74F1056 8位肖特基势垒二极管阵列
1993年12月
修订后的1999年8月
74F1056
8位肖特基势垒二极管阵列
概述
该74F1056是一个8位的肖特基势垒二极管阵列
设计是用作终端上的投入
内存总线或时钟线。本设备被设计
为了抑制由线反射负瞬态
开关噪声和串扰。
特点
s
8位阵列结构设计为抑制负
瞬变
s
保证ESD保护（ HBM ）超过4千伏
s
由八个二极管共同的阳极
s
宽边的引脚排列，便于总线路由
订购代码：
订单号
74F1056SC
包装数
M16A
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150窄
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
原理图
1999仙童半导体公司
DS011655
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74F1056
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
工作自由空气的温度
稳态反向电压， （V
R
)
连续总功耗等于或低于
25℃自由空气的温度， （P
D
)
连续正向电流（I
f
)
任何输出引脚与GND
总通过所有GND引脚
重复峰值正向电流， LFP （注2 ）
任何输出引脚与GND
总通过所有GND引脚
静电放电（ HBM）的
300毫安
1.2A
4千伏
50毫安
170毫安
注1 ：
绝对最大额定值的价值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下，是不是暗示。
注2 ：
这些值适用于T
w
≤
100
s,
占空比
≤
20%.
65°C
to
+150°C
0 ° C至70℃
7.0V
750毫瓦
DC电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，除非另有说明
单个二极管工作原理
（注3）
符号
V
BR
I
R
V
F
C
T
参数
反向击穿电压
静态反向电流
静态正向电压
总电容
0.65
0.8
5
4
注3 ：
这些测试适用于分离二极管操作，而不是根据试验二极管是开路。
民
7.0
典型值
最大
单位
V
I
R
=
10
A
V
R
=
7V
I
F
= 16
mA
I
F
= 50
mA
pF
A
V
条件
10
0.85
1.0
10
8
V
I
=
0V ，女
=
1兆赫
V
I
=
2V ，女
=
1兆赫
多二极管工作原理
符号
I
CR
参数
内部串扰电流
民
典型值
0.2
最大
2
单位
mA
条件
总接地电流
=
1.2A （注4 ）
注4 ：
I
CR
在以下条件下进行测量：
开关二极管：吨
W
=
100
s;
静态二极管： V
IN
=
6V
占空比
=
20%, I
f
=
200毫安
一个二极管静态的，所有其他开关
静态二极管输入电流是内部串扰电流I
CR
.
AC电气特性
T
A
=
25°C
符号
V
FR
T
RR
参数
正向恢复电压
反向恢复时间
民
典型值
1.25
5.0
最大
单位
V
ns
条件
I
F
=
300毫安
I
F
=
10毫安，我
R
=
1毫安
R
L
=
100
科幻gure
数
图1
图2
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2
74F1056 8位肖特基势垒二极管阵列
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150窄
包装数M16A
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在标签规定的使用说明，可说明原因
sonably预计将造成显著伤害
用户。
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4
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可说明原因
sonably预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
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