74HC74
双D触发器与设置
和RESET
高性能硅栅CMOS
该74HC74是引出线的LS74相同。该器件的输入是
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们
与LSTTL输出兼容。
该装置由两个D触发器与个别设置，复位，
和时钟输入。在D输入端的信息被转移到
在时钟的下一个正边沿对应的Q输出
输入。 Q和Q输出都可以从每一个触发器。设置
和复位输入是异步的。
特点
14
1
http://onsemi.com
记号
图表
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC74G
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 128场效应管或32个等效门
无铅包可用
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
74
ALYW
G
G
HC74
=器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年2月，
第0版
1
出版订单号：
74HC74/D
74HC74
引脚分配
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
RESET 2
数据2
钟2
设置2
Q2
Q2
RESET 2
数据2
钟2
设置2
RESET 1
数据1
时钟1
设置1
逻辑图
1
2
3
4
13
12
11
10
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
9
8
Q2
Q2
5
6
Q1
Q1
功能表
输入
设置复位时钟数据
L
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
L
H
*两个输出将维持高位，只要置位和复位低，但输出
国家是不可预测的，如果置位和复位同步走高。
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
300
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（ SOIC和TSSOP封装）
SOIC封装
TSSOP封装
DC输出电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
最大额定值
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1，图2 ，3）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
600
500
400
单位
V
V
_C
ns
http://onsemi.com
2
74HC74
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
2.0
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
20
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±1.0
80
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
6.0
15
30
35
100
75
20
17
105
80
21
18
75
30
15
13
10
v
85_C
4.8
10
24
28
125
90
25
21
130
95
26
22
95
40
19
16
10
v
125_C
4.0
8.0
20
24
150
120
30
26
160
130
32
27
110
55
22
19
10
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q或Q
（图1和4 ）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟，设置或重置为Q或Q
（图2和4）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每触发器） *
2
F +我
CC
32
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
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3
74HC74
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
符号
t
su
参数
最小建立时间，数据时钟
（图3）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
80
35
16
14
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
60
25
12
10
60
25
12
10
1000
800
500
400
v
85_C
100
45
20
17
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
75
30
15
13
75
30
15
13
1000
800
500
400
v
125_C
120
55
24
20
3.0
3.0
3.0
3.0
8.0
8.0
8.0
8.0
90
40
18
15
90
40
18
15
1000
800
500
400
单位
ns
t
h
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
ns
t
REC
最小恢复时间，设置或复位无效到时钟
（图2）
ns
t
w
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
ns
t
w
最小脉冲宽度，设置或重置
（图2）
ns
t
r
, t
f
最大输入上升和下降时间
（图1，图2 ，3）
ns
订购信息
设备
74HC74D
74HC74DG
74HC74DR2
74HC74DR2G
74HC74DTR2
74HC74DTR2G
包
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
