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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符5型号页 > 首字符5的型号第628页 > 5STP34Q5000
V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
5200 V
3875 A
6090 A
55000 A
1.03 V
0.160 m
相位控制晶闸管
5STP 34Q5200
文档。第5SYA1052-01 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
产品型号
V
帝斯曼
V
DRM
V
RSM1
I
帝斯曼
I
RSM
dv / dt的
CRIT
V
RSM
V
RRM
5STP
5200 V
4400 V
5700 V
5STP 34Q5000 5STP 34Q4600
条件
5000 V
4200 V
5500 V
≤
500毫安
≤
500毫安
2000 V / μs的
4600 V
4000 V
5100 V
F = 5赫兹，T
p
= 10ms的
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
帝斯曼
V
RSM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
V
DRM
/ V
RRM
等于V
帝斯曼
/ V
RSM
值高达至T
j
= 110°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
2.1公斤
36 mm
15 mm
90千牛
81千牛
108千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5STP 34Q5200
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
3875 A
6090 A
55000 A
60000 A
TP =
TP =
10毫秒
8.3毫秒
10毫秒
8.3毫秒
3000 A
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
后激增：
V
D
= V
R
= 0V
半正弦波，T
C
= 70°C
15125千安
2
s = TP
14940千安
2
s = TP
V
T
V
T0
r
T
I
H
I
L
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.54 V
1.03 V
0.160 m
50-125毫安
20-75毫安
I
T
=
I
T
= 2300 - 7000 A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
闭锁电流
100-毫安
500
75-250毫安
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
250 A / μs的
500 A / μs的
续。 F = 50 Hz的V
D
≤
0.67V
DRM
, T
j
= 125°C
60秒。
F = 50Hz的
V
D
= 0.4V
DRM
I
TRM
= 3000 A
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
t
d
t
q
Q
rr
延迟时间
打开-O FF时间
≤
≤
民
最大
3.0 s
700 s
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
3000 = A，T
j
= 125°C
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
> 200伏，二
T
/ DT = -5 A / μs的
恢复电荷
7000 μAs
9000 μAs
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
门的功率损耗
2.6 V
400毫安
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
T
j
= 25°
T
j
= 25°
V
D
= 0.4× V
DRM
V
D
= 0.4× V
DRM
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1052-01 9月1日
第2 6
5STP 34Q5200
热
T
JMAX
T
英镑
R
thJC
马克斯。工作结温
范围
存储温度范围
热阻
结到外壳
125 °C
-40…140 °C
10 K /千瓦
10 K /千瓦
5K /千瓦
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热
阻抗：
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
2 K /千瓦
1K /千瓦
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
3.27
0.5237
2
0.736
0.1082
3
0.661
0.02
n
- t/
τ
i
)
4
0.312
0.0075
图。 1瞬态热阻抗结点到外壳。
通态特性模型：
VT
=
A
+
B
iT
+
C
LN （
iT
+
1)
+
D
IT
适用于我
T
= 500 – 14000 A
A
1.0649
B
0.000105
C
-0.038879
D
0.008155
图。 2通态特性。
T
j
= 125°C ， 10ms的半正弦
图。 3通态特性。
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1052-01 9月1日
第3页6
5STP 34Q5200
T
例
(°C)
130
双面冷却
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
0
1000
2000
3000
4000
5000
DC
180矩形
180 °正弦波
120矩形
6000
I
TAV
(A)
图。 4通态功耗与平均导通
态电流。打开 - 在排除了损失。
图。 5最大。允许的情况下温度与
平均通态电流。
图。 6浪涌通态电流与脉冲宽度。
半正弦波。
图。 7浪涌通态电流与数
脉冲。半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1052-01 9月1日
第4 6
5STP 34Q5200
5STP 34Q5200
图。 8门极触发特性。
图。 9最大。栅极峰值功率损耗。
图。 10恢复电荷与导通的衰减率
态电流。
图。 11峰值反向恢复电流与衰减
率通态电流。
打开 - 关闭时间，典型参数的关系。
图。 12吨
q
/t
q1
= f
1
(T
j
)
图。 13吨
q
/t
q1
= f
2
（ -dI
T
/ DT ）
图。 14吨
q
/t
q1
= f
3
（ dv / dt的）
t
q
= t
q1
f
1
(T
j
)
f
2
（ -dI
T
/ DT ）
f
3
（ dv / dt的）
t
q1
：在标准值（见第2页）
t
q
：在不同的条件下
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文档。第5SYA1052-01 9月1日
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