飞利浦半导体
产品speci fi cation
10位D型触发器;正边沿触发
(3-State)
74ABT821
特点
倒装FL OPS
用正边沿触发的D型高速并行寄存器
理想的地方高速，轻载或无风扇增加的
输出能力： + 64毫安/ -32mA
闭锁保护超过每JEDEC标准17 500毫安
ESD保护超过每MIL STD 883方法3015 2000伏
开机三态
上电复位
描述
该74ABT821高性能BiCMOS器件结合了低
静态和动态功耗，高速和高
输出驱动器。
该74ABT821总线接口注册的目的是消除
需要额外的软件包，以现有的缓冲寄存器和提供
每机型号200 V
与MOS微处理器所需
额外的数据宽度为公交车承载的更广泛的数据/地址路径
奇偶校验。
该74ABT821是的缓冲10 -bit宽版
74ABT374 / 74ABT534功能。
该74ABT821是一个10位，边沿触发的寄存器耦合到十
三态输出缓冲器。该装置的两部分被控制
独立地由时钟（CP）和输出使能（ OE）的控制
城门。
该寄存器被完全边沿触发。每个D输入的状态， 1
建立时间之前，由低到高时钟转变被转移到
相应的触发器的Q输出端。
3态输出缓冲器设计用于驱动重仓
三态总线， MOS存储器，或MOS微处理器。
低电平有效输出使能（ OE ）控制所有10三态缓冲器
独立的寄存器操作。当OE为低电平时，在数据
寄存器出现在输出端。当OE为高电平时，输出
在高阻抗“关闭”状态，这意味着他们将没有驱动
也装载车。
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
OUT
I
CCZ
参数
传播延迟
CP到Qn
输入电容
输出电容
总电源电流
条件
T
AMB
= 25°C ; GND = 0V
C
L
= 50pF的; V
CC
= 5V
V
I
= 0V或V
CC
输出禁用; V
O
= 0V或V
CC
输出禁用; V
CC
=5.5V
典型
4.6
4
7
500
单位
ns
pF
pF
nA
订购信息
套餐
24引脚塑料DIP
24引脚塑料SO
24引脚塑封SSOP II型
24引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74ABT821
74ABT821
74ABT821 DB
74ABT821 PW
北美
74ABT821
74ABT821
74ABT821 DB
74ABT821PW DH
DWG号
SOT222-1
SOT137-1
SOT340-1
SOT355-1
引脚配置
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
顶视图
7
8
9
18
17
16
15
14
13
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
CP
24
23
22
21
20
19
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
引脚说明
引脚数
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9, 10, 11
23, 22, 21, 20, 19,
18, 17, 16, 15, 14
13
10
20
符号
OE
D0-D9
Q0-Q9
CP
GND
V
CC
功能
输出使能输入
（低电平有效）
数据输入
数据输出
时钟脉冲输入（主动
上升沿）
地（ 0V ）
正电源电压
D8 10
D9 11
GND 12
SA00223
1995年9月6日
1
853-1616 15703
飞利浦半导体
产品speci fi cation
10位D型触发器;正边沿触发
(3-State)
74ABT821
逻辑符号
逻辑符号（ IEEE / IEC ）
1
13
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
2
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9
13
1
CP
OE
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 Q9
3
4
5
6
7
8
23 22 21 20 19 18 17 16 15 14
9
10
11
EN
C2
2D
1
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
SA00224
SA00225
功能表
输入
OE
L
L
L
CP
↑
↑
↑
Dn
l
h
X
国内
注册
L
H
NC
输出
Q0 – Q9
L
H
NC
Z
Z
加载和读取寄存器
HOLD
禁止输出，
NC =
X =
Z =
↑
=
↑
=
没有变化
不在乎
高阻抗“关闭”状态
从低到高时钟跳变
不是低到高时钟跳变
经营模式
H
↑
X
NC
↑
H
Dn
Dn
H =高电压等级
H =高电平电压电平1设定时间
先于低到高时钟转变
L =低电压等级
升=低电压电平的一个建立时间
先于低到高时钟转变
逻辑图
D0
2
D1
3
D2
4
D3
5
D4
6
D5
7
D6
8
D7
9
D8
10
D9
11
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
13
CP
1
OE
23
Q0
22
Q1
21
Q2
20
Q3
19
Q4
18
Q5
17
Q6
16
Q7
15
Q8
14
Q9
SA00226
1995年9月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
10位D型触发器;正边沿触发
(3-State)
74ABT821
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
OUT
I
OUT
T
英镑
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
DC输出二极管电流
直流输出电压
3
直流输出电流
存储温度范围
V
O
＆ LT ; 0
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
＆ LT ; 0
条件
等级
-0.5到+7.0
–18
-1.2到+7.0
–50
-0.5到+5.5
128
-65到150
单位
V
mA
V
mA
V
mA
°C
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
符号
参数
民
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
直流电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度范围内
0
–40
4.5
0
2.0
0.8
–32
64
10
+85
范围
最大
5.5
V
CC
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
单位
1995年9月6日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
10位D型触发器;正边沿触发
(3-State)
74ABT821
DC电气特性
范围
符号
参数
测试条件
T
AMB
= +25°C
民
V
IK
输入钳位电压
V
CC
= 4.5V ;我
IK
= -18mA
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
OH
高电平输出电压
V
CC
= 5.0V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -32mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
OL
V
RST
I
I
I
关闭
I
PU
/I
PD
I
OZH
I
OZL
I
CEX
I
O
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CC
每个额外的电源电流
输入引脚
2
静态电源电流
低电平输出电压
电输出低电平
电压
3
输入漏电流
关机漏电流
上电/下三态
输出电流
4
三态输出大电流
三态输出低电平电流
输出高泄漏电流
输出电流
1
V
CC
= 4.5V ;我
OL
= 64毫安; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V ;我
O
= 1毫安; V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V; V
I
= GND或5.5V
V
CC
= 0.0V; V
O
或V
I
≤
4.5V
V
CC
= 2.0V; V
O
= 0.5V; V
I
= GND或V
CC
;
V
OE
= V
CC
V
CC
= 5.5V; V
O
= 2.7V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 0.5V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 5.5V; V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V; V
O
= 2.5V
V
CC
= 5.5V ;输出高电平，V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出低电平，V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出三态;
V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;一个输入在3.4V ，
其他输入在V
CC
或GND
–50
2.5
3.0
2.0
典型值
–0.9
2.9
3.4
2.4
0.42
0.13
±0.01
±5.0
±5.0
5.0
–5.0
5.0
–100
0.5
25
0.5
0.5
0.55
0.55
±1.0
±100
±50
50
–50
50
–180
250
38
250
1.5
–50
最大
–1.2
2.5
3.0
2.0
0.55
0.55
±1.0
±100
±50
50
–50
50
–180
250
38
250
1.5
T
AMB
= –40°C
至+ 85°C
民
最大
–1.2
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
A
mA
A
mA
单位
注意事项：
1.不超过一个输出应在同一时间进行测试，并在测试的持续时间应不超过一秒钟。
2.这是增加的电源电流为每个输入在3.4V 。
3.对于有效的测试结果，数据不能被装入触发器（或锁存器）施加电源之后。
4.此参数是有效的任何V
CC
之间0V和2.1V以高达10毫秒的过渡时间。对于V
CC
= 2.1V至V
CC
= 5V
＆ QUOT ;
10%, a
高达100微秒的转换时间是允许的。
AC特性
GND = 0V ，T
R
= t
F
=为2.5ns ，C
L
= 50pF的，R
L
=
500
范围
符号
参数
波形
民
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
最大时钟频率
传播延迟
CP到Qn
输出使能时间
高低级别
输出禁止时间
从高电平和低电平
1
1
3
4
3
4
125
2.1
2.8
1.0
2.2
2.7
2.8
T
AMB
= +25
o
C
V
CC
= +5.0V
典型值
185
4.1
4.6
3.0
4.1
4.7
4.6
5.6
6.2
4.5
5.6
6.2
6.1
最大
T
AMB
= -40
+85
o
C
V
CC
= +5.0V
±0.5V
典型值
125
2.1
2.8
1.0
2.2
2.7
2.8
6.2
6.7
5.3
6.3
6.7
6.5
最大
ns
ns
ns
ns
单位
1995年9月6日
4
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
版本03 - 2010年2月25日
产品数据表
1.概述
该74ABT821高性能BiCMOS器件结合了低的静态和动态
功耗与高速度，高输出驱动。
该74ABT821总线接口寄存器的目的是消除所需的额外软件包
缓冲寄存器现有的和更广泛的数据/地址路径，提供额外的数据宽度
巴士载校验。
该74ABT821是74ABT374A的缓冲10位宽的版本。
该74ABT821耦合到10三态输出缓冲器10位，沿触发寄存器。
该装置由时钟（CP）和输出使能（OE ）控制栅极的控制。
该寄存器被完全边沿触发。每个D输入端的状态，一个建立时间之前的
低到高的时钟转变被转移到佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算的相应输出Q 。
3态输出缓冲器设计用于驱动重仓三态总线， MOS
回忆，或MOS微处理器。
该低电平有效输出使能（ OE ）控制所有10三态缓冲器独立于
注册操作。当OE是低电平，在寄存器中的数据出现在输出端。
当OE为高电平时，输出为高阻关断状态，这意味着它们将
无论开车，也没有装载车。
2.特点和好处科幻TS
I
高速与正沿平行寄存器触发的D - FL型IP- FL OPS
I
理想的地方高速，轻载或无风扇增加，需要与MOS
微处理器
I
输出能力： 64毫安和
32
mA
I
上电三态
I
上电复位
I
闭锁保护超过每JESD78B II类A级500毫安
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114F超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
恩智浦半导体
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74ABT821D
74ABT821DB
74ABT821PW
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
SO24
SSOP24
TSSOP24
描述
塑料小外形封装; 24线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 24线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 24线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT137-1
SOT340-1
SOT355-1
类型编号
4.功能图
1
13
EN
C2
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
001aac735
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
2
3
2D
1
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9
13
1
CP
OE
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 Q9
23 22 21 20 19 18 17 16 15 14
001aac734
4
5
6
7
8
9
10
11
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
D0
2
D1
3
D2
4
D3
5
D4
6
D5
7
D6
8
D7
9
D8
10
D9
11
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
CP Q
CP
13
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
OE
1
23
Q0
22
Q1
21
Q2
20
Q3
19
Q4
18
Q5
17
Q6
16
Q7
15
Q8
14
Q9
001aac736
图3.逻辑图
74ABT821_3
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本03 - 2010年2月25日
2 16
恩智浦半导体
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
5.管脚信息
5.1钢钉
74ABT821
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
CC
23 Q0
22 Q1
21 Q2
20 Q3
19 Q4
18 Q5
17 Q6
16 Q7
15 Q8
14 Q9
13 CP
001aac733
D8 10
D9 11
GND 12
图4.引脚CON组fi guration
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE
D0到D9
GND
CP
Q0至Q9
V
CC
引脚说明
针
1
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
12
13
23, 22, 21, 20, 19, 18, 17, 16, 15, 14
24
描述
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
接地（ 0 V ）
时钟脉冲输入端（上升沿）
数据输出
电源电压
74ABT821_3
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产品数据表
版本03 - 2010年2月25日
3 16
恩智浦半导体
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
6.功能描述
6.1功能表
表3中。
输入
OE
L
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
内部寄存器
CP
↑
↑
NC
NC
↑
D0到D9
l
h
X
X
Dn
L
H
NC
NC
Dn
产量
Q0至Q9
L
H
NC
Z
Z
载入和读取
注册
HOLD
禁止输出，
经营模式
H =高电压电平;
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
L =低电压电平;
我=低电压电平的一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
NC =无变化;
X =不关心;
Z =高阻关断状态;
↑
=低到高时钟跳变。
74ABT821_3
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产品数据表
版本03 - 2010年2月25日
4 16
恩智浦半导体
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
j
T
英镑
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
结温
储存温度
条件
[1]
民
0.5
1.2
0.5
18
50
-
[2]
最大
+7.0
+7.0
+5.5
-
-
128
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
在关断状态或高输出状态
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ LT ; 0 V
在低输出状态
[1]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温不能超过150
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升和下降率
环境温度
在自由空气
条件
民
4.5
0
2.0
-
32
-
0
40
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
-
0.8
-
64
5
+85
单位
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
74ABT821_3
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