74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
牧师03 - 2008年1月9日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G373提供单一的D型透明锁存器具有三态输出。而
的锁存使能（ LE）的输入为高时， Q输出如下的数据（D）输入端。当引脚LE是
低电平时，锁存器存储，这是出现在D输入端一个建立时间的信息
前面的LE引脚为高电平到低电平的过渡。当OE引脚为低电平，内容
闩锁可在（Q）的输出。当OE引脚为高电平时，输出去的
高阻关断状态。输入引脚OE操作不会影响到状态
锁存器。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
x
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
x
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E 3A级超过5000 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
（最大）
s
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
s
输入接收电压高达3.6 V
s
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
s
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G373
74AUP1G373
LE
GND
1
2
6
5
OE
GND
V
CC
D
D
3
001aae250
LE
1
6
OE
LE
GND
74AUP1G373
1
2
3
6
5
4
OE
V
CC
Q
2
5
V
CC
3
4
Q
D
4
Q
001aae251
001aae252
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
(SC-88)
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
LE
GND
D
Q
V
CC
OE
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
锁存使能输入（高电平有效）
接地（ 0 V ）
数据输入
锁存输出
电源电压
输出使能输入（低电平有效）
7.功能描述
表4 。
功能表
[1]
输入
OE
启用和读取寄存器（透明
模式）
锁存器和寄存器读
锁存器和输出禁用
[1]
操作模式
内部锁存
LE
H
H
L
L
X
D
L
H
l
h
X
L
H
L
H
X
产量
Q
L
H
L
H
Z
L
L
L
L
H
H =高电压电平;
H =高电平电压电平1设定时间之前的高到低的LE的过渡;
L =低电压电平;
L =低电压一级建立时间之前HIGH到LOW LE过渡;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
74AUP1G373_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月9日
3 22
恩智浦半导体
74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
±50
+4.6
±20
50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式和掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SC- 88封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
0.8
0
0
0
40
-
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
74AUP1G373_3
条件
民
典型值
最大
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
V
V
4 22
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低功耗D型透明锁存器;三态
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产品数据表
1.概述
该74AUP1G373提供单一的D型透明锁存器具有三态输出。而
的锁存使能（ LE）的输入为高时， Q输出如下的数据（D）输入端。当引脚LE是
低电平时，锁存器存储，这是出现在D输入端一个建立时间的信息
前面的LE引脚为高电平到低电平的过渡。当OE引脚为低电平，内容
闩锁可在（Q）的输出。当OE引脚为高电平时，输出去的
高阻关断状态。输入引脚OE操作不会影响到状态
锁存器。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
x
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
x
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E 3A级超过5000 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
（最大）
s
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
s
输入接收电压高达3.6 V
s
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
s
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G373
74AUP1G373
LE
GND
1
2
6
5
OE
GND
V
CC
D
D
3
001aae250
LE
1
6
OE
LE
GND
74AUP1G373
1
2
3
6
5
4
OE
V
CC
Q
2
5
V
CC
3
4
Q
D
4
Q
001aae251
001aae252
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
(SC-88)
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
LE
GND
D
Q
V
CC
OE
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
锁存使能输入（高电平有效）
接地（ 0 V ）
数据输入
锁存输出
电源电压
输出使能输入（低电平有效）
7.功能描述
表4 。
功能表
[1]
输入
OE
启用和读取寄存器（透明
模式）
锁存器和寄存器读
锁存器和输出禁用
[1]
操作模式
内部锁存
LE
H
H
L
L
X
D
L
H
l
h
X
L
H
L
H
X
产量
Q
L
H
L
H
Z
L
L
L
L
H
H =高电压电平;
H =高电平电压电平1设定时间之前的高到低的LE的过渡;
L =低电压电平;
L =低电压一级建立时间之前HIGH到LOW LE过渡;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
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NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
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低功耗D型透明锁存器;三态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
±50
+4.6
±20
50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式和掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SC- 88封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
0.8
0
0
0
40
-
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
74AUP1G373_3
条件
民
典型值
最大
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
V
V
4 22
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月9日
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低功耗D型透明锁存器;三态
牧师03 - 2008年1月9日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G373提供单一的D型透明锁存器具有三态输出。而
的锁存使能（ LE）的输入为高时， Q输出如下的数据（D）输入端。当引脚LE是
低电平时，锁存器存储，这是出现在D输入端一个建立时间的信息
前面的LE引脚为高电平到低电平的过渡。当OE引脚为低电平，内容
闩锁可在（Q）的输出。当OE引脚为高电平时，输出去的
高阻关断状态。输入引脚OE操作不会影响到状态
锁存器。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
x
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
x
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E 3A级超过5000 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
（最大）
s
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
s
输入接收电压高达3.6 V
s
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
s
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G373
74AUP1G373
LE
GND
1
2
6
5
OE
GND
V
CC
D
D
3
001aae250
LE
1
6
OE
LE
GND
74AUP1G373
1
2
3
6
5
4
OE
V
CC
Q
2
5
V
CC
3
4
Q
D
4
Q
001aae251
001aae252
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
(SC-88)
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
LE
GND
D
Q
V
CC
OE
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
锁存使能输入（高电平有效）
接地（ 0 V ）
数据输入
锁存输出
电源电压
输出使能输入（低电平有效）
7.功能描述
表4 。
功能表
[1]
输入
OE
启用和读取寄存器（透明
模式）
锁存器和寄存器读
锁存器和输出禁用
[1]
操作模式
内部锁存
LE
H
H
L
L
X
D
L
H
l
h
X
L
H
L
H
X
产量
Q
L
H
L
H
Z
L
L
L
L
H
H =高电压电平;
H =高电平电压电平1设定时间之前的高到低的LE的过渡;
L =低电压电平;
L =低电压一级建立时间之前HIGH到LOW LE过渡;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
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NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月9日
3 22
恩智浦半导体
74AUP1G373
低功耗D型透明锁存器;三态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
±50
+4.6
±20
50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式和掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SC- 88封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
0.8
0
0
0
40
-
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
74AUP1G373_3
条件
民
典型值
最大
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
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牧师03 - 2008年1月9日
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