74HC240 ; 74HCT240
八路缓冲器/线路驱动器;三态;反相
牧师03 - 2007年8月2日
产品数据表
1.概述
该74HC240 ; 74HCT240是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
与低功率肖特基TTL ( LSTTL ) 。
该74HC240 ; 74HCT240是3态输出的双八进制反相缓冲器/线路驱动器。
三态输出由输出使能控制输入图10E和2OE 。一个高点
NOE使输出呈高阻关断状态。
该74HC240 ; 74HCT240是类似于74HC244 ; 74HCT244但反转
输出。
2.特点
s
s
s
s
反相三态输出
多种封装选择
符合JEDEC标准没有。 7将
ESD保护:
x
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC240
74HC240N
74HC240D
74HC240DB
74HC240PW
74HC240BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
DIP20
SO20
SSOP20
TSSOP20
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
塑料小外形封装; 20线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 20线索;
体宽5.3毫米
SOT146-1
SOT163-1
SOT339-1
描述
VERSION
类型编号
塑料薄小外形封装; 20线索; SOT360-1
体宽4.4毫米
DHVQFN20塑料双列直插式相适应的热增强
SOT764-1
非常薄四方扁平的封装;没有线索; 20终端;
机身2.5
×
4.5
×
0.85 mm
DIP20
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
SOT146-1
74HCT240
74HCT240N
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74HC240 ; 74HCT240
八路缓冲器/线路驱动器;三态;反相
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC240
74HCT240
1OE
2
3
4
5
6
7
8
9
GND 10
2A3 11
GND
(1)
1
1号航站楼
索引区
20 V
CC
19 2OE
18 1Y0
17 2A0
16 1Y1
15 2A1
14 1Y2
13 2A2
12 1Y3
74HC240
74HCT240
1OE
1A0
2Y0
1A1
2Y1
1A2
2Y2
1A3
2Y3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 2OE
18 1Y0
17 2A0
16 1Y1
15 2A1
14 1Y2
13 2A2
12 1Y3
11 2A3
001aag233
1A0
2Y0
1A1
2Y1
1A2
2Y2
1A3
2Y3
GND 10
001aag234
透明的顶视图
(1)模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入
图4.引脚CON组fi guration DIP20 , SO20 , ( T) SSOP20
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN20
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
1A0
2Y0
1A1
2Y1
1A2
2Y2
1A3
2Y3
GND
2A3
1Y3
2A2
1Y2
2A1
1Y1
74HC_HCT240_3
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
总线输出
数据输入
总线输出
数据输入
总线输出
数据输入
总线输出
接地( 0 V )
数据输入
总线输出
数据输入
总线输出
数据输入
总线输出
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恩智浦半导体
74HC240 ; 74HCT240
八路缓冲器/线路驱动器;三态;反相
表2中。
符号
2A0
1Y0
2OE
V
CC
引脚说明
- 续
针
17
18
19
20
描述
数据输入
总线输出
输出使能输入(低电平有效)
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
诺埃
L
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
功能表
[1]
产量
为NaN
L
H
X
NYN
H
L
Z
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20封装
SO20 , SSOP20 , TSSOP20
和DHVQFN20包
[1]
对于DIP20封装: 70以上
°C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
°C,
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN20包: 60岁以上
°C,
P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K 。
[1]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
70
65
-
-
最大
+7
±20
±20
±35
70
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
74HC_HCT240_3
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