74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
牧师02 - 2004年10月18日
产品数据表
1.概述
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08提供两个2输入与门。
2.特点
s
对称的输出阻抗
s
高噪声抗扰度
s
ESD保护：
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM EIA / JESD22- C101超过1000 V.
s
低功耗
s
平衡传输延迟
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+80
°C
从
40 °C
+125
°C.
3.快速参考数据
表1：
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
℃;吨
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
符号
t
PHL
, t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
A和B为Y
输入电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1兆赫
[1] [2]
条件
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
民
-
-
-
典型值
3.2
1.5
17
最大
5.9
10
-
单位
ns
pF
pF
类型74AHC2G08
飞利浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
6.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
5
6
mna724
mna725
＆放大器;
7
2Y
3
＆放大器;
3
图1.逻辑符号。
图2. IEC逻辑符号。
A
Y
B
mna221
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
7.管脚信息
7.1钢钉
08
1A
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aab564
1
8
V
CC
8
7
V
CC
1Y
2B
2A
1B
2
7
1Y
08
6
5
2Y
3
6
2B
GND
4
5
2A
001aab565
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8.
图5.引脚CON组fi guration XSON8 。
9397 750 13735
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
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飞利浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
7.2引脚说明
表4：
符号
1A
1B
2Y
GND
2A
2B
1Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
8.功能描述
8.1功能表
表5：
输入
nA
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
L
L
H
9.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考
GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
9397 750 13735
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管
当前
输出源或
灌电流
V
CC
或GND电流
存储
温度
功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或
V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ GT ;
0.5
V和
V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
-
-
-
-
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
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双路2输入与门
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产品数据表
1.概述
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08提供两个2输入与门。
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC2G08DP
74AHCT2G08DP
74AHC2G08DC
74AHCT2G08DC
74AHC2G08GD
74AHCT2G08GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
VERSION
塑料薄小外形封装; 8线索;身体SOT505-2
宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
类型编号
恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC2G08
74AHCT2G08
74AHC2G08
74AHCT2G08
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aaj389
1A
1B
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
GND
2Y
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
001aaj390
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
L
L
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
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8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
74AHC2G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT2G08
民
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
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产品数据表
1.概述
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08提供两个2输入与门。
2.特点
s
对称的输出阻抗
s
高噪声抗扰度
s
ESD保护：
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM EIA / JESD22- C101超过1000 V.
s
低功耗
s
平衡传输延迟
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+80
°C
从
40 °C
+125
°C.
3.快速参考数据
表1：
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
℃;吨
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
符号
t
PHL
, t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
A和B为Y
输入电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1兆赫
[1] [2]
条件
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
民
-
-
-
典型值
3.2
1.5
17
最大
5.9
10
-
单位
ns
pF
pF
类型74AHC2G08
飞利浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
6.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
5
6
mna724
mna725
＆放大器;
7
2Y
3
＆放大器;
3
图1.逻辑符号。
图2. IEC逻辑符号。
A
Y
B
mna221
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
7.管脚信息
7.1钢钉
08
1A
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aab564
1
8
V
CC
8
7
V
CC
1Y
2B
2A
1B
2
7
1Y
08
6
5
2Y
3
6
2B
GND
4
5
2A
001aab565
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8.
图5.引脚CON组fi guration XSON8 。
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双路2输入与门
7.2引脚说明
表4：
符号
1A
1B
2Y
GND
2A
2B
1Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
8.功能描述
8.1功能表
表5：
输入
nA
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
L
L
H
9.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考
GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
9397 750 13735
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管
当前
输出源或
灌电流
V
CC
或GND电流
存储
温度
功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或
V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ GT ;
0.5
V和
V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
-
-
-
-
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
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