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集成电路
数据表
74HC1G125 ; 74HCT1G125
总线缓冲器/线路驱动器;三态
产品speci fi cation
取代2002年5月17日的数据
2004年7月27日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G125 ; 74HCT1G125
描述
该74HC1G / HCT1G125是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为高电平时
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT125.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC1G的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
L
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2004年7月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
订购信息
74HC1G125 ; 74HCT1G125
包
类型编号
74HC1G125GW
74HCT1G125GW
74HC1G125GV
74HCT1G125GV
钉扎
针
1
2
3
4
5
OE
A
GND
Y
V
CC
符号
输出使能输入
数据输入A
接地（ 0 V ）
数据输出Y.
电源电压
描述
温度
范围
40
+125
°C
40
+125
°C
40
+125
°C
40
+125
°C
引脚
5
5
5
5
包
SC-88A
SC-88A
SC-74A
SC-74A
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT353
SOT353
SOT753
SOT753
记号
HM
TM
H25
T25
手册， halfpage
OE 1
A 2
GND
3
MNA117
5 VCC
手册， halfpage
2
A
Y
4
125
1
4
Y
MNA118
OE
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册， halfpage
2
4
1
OE
MNA119
手册， halfpage
A
Y
OE
MNA120
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
2004年7月27日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G125 ; 74HCT1G125
74HC1G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT1G125
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±12.5
±25
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2004年7月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
DC特性
74HC1G125 ; 74HCT1G125
家庭74HC1G
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高电平输入电压
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
V
IL
低电平输入电压
2.0
4.5
6.0
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
20 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
20 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
20 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
2.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
2.6
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 20
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 20
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 20
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 2.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 2.6毫安
I
LI
I
OZ
I
CC
记
1.所有典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
输入漏电流
三态输出电流
关闭状态
静态电源
当前
V
I
= V
CC
或GND
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
分钟。
1.5
3.15
4.2
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
T
AMB
(°C)
40
+85
典型值。
(1)
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
0
0
0
0.15
0.16
马克斯。
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.0
5
10
40
+125
分钟。
1.5
3.15
4.2
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
马克斯。
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.0
10
20
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
单位
V
I
= V
IH
或V
IL
;
6.0
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ; 6
I
O
= 0
2004年7月27日
5
查看更多74HC1G125GWPDF信息
推荐型号
74AHCT245PW
74HC367D
7B27-K-22-2
753163154JPTR13
744065121
74HC192D
74HCT365D
741X083151JP
74ALVTHR16245VRE4
7070-25-LDX
7448PC
744032471
7091-31-DB2-A1
7111S1615A01
74LVQ241T
74ACT11245NSRG4
7855ES
74LVCH322245A
74HCT4046AD-T
7440520039
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