74AVC4T245
4位双电源转换收发器CON连接的可配置
电压转换;三态
启示录01 - 2009年7月20日
产品数据表
1.概述
该74AVC4T245是一个4位双电源收发器,支持双向电平
翻译。该装置可被用作两个2位收发器或作为一个4位的收发器。它
特点2数据输入输出端口( NAN和NBN ) ,方向控制输入( NDIR ) ,一
输出使能输入( NOE )和双电源引脚(V
CC ( A)
和V
CC ( B)
) 。双方V
CC ( A)
和
V
CC ( B)
可以在任何电压下提供0.8 V和3.6 V之间使器件非常适合
对于任何的低电压节点( 0.8伏, 1.2伏, 1.5伏, 1.8伏, 2.5伏和之间的转换
3.3 V ) 。销楠, NOE和NDIR都参考V
CC ( A)
和销NBN是参照
V
CC ( B)
。在NDIR一个HIGH允许来自南传输到NBN和低电平NDIR允许
传输距离NBN为NaN 。输出使能输入( NOE )可以用于禁用
所以巴士输出有效隔离。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,防止任何损害回来溢流电流通过
设备时,电源断开。在暂停时,无论模式v
CC ( A)
或V
CC ( B)
处于
GND层面,南与NBN处于高阻关断状态。
2.特点
I
宽电源电压范围:
N
V
CC ( A)
: 0.8 V至3.6 V
N
V
CC ( B)
: 0.8 V至3.6 V
I
符合JEDEC标准:
N
JESD8-12 ( 0.8 V至1.3 V)
N
JESD8-11 ( 0.9 V至1.65 V )
N
JESD8-7 ( 1.2 V至1.95 V)
N
JESD8-5 ( 1.8 V至2.7 V )
N
JESD8 -B ( 2.7 V至3.6 V )
I
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E 3B类超过8000 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
最大数据传输率:
N
380兆比特/秒( ≥ 1.8 V至3.3 V的翻译)
N
200兆比特/秒( ≥ 1.1 V至3.3 V的翻译)
N
200兆比特/秒( ≥ 1.1 V至2.5 V的翻译)
N
200兆比特/秒( ≥ 1.1 V至1.8 V的翻译)
N
150兆比特/秒( ≥ 1.1 V至1.5 V的翻译)
恩智浦半导体
74AVC4T245
4位双电源转换收发器;三态
I
I
I
I
I
I
N
100兆比特/秒( 1.1 V至1.2 V的翻译)
挂起模式
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
输入接收电压高达3.6 V
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AVC4T245D
40 °C
+125
°C
SO16
TSSOP16
描述
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT109-1
SOT403-1
SOT763-1
类型编号
74AVC4T245PW
40 °C
+125
°C
74AVC4T245BQ
40 °C
+125
°C
DHVQFN16塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
×
3.5
×
0.85 mm
4.功能图
13
1B1
V
CC ( A)
V
CC ( B)
12
1B2
11
2B1
10
2B2
15
1OE
2OE
14
2
1DIR
2DIR
3
1A1
4
5
1A2
6
2A1
7
2A2
001aak280
图1 。
逻辑符号
74AVC4T245_1
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74AVC4T245
4位双电源转换收发器;三态
DIR
OE
A1
B1
A2
B2
V
CC ( A)
V
CC ( B)
001aak281
图2 。
逻辑图( 1个2位收发器)
5.管脚信息
5.1钢钉
74AVC4T245
V
CC ( A)
1DIR
2DIR
1A1
1A2
2A1
2A2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aak283
16 V
CC ( B)
15图10E
14 2OE
13 1B1
12 1B2
11 2B1
10 2B2
9
GND
图3.引脚CON组fi guration SOT109-1 ( SO16 )
74AVC4T245_1
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恩智浦半导体
74AVC4T245
4位双电源转换收发器;三态
74AVC4T245
V
CC ( A)
2
3
4
5
6
7
8
GND
GND
9
GND
(1)
1
1号航站楼
索引区
16 V
CC ( B)
15图10E
14 2OE
13 1B1
12 1B2
11 2B1
10 2B2
74AVC4T245
V
CC ( A)
1DIR
2DIR
1A1
1A2
2A1
2A2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aak282
1DIR
16 V
CC ( B)
15图10E
14 2OE
13 1B1
12 1B2
11 2B1
10 2B2
9
GND
2DIR
1A1
1A2
2A1
2A2
001aak284
透明的顶视图
(1)模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SOT403-1 ( TSSOP16 )
图5.引脚CON组fi guration SOT763-1 ( DHVQFN16 )
5.2引脚说明
表2中。
符号
V
CC ( A)
1DIR , 2DIR
1A1, 1A2
2A1, 2A2
GND
[1]
2B2, 2B1
1B2, 1B1
2OE ,图10E
V
CC ( B)
[1]
引脚说明
针
1
2, 3
4, 5
6, 7
8, 9
10, 11
12, 13
14, 15
16
描述
电源电压( NAN , NOE和NDIR输入参考V
CC ( A)
)
方向控制
数据的输入或输出
数据的输入或输出
接地( 0 V )
数据的输入或输出
数据的输入或输出
输出使能输入(低电平有效)
电源电压B( NBN输入参考V
CC ( B)
)
所有GND引脚必须接地( 0 V ) 。
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6.功能描述
表3中。
功能表
[1]
输入
诺埃
[2]
L
L
H
X
NDIR
[2]
L
H
X
X
输入/输出
[3]
为NaN
[2]
NAN = NBN
输入
Z
Z
NBN
[2]
输入
NBN =楠
Z
Z
电源电压
V
CC ( A)
, V
CC ( B)
0.8 V至3.6 V
0.8 V至3.6 V
0.8 V至3.6 V
GND
[3]
[1]
[2]
[3]
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
陈楠, NDIR和NOE输入电路参考V
CC ( A)
;该NBN输入电路参考V
CC ( B)
.
若V中的至少一个
CC ( A)
或V
CC ( B)
为GND电平,器件进入挂起模式。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC ( A)
V
CC ( B)
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
电源电压
电源电压B
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+4.6
+4.6
-
+4.6
-
V
CCO
+ 0.5
+4.6
±50
100
-
+150
500
单位
V
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ; 0 V
[1]
50
0.5
50
[1][2][3]
[1]
[2]
V
O
& LT ; 0 V
主动模式
暂停或三态模式
V
O
= 0 V到V
CCO
I
CC ( A)
还是我
CC ( B)
0.5
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[4]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小输入电压的额定值和输出电压额定值可能被超过。
V
CCO
是与所述输出端口相关联的电源电压。
V
CCO
+ 0.5 V应不超过4.6 V.
对于SO16封装: 70以上
°C
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP16封装: 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN16包: 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
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