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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第116页 > 74AHCT138
集成电路
数据表
74AHC138 ; 74AHCT138
3至8线译码器/多路分解器;
反相
产品speci fi cation
取代1999年的数据03月31日
在集成电路, IC06文件
1999年09月27
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
特点
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器
操作
多输入使能方便
扩张
理想的内存芯片选择
解码
输入接受比更高的电压
V
CC
对于AHC只:
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只:
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
3.0纳秒。
描述
74AHC138;
74AHCT138
该74AHC / AHCT138是高速硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基TTL ( LSTTL )兼容。它们是在指定
符合JEDEC标准号7A 。
该74AHC / AHCT138解码器接受三个二进制加权地址输入
(A
0
, A
1
AND A
2
),并启用时,提供8互斥的低有效
输出(Y
0
为Y
7
).
在“ 138 ”具有三个使能输入: 2低电平有效(E
1
与ê
2
),以及一个
高电平(E
3
) 。每个输出都为高,除非ê
1
与ê
2
有LOW和E
3
为高。
这种多能功能允许的' 138 '很容易实现并联扩容到
1 -OF- 32 ( 5 32行)解码器只用4 ' 138 ' IC和一个逆变器。
该' 138'可以通过使用一个被用来作为一个8输出多路分解器
低电平有效使能输入作为数据输入,其余的使能输入为
选通信号。未使用的使能输入必须永久绑定到其相应的
高电平或低电平状态。
在“ 138”等同于“ 238 ”,但已倒相输出。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟
n
为Y
n
传播延迟ê
3
为Y
n
; E
n
为Y
n
输入电容
输出电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
4.4
4.2
3.0
4.0
18
AHCT
4.4
4.3
3.0
4.0
23
ns
ns
pF
pF
pF
单位
1999年09月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
功能表
见注1 。
输入
E
1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
订购信息
北外
AMERICA
74AHC138D
74AHC138PW
74AHCT138D
74AHCT138PW
钉扎
1 , 2和3中
图4和5
6
7 ,9,10 11 , 12 ,13,14和15
8
16
符号
A
0
, A
1
AND A
2
E
1
与ê
2
E
3
Y
7
为Y
0
GND
V
CC
地址输入
使能输入(低电平有效)
使能输入(高电平有效)
输出(低电平有效)
接地( 0 V )
直流电源电压
套餐
北美
引脚
74AHC138D
74AHC138PW DH
74AHCT138D
74AHCT138PW DH
16
16
16
16
SO
TSSOP
SO
TSSOP
E
2
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
E
3
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
A
0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
A
1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
Y
0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
产量
Y
3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
74AHC138;
74AHCT138
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT109-1
SOT403-1
SOT109-1
SOT403-1
描述
1999年09月27
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
74AHC138;
74AHCT138
手册, halfpage
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
Y7 7
GND 8
MNA369
16 VCC
15 Y0
14 Y1
手册, halfpage
1
2
3
E1
E2
E3
A0
A1
A2
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
MNA370
15
14
13
12
11
10
9
7
138
13 Y2
12 Y3
11 Y4
10 Y5
9
Y6
4
5
6
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册, halfpage
手册, halfpage
DX
0
1
15
14
13
12
11
10
9
7
4
5
6
&放大器;
1
2
3
1
2
4
X / Y
0
1
2
3
4
5
6
15
14
13
12
11
10
9
7
4
5
6
E1
E2
E3
1
2
3
A0
A1
A2
3-to-8
解码器
启用
退出
1
2
3
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
15
14
13
12
11
10
9
7
0
0
G
7
2
2
3
4
4
5
6
&放大器;
5
6
7
EN
7
MNA371
(a)
(b)
MNA372
图3 IEC逻辑符号。
图4的功能框图。
1999年09月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
74AHC138;
74AHCT138
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
( ΔT/ ΔF )输入上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装: 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装: 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围:
40
+125
°C;
注2
V
I
& LT ;
0.5
V ;注1
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月27
5
74AHCT138
3至8线解码器解复用器
描述
该74AHCT138是一种先进的高速CMOS器件是
设计可以在引脚compatable与74LS低功耗肖特基类型。
该器件接受的输入引脚的3位二进制加权地址
A0,A1和A2和启用时将产生一个低电平输出
与剩余的7为高。
有两个低电平有效使能输入端E1和E2 ,以及一种活性
高电平使能输入E3 。残疾人设备状态导致所有输出
为高。发生在启用状态, E1和E2置低,
E3置为高电平。
多能线允许解码器的并联扩容
以创建4至16线的版本,没有额外的部件和5至32
版本与另外一台逆变器的。
引脚分配
特点
电源电压范围为4.5V至5.5V
汇或来源8毫安在V
CC
= 4.5V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入
输入接受高达6.0V
每JESD 22 ESD保护测试
超过200 -V机型号( A115 -A )
超过2000 -V人体模型( A114 -A )
超过1000 -V带电器件模型( C101C )
闭锁超过每JESD 78 , II类250毫安
完全无铅&完全符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑, "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
应用
内存芯片选择解码
解复用
单线外设控制
从单片机控制,因为允许简单的串行比特流
根据需要许多外围线
注意事项:
点击这里订购信息,位于数据表的末尾
74AHCT138
文件编号: DS35483修订版2 - 2
1 9
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74AHCT138
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
A0
A1
A2
E1
E2
E3
Y7
GND
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
V
CC
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
使能输入1 (低电平有效)
使能输入2 (低电平有效)
使能输入3 (高电平有效)
7输出(低电平有效)
6输出(低电平有效)
5输出(低电平有效)
4输出(低电平有效)
3输出(低电平有效)
2输出(低电平有效)
输出1 (低电平有效)
输出O(低电平有效)
电源电压
功能表图
控制
E1
H
X
X
L
E2
X
H
X
L
E3
X
X
L
H
A2
X
输入
A1
X
A0
X
Y7
H
Y6
H
Y5
H
Y4
H
产量
Y3
H
Y2
H
Y1
H
Y0
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
74AHCT138
文件编号: DS35483修订版2 - 2
2 9
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74AHCT138
逻辑图
74AHCT138
文件编号: DS35483修订版2 - 2
3 9
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74AHCT138
绝对最大额定值
(注4 ) ( @T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
OK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意事项:
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
输出钳位电流
V
I
< -0.5V
V
O
<-0.5V
V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
等级
2
1
200
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.3到V
CC
+0.5
-20
-20
25
+/- 25
75
-75
-40到+150
-65到+150
500
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
连续输出电流
连续电流通过V
DD
或GND
连续电流通过V
DD
或GND
工作结温
储存温度
总功耗
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
(注5)( @T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
T
A
注意:
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
主动模式
条件
4.5
0
0
-40
最大
5.5
5.5
V
CC
20
+125
单位
V
V
V
NS / V
°C
V
CC
= 4.5V至5.5V
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
C
i
参数
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高层
输出电压
I
OH
= -50μA
I
OH
= -8mA
测试条件
V
CC
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
4.5V
4.5V
4.5V
4.5V
0V至5.5V
5.5V
4.5V至5.5V
5.5V
T
A
= +25°C
TYP MAX
2.0
4.4
3.94
4.5
0
0.1
4
0.8
0.1
0.36
±0.1
4.0
1.35
10
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C
最大
最大
2.0
4.4
3.80
0.8
0.1
0.44
±1
40
1.5
10
2.0
4.4
3.70
0.8
0.1
0.55
±2
80
1.5
10
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
pF
低电平输出I
OL
= 50μA
电压
I
OL
= 8毫安
输入电流
电源电流
另外
电源电流
每个输入
输入
电容
V
I
= GND或5.5V
V
I
= GND或V
CC
I
O
= 0
V
I
= VCC -2.1V
I
O
= 0
V
i
= V
CC
或GND
74AHCT138
文件编号: DS35483修订版2 - 2
4 9
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74AHCT138
开关特性
符号
参数
测试条件
V
CC
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
4.5V至5.5V
T
A
= +25°C
典型值
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
4.4
6.2
4.3
6.2
4.3
6.2
10.4
11.4
9.1
10.1
9.6
10.6
-40 ° C至+ 85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
12.0
13.0
10.5
11.5
11.0
12.0
-40°C至+ 125°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
14.5
11.5
13.0
12.0
13.5
单位
ns
ns
ns
传播延迟图2 C
L
=15pF
一到Yn
图2 C
L
= 50pF的
t
PD
传播延迟图2 C
L
= 15pF的
E3到Yn
图2 C
L
= 50pF的
传播延迟图2 C
L
= 15pF的
恩到Yn
图2 C
L
= 50pF的
工作特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
参数
C
pd
功耗
电容
TEST
条件
F = 1 MHz的所有输出开关,空载
V
CC
= 5V
典型值
23
单位
pF
参数测量信息
V
CC
4.5V至5.5V
输入
V
I
3.0 V
t
r
/t
f
3ns
输入
1.5 V
V
M
产量
V
CC
/2
C
L
为15pF , 50pF的
电压波形
脉冲持续时间
电压波形
传播延迟时间
反相和非反相输出
注意事项:
答:包括测试线和测试设备电容。
B.所有脉冲的脉冲重复率被提供
10兆赫。
C.输入测量每个单独的测量一种过渡。
D.吨
PLH
和T
PHL
相同吨
PD
.
5 9
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74AHCT138
文件编号: DS35483修订版2 - 2
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