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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第1页 > 74LVC1GU04GV
集成电路
数据表
74LVC1GU04
逆变器
产品speci fi cation
取代2004年的数据06月28日
2004年9月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
接受输入电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟为Y
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1GU04
该74LVC1GU04是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
此功能允许在混合使用这种装置的
3.3 V和5 V环境。
在所有输入施密特触发器动作使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
该74LVC1GU04提供反向单状态
无缓冲的功能。
典型
1.7
1.3
1.7
1.6
1.3
6
14.9
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2004年9月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
功能表
见注1 。
输入
A
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
订购信息
包
类型编号
74LVC1GU04GW
74LVC1GU04GV
74LVC1GU04GM
钉扎
引脚SC- 88A ; SC- 74A
1
2
3
4
-
5
PIN码XSON6
1
2
3
4
5
6
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
符号
北卡罗来纳州
没有连接
数据输入A
接地（ 0 V ）
数据输出Y.
没有连接
电源电压
温度
范围
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
引脚
5
5
6
包
SC-88A
SC-74A
XSON6
材料
塑料
塑料
塑料
产量
Y
H
L
74LVC1GU04
CODE
SOT353
SOT753
SOT886
记号
VD
VU4
VD
描述
U04
北卡罗来纳州
A
1
2
5
V
CC
北卡罗来纳州
1
6
V
CC
U04
4
001aab666
A
Y
GND
2
5
北卡罗来纳州
GND
3
3
4
Y
001aab667
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC -88A和SC- 77A 。
图2引脚配置XSON6 。
2004年9月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
74LVC1GU04
手册， halfpage
2
A
Y
4
手册， halfpage
2
1
4
MNA108
MNA109
图3逻辑符号。
图4 IEEE逻辑符号。
手册， halfpage
VCC
VCC
100
A
Y
MNA636
图5的逻辑图。
2004年9月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
条件
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1GU04
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
V
V
V
°C
单位
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
合计
减额线性4.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C;
注2
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
±50
±100
+150
200
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
2004年9月21日
5
74LVC1GU04
逆变器
牧师08 - 2007年6月12日
产品数据表
1.概述
该74LVC1GU04是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅CMOS器件，
优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用
该器件在混合3.3 V和5 V环境。
该74LVC1GU04提供了反向的单态缓冲功能。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
接受输入电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74LVC1GU04GW
74LVC1GU04GV
74LVC1GU04GM
74LVC1GU04GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
XSON6
XSON6
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
VERSION
SOT353-1
SOT753
SOT886
SOT891
类型编号
恩智浦半导体
74LVC1GU04
逆变器
4.标记
表2中。
标记代码
记号
VD
VU4
VD
VD
类型编号
74LVC1GU04GW
74LVC1GU04GV
74LVC1GU04GM
74LVC1GU04GF
5.功能图
V
CC
V
CC
100
A
2
A
Y
4
2
1
4
Y
mna108
mna109
mna636
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1GU04
74LVC1GU04
北卡罗来纳州
A
1
2
GND
GND
3
001aab666
北卡罗来纳州
5
V
CC
1
6
V
CC
北卡罗来纳州
A
74LVC1GU04
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Y
GND
4
Y
001aab667
001aaf411
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6.引脚CON组fi guration SOT891
74LVC1GU04_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月12日
2 15
恩智浦半导体
74LVC1GU04
逆变器
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
没有连接
数据输入A
接地（ 0 V ）
数据输出Y.
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入（ A）
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
输出（Y ）
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
-
0.5
-
[1][2]
最大
+6.5
50
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
±50
+100
100
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC1GU04_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月12日
3 15
恩智浦半导体
74LVC1GU04
逆变器
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
条件
民
1.65
0
0
40
0
0
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至
5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
0.1
6
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
10
-
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
0.75
×
V
CC
-
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
条件
民
典型值
[1]
最大
单位
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
74LVC1GU04_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月12日
4 15
恩智浦半导体
74LVC1GU04
逆变器
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
输入漏电流
电源电流
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至
5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
-
0.1
0.7
0.45
0.6
0.80
0.80
±5
200
V
V
V
V
V
V
A
A
0.8
×
V
CC
-
V
CC
0.1
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
条件
民
典型值
[1]
最大
单位
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
[1]
所有典型值是在V测
CC
= 3.3 V和T
AMB
= 25
°C.
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
网络连接gure 10 。
符号参数
t
pd
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
1.7
1.3
1.7
1.6
1.3
最大
5.0
4.0
5.0
3.7
3.0
40 °C
+125
°C
单位
民
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
最大
6.5
5.5
6.5
5.0
4.0
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟为Y ;看
图7
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
74LVC1GU04_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月12日
5 15
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推荐型号
79109-1065
74ACT16244MTD
74LCXZ16244MTD
7667CBAZ
74AC564SC
721Y
740X043183GP
741X083
74ABT377CMSAX
7512A5-3-A
744772560
74HC240DB
74AC125DMQR
74HC241
741C083101FP
7091-32-EH3-V2
7090-02-ZG-P1-R1
74ACT573SJX
74LVC241APW
70-IAC5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    74LVC1GU04GV
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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