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74HC3G34 ; 74HCT3G34
三重缓冲门
牧师05 - 2009年5月7日
产品数据表
1.概述
该74HC3G34 ; 74HCT3G34是高速硅栅CMOS器件。他们提供了三种
缓冲门。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC3G34DP
74HCT3G34DP
74HC3G34DC
74HCT3G34DC
74HC3G34GD
74HCT3G34GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC3G34 ; 74HCT3G34
三重缓冲门
4.标记
表2中。
记号
标识代码
H34
T34
P34
U34
P34
U34
类型编号
74HC3G34DP
74HCT3G34DP
74HC3G34DC
74HCT3G34DC
74HC3G34GD
74HCT3G34GD
5.功能图
1
1
7
1
1A
1Y
7
3
1
5
2
3Y
3A
6
3
2A
2Y
5
6
1
2
mna744
mna745
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC3G34
74HCT3G34
74HC3G34
74HCT3G34
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aae470
1A
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
GND
2A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
001aak021
透明的顶视图
图3 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT3G34_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年5月7日
2 13
恩智浦半导体
74HC3G34 ; 74HCT3G34
三重缓冲门
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
1Y, 2Y, 3Y
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
7, 5, 2
4
8
描述
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
L
H
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
静态电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+7.0
±20
±20
±25
50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74HC_HCT3G34_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年5月7日
3 13
恩智浦半导体
74HC3G34 ; 74HCT3G34
三重缓冲门
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC3G34
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT3G34
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号
74HC3G34
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
5.2
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
每个输入引脚; V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0 ; V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
1.5
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
20
-
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
74HC_HCT3G34_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年5月7日
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恩智浦半导体
74HC3G34 ; 74HCT3G34
三重缓冲门
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。
符号
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
74HCT3G34
V
IH
V
IL
V
OH
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
I
CC
C
I
[1]
40 °C
+125
°C
民
2.0
-
最大
-
0.8
单位
典型值
[1]
1.6
1.2
最大
-
0.8
2.0
-
V
V
4.4
4.13
-
-
-
-
-
-
4.5
4.32
0
0.15
-
-
-
1.5
-
-
0.1
0.33
±1.0
10
375
-
4.4
3.7
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.4
±1.0
20
410
-
V
V
V
V
A
A
A
pF
输入漏电流
电源电流
新增供应
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A
所有典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图6 。
符号参数
74HC3G34
t
pd
传播延迟nA至纽约;看
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
NY;看
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
电容
[4]
[3]
[2]
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
最大
40 °C
+125
°C
单位
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
29
9
8
18
6
5
10
95
19
16
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
20
125
25
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT3G34_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年5月7日
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推荐型号
794318-1
75117-0218
7460719
74LVC2821ADB
71973-0321
74ABT640DB
742C163101GP
74ACT534SCQB
7142-24-1010
74S138PC
74HCT182
74LVC1T45FW4-7
7C142-25
79516-1063
74LV138D
715P27492M
74LV365PW
704L2Y1W10
70246-2601
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