集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT367
六角缓冲器/线路驱动器;三态
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角缓冲器/线路驱动器;三态
特点
非反相输出
输出能力:公交车司机
I
CC
类别: MSI
概述
该74HC / HCT367是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
( LSTTL ) 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT367
该74HC / HCT367是十六进制非反相缓冲器/线路
司机与3态输出。三态输出(纽约州)的
由输出使能控制输入( 10E, 2OE ) 。
在NOE A HIGH导致输出呈高
阻抗OFF状态。
的“ 367 ”是相同的“ 368 ”,但具有非反相
输出。
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
8
3.5
30
HCT
11
3.5
32
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角缓冲器/线路驱动器;三态
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力:公交车司机
I
CC
类别: MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
+25
40
to
+85
40
to
+125
马克斯。
145
29
25
225
45
38
225
45
38
90
18
15
ns
74HC/HCT367
测试条件
单位V
波形
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.6
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
nA至纽约
三态输出使能时间
NOE到纽约
三态输出禁止时间
NOE到纽约
输出转换时间
28
10
8
44
16
13
55
20
16
14
5
4
95
19
16
150
30
26
150
30
26
60
12
10
120
24
20
190
38
33
190
38
33
75
15
13
t
PZH
/ t
PZL
ns
Fig.7
t
PHZ
/ t
PLZ
ns
Fig.7
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
1990年12月
5