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集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT7731
四核64位静态移位寄存器
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1993年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四核64位静态移位寄存器
特点
频率范围DC到100MHz 。
独立的串行数据输入
级联
在功能上兼容
HEF 4731
包括循环模式
直接移出
输出能力:标准
I
CC
类别: LSI 。
应用
数据存储
延迟线。
概述
慧聪/ HCT7731是高速
硅栅CMOS器件。他们是
符合JEDEC规定
没有标准。 7A 。
慧聪/ HCT7731四是64位
静态移位寄存器与回收
模式。每个寄存器都有独立的
数据输入端D
a
到D
d
,时钟输入CP
a
到CP
d
和数据输出Q
a
以Q
d
.
数据移向一个地方
输出,每低到高转变
的时钟脉冲。每个回收
模输入控制两个寄存器
REC
ab
对寄存器A和B
REC
cd
对寄存器C和D.当
音源输入为高电平时,该设备是
在该循环模式和数据
输出被移回进入的输入
寄存器,所以在64个时钟脉冲
一个寄存器的内容是再次在
其原始位置。这使
用户可以从任何位置分接的数据。
当REC输入为低外部
数据可以被移入。
C
I
C
PD
笔记
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
74HC/HCT7731
典型值。
符号
t
PHL
/t
PLH
f
最大
参数
传播延迟
CP
A-D
以Q
A-D
最大时钟
频率
输入电容
功耗
每个寄存器的电容
注意事项1, 2
和3
条件
HC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
15
HCT
20
ns
兆赫
pF
pF
单位
100 100
3.5
58
3.5
61
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= (C
PD
X V
CC2
架F
i
) + (C
L
+ V
CC2
架F
o
) + (I
引体向上
X V
CC
)
其中:
f
i
=以MHz的输入频率。
f
o
=以MHz为单位的输出频率。
V
CC
在五=电源电压
C
L
=以pF输出负载电容。
I
引体向上
=上拉的电流
A.
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
3.又见功耗信息。
订购信息
扩展型
74HC/HCT7731N
74HC/HCT7731D
引脚
16
16
脚位
DIL
SO16
材料
塑料
塑料
CODE
SOT38Z
SOT109A
1993年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四核64位静态移位寄存器
钉扎
符号
Q
a
以Q
d
CP
a
到CP
d
D
a
到D
d
REC
ab
, REC
cd
GND
V
CC
1, 7, 9, 15
2, 6, 10, 14
3, 5, 11, 13
4, 12
8
16
描述
数据输出
时钟输入
数据输入
循环使用使能输入
接地( 0 V )
正电源
手册, halfpage
74HC/HCT7731
Qa
Da
REC AB
Db
CP B
Qb
GND
1
2
3
4
16 VCC
15 Q D
14 CP
13 D d
7731
5
6
7
8
MBA341
12 RECcd
11 D C
10党风廉政建设
9
Qc
Fig.1引脚配置。
手册,全页宽
3大
2 CP一
4 REC AB
5分贝
6 CP B
MUX
64 - 位
静态移位
注册
Qa
1
MUX
64 - 位
静态移位
注册
QB 7
11 D C
10党风廉政建设
12 RECcd
13 D d
14 CP
MUX
64 - 位
静态移位
注册
Qc
9
MUX
64 - 位
静态移位
注册
Q D 15
MBA342
图2的功能框图。
1993年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四核64位静态移位寄存器
74HC/HCT7731
手册,全页宽
REC
D
Dn
Q
FF1
CP
D
Q
D
Q
Qn
FF2
CP
FF64
CP
MBA345
CP
到第二移位寄存器
图3的逻辑图。
功能表
输入
REC
L
H
笔记
1. L =低电平
H =高电压等级
=低到高CP的过渡
CP
产量
模式
RECYCLE
1993年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四核64位静态移位寄存器
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力:标准
I
CC
类别: LSI 。
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的。
T
AMB
(°C)
符号
参数
t
PHL
/t
PLH
传播
延迟时间CP
以Q
n
+25
典型值
50
18
15
19
7
6
19
7
6
8
3
3
22
8
7
3
1
1
8
3
3
26
78
93
最大
155
31
26
75
15
13
40
to
+85
100
20
17
75
15
13
90
18
15
30
6
5
10
2
2
4.8
24
28
最大
190
38
32
90
18
15
40
to
+125
120
24
20
90
18
15
110
22
19
35
7
6
15
3
3
4
20
23
最大
230
46
39
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
单位
74HC/HCT7731
测试条件
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.4
t
THL
/t
TLH
输出转换
时间
时钟脉冲
宽度
高或低
建立时间D
n
到CP
n
建立时间
REC
n
到CP
n
保持时间D
n
to
CP
n
保持时间REC
n
到CP
n
80
16
14
60
12
10
75
15
13
25
5
4
10
2
2
Fig.4
t
W
Fig.4
t
su
Fig.4
t
su
Fig.5
t
h
Fig.4
t
h
Fig.5
f
最大
最大时钟6
脉冲频率30
35
图4 (注1 )
1.最大功率耗散,必须遵守。见功耗信息。
1993年9月
5
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