V
DRM
V
帝斯曼
I
T( AV )M
I
T( RMS )
I
TSM
V
(T0)
r
T
=
=
=
=
=
=
=
4400
5200
4120
6470
85.2×10
3
1.04
0.115
V
V
A
A
A
V
m
相位控制晶闸管
5STP 52U5200
文档。第5SYA1042-02 12月3日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引,能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
帝斯曼,
V
RSM
V
DRM ,
V
RRM
V
RSM
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 5赫兹,T
p
= 10毫秒
F = 50 Hz时,T
p
= 10毫秒
t
p
= 5毫秒,单脉冲
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
vj
= 110°C
符号条件
I
帝斯曼
I
RSM
5STP 52U5200 5STP 52U5000
5200 V
4400 V
5700 V
5000 V
4200 V
5500 V
2000 V / μs的
民
典型值
5STP 52U4600
4600 V
4000 V
5100 V
特征值
最大
600
600
单位
mA
mA
正向漏电流
反向漏电流
V
帝斯曼
, T
vj
= 110°C
V
RSM
, T
vj
= 110°C
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
120
典型值
135
最大
160
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
mm
2
2
参数
重量
外壳厚度
表面爬电距离
符号条件
m
H
D
S
F
M
= 135千牛,T
a
= 25 °C
民
34.4
56
典型值
最大
3.6
35.4
空袭距离
D
a
22
1 )最大额定值的界限,表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
5STP 52U5200
导通状态
最大额定值
1)
参数
平均通态电流
RMS通态电流
峰值不重复浪涌
当前
极限载荷积分
峰值不重复浪涌
当前
极限载荷积分
特征值
符号条件
I
T( AV )M
I
T( RMS )
I
TSM
It
I
TSM
It
2
2
民
典型值
最大
4120
6470
85.2×10
3
单位
A
A
A
A
2
s
A
A
2
s
单位
V
V
m
mA
mA
mA
mA
半正弦波,T
c
= 70°C
TP = 10毫秒,T
vj
= 110 °C,
V
D
= V
R
= 0 V
TP = 8.3毫秒,T
vj
= 110 °C,
V
D
= V
R
= 0 V
民
典型值
36.28×10
90.3×10
6
3
33.85×10
最大
1.38
1.04
0.115
200
100
900
700
6
参数
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
闭锁电流
符号条件
V
T
V
(T0)
r
T
I
H
I
L
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 110 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 110 °C
I
T
3000 = A,T
vj
= 110 °C
I
T
= 2000 A - 6000 A,T
vj
= 110 °C
开关
最大额定值
1)
参数
的导通临界上升率
目前状态
的导通临界上升率
目前状态
符号条件
的di / dt
CRIT
的di / dt
CRIT
T
vj
= 110 °C,
I
TRM
= 3000 A,
V
D
≤
0.67 V
DRM
,
I
FG
= 2 A,T
r
= 0.5 s
续。
F = 50赫兹
续。
F = 1Hz的
民
典型值
最大
250
1000
单位
A / μs的
A / μs的
s
电路换向关断吨
q
时间
特征值
T
vj
= 110℃,我
TRM
= 3000 A,
V
R
= 200 V ,二
T
/ DT = -5 A / μs的,
V
D
≤
0.67V
DRM
, DV
D
/ DT = 20V / μs的
700
参数
恢复电荷
符号条件
Q
rr
T
vj
= 110℃,我
TRM
= 3000 A,
V
R
= 200 V,
di
T
/ DT = -5 A / μs的
V
D
= 0.4V
RM
, I
FG
= 2 A,
t
r
= 0.5微秒,T
vj
= 25 °C
民
典型值
最大
12500
单位
μAs
栅极导通延迟时间
t
gd
3
s
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA1042-02 12月3日
第2 6
5STP 52U5200
触发
最大额定值
1)
参数
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
平均门功率损耗
特征值
符号条件
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G( AV )
符号条件
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 25 °C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vj
= 110 °C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vj
= 110°C
民
典型值
最大
12
10
10
单位
V
A
V
参照图9
民
典型值
最大
2.6
400
0.3
10
单位
V
mA
V
mA
参数
栅极触发电压
栅极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
热
最大额定值
1)
参数
工作结
温度范围
特征值
符号条件
T
vj
民
典型值
最大
110
单位
°C
°C
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
储存温度范围T
英镑
参数
符号条件
双面冷却
F
m
= 120 ... 160千牛
阳极侧的冷却
F
m
= 120 ... 160千牛
阴极侧的冷却
F
m
= 120 ... 160千牛
双面冷却
F
m
= 120 ... 160千牛
单面冷却
F
m
= 120 ... 160千牛
-40
民
典型值
140
最大
4
8
8
0.8
1.6
热阻结
日(J -C )
到案
R
日( J-三)
R
日(J -C )C
热电阻的情况下与R
个( C-H)
散热器
R
个( C-H)
解析函数的瞬态热
阻抗:
Z
日(J -C )
(t) =
R
第i个
(1 - e
i
=
1
i
R
第i个
(K /千瓦)
τ
i
(s)
1
2.701
0.9478
2
0.816
0.1249
3
0.326
0.0146
n
- t/
τ
i
4
)
0.160
0.0032
图。 1
瞬态热阻抗结到外壳。
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA1042-02 12月3日
第3页6
5STP 52U5200
马克斯。通态特性模型:
马克斯。通态特性模型:
V
T
25
=
A
TVJ
+
B
TVJ
I
T
+
C
TVJ
LN (
I
T
+
1)
+
D
TVJ
I
T
A
25
-6
69.79×10
适用于我
T
= 300 – 100000 A
B
25
C
25
D
25
-6
-3
-3
67.25×10
160×10
-2.17×10
V
T
110
=
A
TVJ
+
B
TVJ
I
T
+
C
TVJ
LN (
I
T
+
1)
+
D
TVJ
I
T
适用于我
T
= 300 – 100000 A
A
110
-6
20.86×10
B
110
-6
66.73×10
C
110
-3
130.70×10
D
110
-3
2.43×10
图。 2
马克斯。通态电压特性
图。 3
马克斯。通态电压特性
图。 4
通态功耗与平均通态
电流。导通损耗除外。
图。五
马克斯。允许的情况下温度与平均
通态电流。
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA1042-02 12月3日
第4 6
5STP 52U5200
图。 6
浪涌通态电流与脉冲宽度。半
正弦波。
I
G
(t)
100 %
90 %
I
GM
I
GM
I
坤
di
G
/ DT
t
r
t
p
(I
GM
)
≈
2..5 A
≥
1.5 I
GT
≥
2 A / μs的
≤
1
s
≈
5...20
s
图。 7
浪涌脉冲的通态电流与数量。
半正弦波, 10毫秒, 50赫兹。
di
G
/ DT
10 %
t
r
t
p
(I
GM
)
t
p
(I
坤
)
t
I
坤
图。 8
推荐的栅极电流的波形。
图。 9
马克斯。栅极峰值功率损耗。
图。 10
恢复电荷与通态衰变率
电流。
图。 11
峰值反向恢复电流与衰减率
的通态电流。
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA1042-02 12月3日
分页: 5 6