74HC2G32 ; 74HCT2G32
双路2输入或门
牧师03 - 2009年5月12日
产品数据表
1.概述
该74HC2G32和74HCT2G32是高速硅栅CMOS器件。它们提供
两个2输入或门。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC2G32DP
74HCT2G32DP
74HC2G32DC
74HCT2G32DC
74HC2G32GD
74HCT2G32GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC2G32 ; 74HCT2G32
双路2输入或门
4.标记
表2中。
标识代码
标识代码
H32
T32
H32
T32
H32
T32
类型编号
74HC2G32DP
74HCT2G32DP
74HC2G32DC
74HCT2G32DC
74HC2G32GD
74HCT2G32GD
5.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
B
2Y
3
5
6
A
mna733
mna734
mna166
≥
1
7
≥
1
3
Y
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC2G32
74HCT2G32
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
74HC2G32
74HCT2G32
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aak024
1B
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
2Y
GND
001aak025
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT2G32_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月12日
2 13
恩智浦半导体
74HC2G32 ; 74HCT2G32
双路2输入或门
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
D
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
动态功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
最大
+7.0
±20
±20
25
50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74HC_HCT2G32_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月12日
3 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G32 ; 74HCT2G32
该74HC2G / HCT2G32是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G32提供了双2输入或
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G32 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G32 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G32
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G32
13
1.5
11
ns
pF
pF
单位
2003年10月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
推荐工作条件
74HC2G32
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G32 ; 74HCT2G32
74HCT2G32
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年10月30
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G32 ; 74HCT2G32
该74HC2G / HCT2G32是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G32提供了双2输入或
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G32 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G32 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G32
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G32
13
1.5
11
ns
pF
pF
单位
2003年10月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或门
推荐工作条件
74HC2G32
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G32 ; 74HCT2G32
74HCT2G32
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年10月30
5
QQ：2881677436 复制
