集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT75
四双稳态透明锁存器
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双稳态透明锁存器
特点
互补Q及输出
V
CC
和GND上的中心销
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
概述
该74HC / HCT75是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
( LSTTL ) 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
74HC/HCT75
该74HC / HCT75有四个双稳态锁存器。两
锁存器由两个有源1同时控制
高使能输入( LE
1-2
和LE
3-4
) 。当LE
n-n
is
高,数据进入锁存,并出现在NQ
输出。在NQ输出跟随输入的数据(ND)只要
作为LE
n-n
为高(透明)。上之TID输入的数据
一个建立时间之前的高到低转换
LE
n-n
将被存储在锁存器中。锁存输出
保持稳定,只要对LE
n-n
是低的。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
ND到NQ , NQ
LE
n-n
为NQ , NQ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5
V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
输入电容
每个锁存器的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
11
11
3.5
42
12
11
3.5
42
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双稳态透明锁存器
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
+25
40
to+85
40
to+125
马克斯。
165
33
28
180
36
31
180
36
31
190
38
32
110
22
19
120
24
20
90
18
15
3
3
3
ns
74HC/HCT75
测试条件
单位V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
ND到NQ
传播延迟
ND到NQ
传播延迟
LE
n-n
为NQ
传播延迟
LE
n-n
为NQ
输出转换时间
33
12
10
39
14
11
33
12
10
39
14
11
19
7
6
80
16
14
60
12
10
3
3
3
17
6
5
14
5
4
8
3
2
110
22
19
120
24
20
120
24
20
125
25
21
75
15
13
100
20
17
75
15
13
3
3
3
140
28
24
150
30
26
150
30
26
155
31
26
95
19
16
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.7
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.8
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.8
t
THL
/ t
TLH
ns
图6和图7
t
W
启用脉冲宽度
高
建立时间
第二,以LE
n-n
保持时间
第二,以LE
n-n
ns
Fig.8
t
su
ns
Fig.9
t
h
ns
Fig.9
1990年12月
5