集成电路
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT182
先行进位发生器
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
先行进位发生器
特点
提供跨一组四个ALU的进位前瞻
多级前瞻高速算术
操作上长字长度
输出能力：标准
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT182是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT182先行进位发生器接受
多达四对低电平有效进位传送的（P
0
, P
1
, P
2
,
P
3
），并通过生成（G
0
, G
1
, G
2
, G
3
）信号和一
活跃的高进位输入（C
n
） 。该器件提供
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT182
预计高电平有效执行（C
N + X
, C
N +
, C
N +
）跨越
四组二进制加法器。
在“ 182 ”也有积极低进位传送（ P）和
卡里生成其可用于进一步的（G）的输出
先行的水平。
在输出端提供的逻辑方程是：
C
N + X
= G
0
+ P
0
C
n
C
N +
= G
1
+ P
1
G
0
+ P
1
P
0
C
n
C
N +
= G
2
+ P
2
G
1
+ P
2
P
1
G
0
+ P
2
P
1
P
0
C
n
G
=
G
3
+
P
3
G
2
+
P
3
P
2
G
1
+
P
3
P
2
P
1
G
O
P
=
P
3
P
2
P
1
P
0
在“ 182 ”，也可以用二进制的ALU的在活跃使用
低电平或高电平输入操作模式。该
连接到和来自ALU的进位先行
发电机是在这两种情况下是相同的。
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
P
n
以P
C
n
任何输出
P
n
或G
n
任何输出
输入电容
每个功率耗散电容
包
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
11
17
14
3.5
50
14
21
17
3.5
50
ns
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
1990年12月
2
QQ：2880707522 复制
