC
74LVC2G125_10
描述
SOT902-1
7, 1
6, 3
4
2, 5
8
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
NXP B.V. 2008保留所有权利。
1, 7
2, 5
4
6, 3
8
产品数据表
启10 - 2008年6月11日
3 17
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
7.功能描述
表4 。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
使能模式
禁止模式
掉电模式
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[1]
[1][2]
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
0.5
0.5
0.5
-
-
100
65
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
+6.5
±50
100
-
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
V
O
= 0 V到V
CC
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;使能模式
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;禁止模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
民
1.65
0
0
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
V
74LVC2G125_10
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
启10 - 2008年6月11日
4 17
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
表6 。
符号
T
AMB
ΔT/ ΔV
工作条件
- 续
参数
环境温度
输入过渡上升和V
CC
= 1.65 V至2.7 V
掉落率
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
民
40
-
-
最大
+125
20
10
单位
°C
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[1]
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OH
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
I
CC
C
i
输入漏电流
关态输出电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 3.6 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;我
O
= 0 A
每个引脚; V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
0.1
5
2
-
-
-
-
-
-
±5
±10
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
V
V
V
V
V
V
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
CC
V
V
V
V
V
V
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
74LVC2G125_10
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
启10 - 2008年6月11日
5 17
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
条件
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
输入电容
每个缓冲器的输出功率耗散电容启用;注1和2
输出禁用;注1和2
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC2G125
该74LVC2G125是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
此功能允许使用这些设备作为翻译
在混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G125提供了双非反相缓冲器/线路
司机与3态输出。三态输出控制
由输出使能输入端（引脚NOE ） 。一个高层次的
销NOE使输出呈现高阻
OFF状态。在所有输入施密特触发器动作，使
电路的输入速度较慢的上升和下降时间非常宽容。
典型
3.7
2.5
2.7
2.3
1.9
2
18
5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟nA的输入输出NY V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
pF
pF
pF
2004年9月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;启用
模式
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;关闭
模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
0
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC2G125
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
使能模式;注1和2
关闭模式;注1和2
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2004年9月22日
5
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
牧师11日 - 2010年9月9日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G125提供了3态输出的双非反相缓冲器/线路驱动器。
三态输出由输出使能输入端（引脚NOE ）控制。一个高层次的引脚
NOE使输出呈现高阻关断状态。在施密特触发器动作
所有的输入使电路包容度很高的输入速度较慢的上升和下降时间。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
这个装置是用我的部分断电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏回流电流通过设备
当它被断电。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GF
74LVC2G125GD
74LVC2G125GM
74LVC2G125GN
74LVC2G125GS
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
XSON8
XSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1.35
×
1
×
0.5 mm
SOT1089
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;机身1.2
×
1.0
×
0.35 mm
非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1.35
×
1.0
×
0.35 mm
SOT902-1
SOT1116
SOT1203
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
[1]
V25
V25
V25
VM
V25
V25
VM
VM
类型编号
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GF
74LVC2G125GD
74LVC2G125GM
74LVC2G125GN
74LVC2G125GS
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
74LVC2G125
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2 22
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
74LVC2G125
1号航站楼
索引区
2OE
1
V
CC
8
74LVC2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1OE
1Y
2OE
1Y
2A
2A
2
6
1A
3
4
5
2Y
GND
001aae010
001aai243
透明的顶视图
透明的顶视图
图5 。
引脚配置SOT996-2
图6 。
引脚配置SOT902-1
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 ， SOT765-1 ， SOT833-1 ， SOT1089 ，
SOT996-2 ， SOT1116和SOT1203
10E， 2OE
1A, 2A
GND
1Y, 2Y
V
CC
1, 7
2, 5
4
6, 3
8
SOT902-1
7, 1
6, 3
4
2, 5
8
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
74LVC2G125
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4 22
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
使能模式
禁止模式
掉电模式
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[1]
[1][2]
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
0.5
0.5
0.5
-
-
100
65
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
+6.5
±50
100
-
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
V
O
= 0 V到V
CC
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U套餐： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;使能模式
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;禁止模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
T
AMB
ΔT/ ΔV
环境温度
输入过渡上升和V
CC
= 1.65 V至2.7 V
掉落率
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
民
1.65
0
0
0
0
40
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC2G125
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产品数据表
牧师11日 - 2010年9月9日
5 22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
条件
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
输入电容
每个缓冲器的输出功率耗散电容启用;注1和2
输出禁用;注1和2
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC2G125
该74LVC2G125是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
此功能允许使用这些设备作为翻译
在混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G125提供了双非反相缓冲器/线路
司机与3态输出。三态输出控制
由输出使能输入端（引脚NOE ） 。一个高层次的
销NOE使输出呈现高阻
OFF状态。在所有输入施密特触发器动作，使
电路的输入速度较慢的上升和下降时间非常宽容。
典型
3.7
2.5
2.7
2.3
1.9
2
18
5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟nA的输入输出NY V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
pF
pF
pF
2004年9月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;启用
模式
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;关闭
模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
0
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC2G125
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
使能模式;注1和2
关闭模式;注1和2
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2004年9月22日
5
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
牧师08 - 2007年9月7日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G125提供了3态输出的双非反相缓冲器/线路驱动器。
三态输出由输出使能输入端（引脚NOE ）控制。一个高层次的引脚
NOE使输出呈现高阻关断状态。在施密特触发器动作
所有的输入使电路包容度很高的输入速度较慢的上升和下降时间。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
x
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
x
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
s
s
s
s
s
s
s
s
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
3.订购信息
表1：
订购信息
包
温度范围名称
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XQFN8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
SOT902-1
4.标记
表2：
标记代码
标识代码
V25
V25
V25
V25
类型编号
74LVC2G125DP
74LVC2G125DC
74LVC2G125GT
74LVC2G125GM
5.功能图
74LVC2G125
1A
1OE
2A
2OE
EN2
mna941
001aae009
74LVC2G125
1Y
EN1
2Y
2
1
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
74LVC2G125_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年9月7日
2 16
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
001aab738
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
图3.引脚CON组fi guration TSSOP8和VSSOP8
74LVC2G125
74LVC2G125
1OE
1
8
V
CC
1号航站楼
索引区
2OE
1
V
CC
8
7
1OE
1A
2
7
2OE
1Y
2
6
1A
2Y
3
6
1Y
2A
3
4
5
2Y
GND
GND
4
5
2A
001aae010
001aab739
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration XSON8
图5.引脚CON组fi guration XQFN8
6.2引脚说明
表3：
符号
1OE
1A
2Y
GND
2A
1Y
2OE
V
CC
引脚说明
针
TSSOP8 ; VSSOP8 XSON8
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
XQFN8
7
6
5
4
3
2
1
8
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输出
输出使能输入（低电平有效）
电源电压
描述
74LVC2G125_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年9月7日
3 16
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
7.功能描述
表4：
控制
诺埃
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态
8.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
使能模式
禁止模式
掉电模式
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[1][2]
[1][2]
[1][2]
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
0.5
0.5
0.5
-
-
100
65
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
+6.5
±50
100
-
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
V
O
= 0 V到V
CC
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;使能模式
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;禁止模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
T
AMB
ΔT/ ΔV
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
民
1.65
0
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC2G125_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年9月7日
4 16
恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
10.静态特性
表7：
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[1]
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OH
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
I
CC
C
i
输入漏电流
关态输出电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 3.6 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;我
O
= 0 A
每个引脚; V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
0.1
5
2
-
-
-
-
-
-
±5
±10
±10
10
500
-
V
V
V
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0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
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0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
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0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
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V
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V
条件
民
典型值
最大
单位
74LVC2G125_8
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产品数据表
牧师08 - 2007年9月7日
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