飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
特点
2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A 。
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
电流驱动
±
在3.0 V 24毫安
MULTIBYTE
TM
流通标准引脚输出架构
低电感多个V
CC
和GND引脚的最小噪声
和地反弹
引脚配置
NC
NC
Y
1
GND
Y
2
Y
3
V
CC
Y
4
Y
5
Y
6
GND
Y
7
Y
8
Y
9
Y
10
Y
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
GND
NC
A
1
GND
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
GND
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
GND
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
16
A
17
GND
A
18
CP
GND
输出驱动能力50
输电线路@ 85
°C
ESD保护超过每JESD22 - A114 1500 V HBM ， A115
每JESD22 - C101 1000 V CDM
在数据输入总线保持省去了外部
上拉/下拉电阻
描述
该74ALVCHT16835是一个18位注册的驱动程序。数据流是
由低电平有效输出使能（ OE ） ，高电平有效锁存使能控制
（ LE ）和时钟输入（ CP ） 。
当LE为高电平时， A到Y数据流是透明的。当LE是
低和CP被保持在低电平或高电平时，数据被锁存;对
低到CP的A-数据被存储在所述高瞬态
锁存/ IP- FL佛罗里达州运。
当OE为低电平的输出是活动的。当OE为高电平，则
输出变为高阻关断状态。在OE的操作
输入不影响锁存器/触发器的状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态
下来， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;该
电阻的最小值是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
Y
12
GND
Y
13
Y
14
Y
15
V
CC
Y
16
Y
17
GND
Y
18
OE
LE
SH00188
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒
符号
t
PHL
/t
PLH
f
最大
C
I
C
I / O
参数
传播延迟
一到Yn ;
LE到Yn ;
CP到Yn
最大时钟频率
输入电容
输入/输出电容
透明模式
输出启用
输出禁用
时钟模式
输出启用
输出禁用
条件
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的
典型
2.3
2.7
2.2
350
4.0
8.0
13
3
22
15
单位
ns
兆赫
pF
pF
C
PD
每个缓冲区的功率耗散电容
V
I
= GND到V
CC1
pF
注意事项：
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2002年6月5日
2
853-2350 28376
飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
订购信息
套餐
56引脚塑料TSSOP （ TVSOP ） ，0.4 mm间距
温度
范围
-40至+85
°C
订货编号
74ALVCHT16835DGV
制图
数
SOT481-2
引脚说明
引脚数
1, 2, 55
3, 5, 6, 8, 9, 10, 12, 13,
14, 15, 16, 17, 19, 20,
21, 23, 24, 26
4, 11, 18, 25, 29, 32, 39,
46, 53, 56
7, 22, 35, 50
27
28
30
54, 52, 51, 49, 48, 47,
45, 44, 43, 42, 41, 40,
38, 37, 36, 34, 33, 31
符号
NC
Y
1
为Y
18
GND
V
CC
OE
LE
CP
A
1
到A
18
名称和功能
无连接
数据输出
逻辑符号
OE
接地（ 0 V ）
CP
正电源电压
输出使能输入
（低电平有效）
锁存使能输入
时钟输入
数据输入
A
1
D
LE
CP
Y
1
LE
TO THE 17其他渠道
SH00203
2002年6月5日
3
飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
推荐工作条件
符号
参数
直流电源电压2.5 V范围（最大速度
性能@ 30 pF的输出负载）
V
CC
直流电源电压3.3 V范围（最大速度
性能@ 50 pF的输出负载）
直流电源电压（对于低电压应用）
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
直流输入电压范围
DC输出电压范围
工作自由空气的温度范围内
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.3至3.0V
V
CC
= 3.0 3.6 V
条件
民
2.3
3.0
2.3
0
0
–40
0
0
最大
2.7
3.6
3.6
V
CC
V
CC
+85
20
10
V
V
°C
NS / V
V
单位
绝对最大额定值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
Θ
JA
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料薄膜中收缩（ TSSOP ）
封装的热阻抗
适用温度范围： -40 + 125
°C
高于+ 55 °C减免线性8毫瓦/ K
见注2
V
I
t0
对于控制引脚
1
对于数据
注1
V
O
= 0至V
CC
输入
1
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
条件
等级
-0.5到+4.6
-50
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
"50
-0.5到V
CC
+0.5
"50
"100
-65到+150
600
93
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
° C / W
注意：
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
2002年6月5日
5
飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
特点
2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A 。
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
电流驱动
±
在3.0 V 24毫安
MULTIBYTE
TM
流通标准引脚输出架构
低电感多个V
CC
和GND引脚的最小噪声
和地反弹
引脚配置
NC
NC
Y
1
GND
Y
2
Y
3
V
CC
Y
4
Y
5
Y
6
GND
Y
7
Y
8
Y
9
Y
10
Y
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
GND
NC
A
1
GND
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
GND
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
GND
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
16
A
17
GND
A
18
CP
GND
输出驱动能力50
输电线路@ 85
°C
ESD保护超过每JESD22 - A114 1500 V HBM ， A115
每JESD22 - C101 1000 V CDM
在数据输入总线保持省去了外部
上拉/下拉电阻
描述
该74ALVCHT16835是一个18位注册的驱动程序。数据流是
由低电平有效输出使能（ OE ） ，高电平有效锁存使能控制
（ LE ）和时钟输入（ CP ） 。
当LE为高电平时， A到Y数据流是透明的。当LE是
低和CP被保持在低电平或高电平时，数据被锁存;对
低到CP的A-数据被存储在所述高瞬态
锁存/ IP- FL佛罗里达州运。
当OE为低电平的输出是活动的。当OE为高电平，则
输出变为高阻关断状态。在OE的操作
输入不影响锁存器/触发器的状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态
下来， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;该
电阻的最小值是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
Y
12
GND
Y
13
Y
14
Y
15
V
CC
Y
16
Y
17
GND
Y
18
OE
LE
SH00188
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒
符号
t
PHL
/t
PLH
f
最大
C
I
C
I / O
参数
传播延迟
一到Yn ;
LE到Yn ;
CP到Yn
最大时钟频率
输入电容
输入/输出电容
透明模式
输出启用
输出禁用
时钟模式
输出启用
输出禁用
条件
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的
典型
2.3
2.7
2.2
350
4.0
8.0
13
3
22
15
单位
ns
兆赫
pF
pF
C
PD
每个缓冲区的功率耗散电容
V
I
= GND到V
CC1
pF
注意事项：
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2002年6月5日
2
853-2350 28376
飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
订购信息
套餐
56引脚塑料TSSOP （ TVSOP ） ，0.4 mm间距
温度
范围
-40至+85
°C
订货编号
74ALVCHT16835DGV
制图
数
SOT481-2
引脚说明
引脚数
1, 2, 55
3, 5, 6, 8, 9, 10, 12, 13,
14, 15, 16, 17, 19, 20,
21, 23, 24, 26
4, 11, 18, 25, 29, 32, 39,
46, 53, 56
7, 22, 35, 50
27
28
30
54, 52, 51, 49, 48, 47,
45, 44, 43, 42, 41, 40,
38, 37, 36, 34, 33, 31
符号
NC
Y
1
为Y
18
GND
V
CC
OE
LE
CP
A
1
到A
18
名称和功能
无连接
数据输出
逻辑符号
OE
接地（ 0 V ）
CP
正电源电压
输出使能输入
（低电平有效）
锁存使能输入
时钟输入
数据输入
A
1
D
LE
CP
Y
1
LE
TO THE 17其他渠道
SH00203
2002年6月5日
3
飞利浦半导体
产品数据
18位注册的驱动程序（三态）
74ALVCHT16835
推荐工作条件
符号
参数
直流电源电压2.5 V范围（最大速度
性能@ 30 pF的输出负载）
V
CC
直流电源电压3.3 V范围（最大速度
性能@ 50 pF的输出负载）
直流电源电压（对于低电压应用）
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
直流输入电压范围
DC输出电压范围
工作自由空气的温度范围内
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.3至3.0V
V
CC
= 3.0 3.6 V
条件
民
2.3
3.0
2.3
0
0
–40
0
0
最大
2.7
3.6
3.6
V
CC
V
CC
+85
20
10
V
V
°C
NS / V
V
单位
绝对最大额定值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
Θ
JA
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料薄膜中收缩（ TSSOP ）
封装的热阻抗
适用温度范围： -40 + 125
°C
高于+ 55 °C减免线性8毫瓦/ K
见注2
V
I
t0
对于控制引脚
1
对于数据
注1
V
O
= 0至V
CC
输入
1
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
条件
等级
-0.5到+4.6
-50
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
"50
-0.5到V
CC
+0.5
"50
"100
-65到+150
600
93
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
° C / W
注意：
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
2002年6月5日
5
QQ：2880707522 复制
