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焊接说明可用于通孔LED灯
DIP及波峰焊
温度
最大
焊接的焊接
时间
≤260
o
C
≤260
o
C
3s
5s
从距离
焊点
到案
>2mm
>4mm
铁焊接(采用1.5mm烙铁头)
温度
焊接的
≤260
o
C
≤260
o
C
最大
焊接
时间
3s
5s
从距离
焊点
到案
>2mm
>4mm
推荐焊接PATTERN FOR SMT LED灯
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
焊接说明表面贴装LED
表面贴装LED是温度敏感,必须
非常小心处理。 IR回流焊和汽相
回流焊接建议。波峰焊是不推荐
谁料表面贴装发光二极管。请向我们的SMT LED
焊接注意事项155-1209 。
注意:在毫米以上的尺寸
84
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传真: 781-938-5867
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工程目录169
LED技术数据
绝对最大
评级
(TA=25
°
C)
430nm
(氮化镓)
470nm
(氮化镓)
525nm
(氮化镓)
555nm
( GAP)
565nm
( GAP)
590nm
(磷砷化镓/
GAP)
595nm
(铟镓铝)
单位
反向电压
5
5
5
5
5
5
5
V
正向电流
30
30
25
30
25
30
25
mA
正向电流(峰值)
t
≤10us
100
100
150
100
150
150
150
mA
功耗
105
120
105
120
105
105
105
mW
工作温度
-20至+80
-30至+85
-40至+85
-30至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
o
C
储存温度
-30到+100 -40到+100
-40至+85
-40到+100 -40到+85
-40至+85
-40至+85
o
C
操作
特征
(TA=25
o
C)
430nm
(氮化镓)
470nm
(氮化镓)
525nm
(氮化镓)
555nm
( GAP)
565nm
( GAP)
590nm
(磷砷化镓/
GAP)
2.1
595nm
(铟镓铝)
单位
正向电压(典型值)。
I
F
=20mA
4.5
3.6
3.5
2.25
2.2
2.0
V
正向电压(最大)
I
F
=20mA
5.5
4.0
4.0
2.6
2.5
2.5
2.5
V
反向电流
V
R
=5V
100
50
50
10
10
10
10
uA
波长峰值
Emmission
I
F
=20mA
430
470
525
555
565
590
595
nm
谱线半宽
I
F
=20mA
65
30
40
30
30
35
15
nm
电容
V
F
= 0V , F = 1MHz的
100
50
50
45
45
10
33
pF
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传真: 781-938-5867
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工程目录169
85
LED技术数据
绝对最大
评级
(TA=25
°
C)
610nm
(磷砷化镓/
GAP)
620nm
(铟镓铝)
625nm
(磷砷化镓/
GAP)
660nm
( GaAlAs的)
700nm
( GAP)
880nm
( GaAlAs的)
940nm
砷化镓(GaAs )
单位
反向电压
5
5
5
5
5
5
5
V
正向电流
30
30
30
30
25
50
50
mA
正向电流(峰值)
t
≤10us
150
150
150
150
150
1200
1200
mA
功耗
105
75
105
100
120
100
100
mW
工作温度
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
o
C
储存温度
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
o
C
操作
特征
( TA = 25℃ )
o
610nm
(磷砷化镓/
GAP)
2.0
620nm
(铟镓铝)
625nm
(磷砷化镓/
GAP)
2.0
660nm
( GaAlAs的)
700nm
( GAP)
880nm
( GaAlAs的)
940nm
砷化镓(GaAs )
单位
正向电压(典型值)。
I
F
=20mA
1.95
1.85
2.0
1.4
1.2
V
正向电压(最大)
I
F
=20mA
2.6
2.5
2.5
2.5
2.5
1.7
1.5
V
反向电流
V
R
=5V
10
10
10
10
10
10
10
uA
波长峰值
Emmission
I
F
=20mA
610
620
625
660
700
880
940
nm
谱线半宽
I
F
=20mA
35
15
45
20
45
50
50
nm
电容
V
F
= 0V , F = 1MHz的
15
40
12
LED灯
95
40
90
90
pF
86
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传真: 781-938-5867
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工程目录169
技术参数5V / 12V带内电阻LED
绝对最大
评级
(TA=25
o
C)
565nm
( GAP)
590nm
(磷砷化镓/ GAP)
625nm
(磷砷化镓/ GAP)
660nm
( GaAlAs的)
单位
反向电压
正向电流(峰值)
t≤10us
5
150
0.7
310
-40至+85
5
150
0.7
310
-40至+85
5
150
0.7
310
-40至+85
5
200
0.35
300
-40至+85
V
mA
mA
mW
o
线性降额从50
o
C
功耗
工作/储藏
温度
C
操作
特征
(TA=25
o
C)
565nm
( GAP)
590nm
(磷砷化镓/ GAP)
625nm
(磷砷化镓/ GAP)
660nm
( GaAlAs的)
单位
正向电流(典型值)
VF=5V
VF=12V
反向电流
V
R
=5v
12
11
10
565
12
11
10
590
12
11
10
625
13
10
10
660
mA
mA
uA
nm
波长峰值
Emmission
I
F
=20mA
Spectraline半宽
I
F
=20mA
30
35
45
20
nm
相对强度与波长
电话: 781-935-4442
传真: 781-938-5867
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工程目录169
87
LED技术数据
430nm的氮化镓(GaN )
435-460 (氮化镓)
525nm的氮化镓(GaN )
为555nm ( GAP)
88
电话: 781-935-4442
传真: 781-938-5867
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    660NM
    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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