高压
66099-4XX
REV A
9\25\02
耐辐射光电耦合器
MII
光电产品
区划
产品特点：
设计满足或超过MIL- PRF- 19500
辐射要求
高电流传输比 - 200 ％的典型
1kV直流电力输入到输出的隔离
为传统的晶体管的基极引线
偏置
150V的击穿电压
应用范围：
消除接地环路
电平转换
线路接收器
开关电源
电机控制
描述
该
66099-4XX
光电耦合器包括一个660纳米GaAIAs LED光学耦合到高电压的光电二极管驱动
高电压晶体管安装在一密封的TO- 5封装。该结构已被证明是高耐性，既
质子和总剂量辐射。
绝对最大额定值
存储Temperature..........................................................................................................................................-65°C至+ 150°C
工作自由空气的温度范围............................................................................................................-55°C到+ 100℃的
无铅焊锡温度（ 1/16“ （ 1.6毫米）的情况下，持续5秒） ................................ ................................................ 240 °
输入二极管正向直流Current.........................................................................................................................................40mA
输入功率耗散（见注1)................................................................................................................................80mW
反向输入电压............................................................................................................................................................. 3V
集电极 - 基极电压.........................................................................................................................................................150V
集电极 - 发射极电压.....................................................................................................................................................150V
发射极 - 基Voltage................................................................................................................................................................ 6V
连续集电极电流............................................................................................................................................300mA
连续晶体管功率耗散（见注2 ） ......................................... .......................................... 300mW的
注意事项：
1.线性降额0.80毫瓦/°C， 25°C以上。
2.线性降额3.0毫瓦/°C， 25°C以上。
包装尺寸
原理图
0.040 [1.02]
马克斯。
6 LEADS
0.016 [0.41]
0.019 [0.48]
5
5
6
7
1
A
C
3
0.305 [7.75]
0.335 [8.51]
0.370 [9.40]
0.336 [8.51]
0.500 [12.70]
分钟。
0.155 [3.94]
0.185 [4.70]
0.200 [5.08]
3
2
0.045 [1.14]
0.029 [0.73]
45°
0.034 [0.864]
0.028 [0.711]
7
K
E
B
1
2
注：所有的线性尺寸为英寸（毫米）
MICROPAC INDUSTRIES，INC 。光电产品部
725 E.核桃街，花环，TX 75040
(972) 272-3571
传真：（ 972 ） 487-6918
www.micropac.com
电子信箱：
optosales@micropac.com
3 - 20
66099 –4XX
REV A 9 \\ 25 \\ 02
高压耐辐射光电耦合器
电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有规定ED 。
参数
输入二极管静态反向电流
输入静态二极管正向电压
符号
I
R
V
F
民
0.8
典型值
最大
100
2
单位
A
V
测试条件
V
R
= 2V
I
F
= 10毫安
输出晶体管特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
民
150
150
4
典型值
最大
单位
V
V
V
测试条件
I
C
= 100
A，I
B
= 0, I
F
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0, I
F
= 0
I
C
= 0毫安，我
E
= 100
A，I
F
= 0
V
CE
= 20V
100
nA
耦合特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入输出隔离电流
上升时间
下降时间
符号
CTR
V
CE （ SAT ）
I
ISO
t
r
t
f
民
100
典型值
最大
0.3
100
20
20
单位
%
V
nA
s
s
测试条件
V
CE
= 1V ，我
F
= 10毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 10毫安
V
我-O
= 1000V
V
CE
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100
推荐工作条件：
参数
输入电流，低电平
输入电流，高级别
工作温度
符号
I
FL
I
FH
T
A
民
0
1
-55
最大
10
20
100
单位
A
mA
°
C
订货信息：
产品型号
66099-401
66099-415
描述
耐辐射，高压光耦，商业
耐辐射，高压光耦，屏蔽
MICROPAC INDUSTRIES，INC 。光电产品部
725 E.核桃街，花环，TX 75040
(972) 272-3571
传真：（ 972 ） 487-6918
www.micropac.com
电子信箱：
optosales@micropac.com
3 - 21
QQ：2881677436 复制
