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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符5型号页 > 首字符5的型号第629页 > 5STP45Q2600
V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
5490 A
8625 A
75000 A
0.86 V
0.070 m
文档。第5SYA1050-01 Sep.00
相位控制晶闸管
5STP 45Q2800
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大大门。
闭塞
产品型号
V
DRM
V
RSM1
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
CRIT
V
RRM
5STP 45Q2800
2800 V
3000 V
5STP 45Q2600
2600 V
2800 V
≤
400毫安
≤
400毫安
1000 V / μs的
5STP 45Q2200
2200 V
2400 V
条件
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
DRM
V
RRM
@进出口。到0.67xV
DRM
T
j
= 125°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
百米/秒
2.1公斤
36 mm
15 mm
2
2
90千牛
81千牛
108千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5STP 45Q2800
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
5490 A
8625 A
75000 A
79000 A
28125千安
2
s
25900千安
2
s
V
T
V
T0
r
T
I
H
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.29 V
0.86 V
0.070 m
40-100毫安
20-75毫安
I
L
闭锁电流
100-500毫安
150-350毫安
tp
tp
tp
tp
I
T
I
T
T
j
T
j
T
j
T
j
=
=
=
=
=
=
10毫秒
8.3毫秒
10毫秒
8.3毫秒
6000 A
3000 - 9000 A
T
j
=
125°C
T
j
=
125°C
半正弦波，T
C
= 70°C
后激增：
V
D
= V
R
= 0V
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
≤
≤
250 A / μs的
500 A / μs的
续。
60秒。
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
=
I
FG
t
d
t
q
延迟时间
打开-O FF时间
3.0 s
400 s
V
D
= 0.4V
DRM
I
FG
=
=
T
j
= 125°C
3000 A F = 50赫兹
2.0一件T
r
= 0.5 s
2.0一件T
r
= 0.5 s
3000为T
j
= 125°C
200 V
-5 A / μs的
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
=
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
＆ GT ;
Q
rr
恢复电荷
民
最大
4200 μAs
6500 μAs
di
T
/ DT =
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
最大栅极功率损耗
2.6 V
T
j
= 25°C
400毫安牛逼
j
= 25°C
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
V
D
V
D
= 0.4V
DRM
= 0.4V
DRM
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
2 6
文档。第5SYA1050-01 Sep.00
5STP 45Q2800
热
T
j max的情况
T
STG
R
thJC
最大。结温
储存温度
范围
热阻
结到外壳
125°C
-40...150°C
10 K /千瓦
10 K /千瓦
5K /千瓦
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热阻抗：
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
2 K /千瓦
1K /千瓦
Z
thJC
(t) =
∑
R
i
(1 - e
-t/
τ
i
)
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
3.27
0.5237
2
0.736
0.1082
3
0.661
0.02
4
0.312
0.0075
图。 1
瞬态热阻抗结点到外壳。
通态特性模型：
V
T
=
A
+
B
i
T
+
C
LN （
i
T
+
1)
+
D
I
T
适用于我
T
= 500 – 15000 A
n
A
-0.096289
B
0.000051
C
0.135731
D
-0.001358
图2 。
对国家特性。
图。 3
在国家的特点。
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3 6
文档。第5SYA1050-01 Sep.00
5STP 45Q2800
T
例
(°C)
130
双面冷却
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000
DC
180矩形
180 °正弦波
120矩形
I
TAV
(A)
图。 4
通态功耗与平均导通
态电流。导通损耗除外。
图。五
马克斯。允许的情况下温度与平均
通态电流。
图。 6
浪涌通态电流与脉冲宽度。
半正弦波。
图。 7
浪涌脉冲的通态电流与数量。
半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
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4 6
文档。第5SYA1050-01 Sep.00
5STP 45Q2800
5STP 45Q2800
图。 8
门极触发特性。
图。 9
马克斯。栅极峰值功率损耗。
图。 10
恢复电荷与通态衰变率
电流。
图。 11
峰值反向恢复电流与衰减率
的通态电流。
关闭-off时间，典型参数的关系
.
图。 12
t
q
/t
q1
=
f
1
(
T
j
)
图。 13
t
q
/t
q1
=
f
2
(
-di / dt的
)
图。 14
t
q
/t
q1
=
f
3
(
dv / dt的
)
t
q
=
t
q1
t
q
/t
q1
f
1
(T
j
)
t
q
/t
q1
f
2
（ -di / DT ）
t
q
/t
q1
f
3
（ dv / dt的）
t
q1
：在标准值（见第2页）
t
q
：在不同的条件下
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5 6
文档。第5SYA1050-01 Sep.00
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