V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
3740 A
5880 A
60000 A
0.95 V
0.100 m
相位控制晶闸管
5STP 33L2800
文档。第5SYA1011-03 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
产品型号
V
DRM
V
RSM1
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
CRIT
V
RRM
5STP 33L2800 5STP 33L2600 5STP 33L2200
条件
2800 V
3000 V
2600 V
2800 V
≤
400毫安
≤
400毫安
1000 V / μs的
2200 V
2400 V
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
DRM
V
RRM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
1.45公斤
36 mm
15 mm
70千牛
63千牛
84千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
3740 A
5880 A
60000 A
0.95 V
0.1 m
相位控制晶闸管
5STP 33L2800
文档。第5SYA1011-03 1月2日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
DRM ，
V
RRM
V
RSM1
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
5STP 33L2800
2800 V
3000 V
5STP 33L2600
2600 V
2800 V
1000 V / μs的
民
典型值
5STP 33L2200
2200 V
2400 V
特征值
符号条件
I
DRM
I
RRM
V
DRM
， TJ = 125°C
V
RRM
， TJ = 125°C
最大
400
400
单位
mA
mA
Forwarde漏电流
反向漏电流
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
63
典型值
70
最大
84
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
2
2
参数
重量
表面爬电距离
空袭距离
符号条件
m
D
S
D
a
民
36
15
典型值
1.45
最大
1)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5STP 33L2800
导通状态
最大额定值
1)
参数
马克斯。平均通态
当前
RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
特征值
符号条件
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
It
I
TSM
It
2
2
民
典型值
最大
3740
5880
单位
A
A
A
kA
2
s
A
kA
2
s
单位
V
V
m
mA
mA
mA
mA
半正弦波，T
c
= 70°C
TP = 10毫秒， TJ = 125°C ，
V
D
=V
R
= 0 V
TP = 8.3毫秒， TJ = 125°C ，
V
D
=V
R
=0 V
民
典型值
60000
18000
65000
17500
最大
1.23
0.95
0.1
100
60
500
300
参数
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
闭锁电流
符号条件
V
T
V
T0
r
T
I
H
I
L
I
T
3000 = A，T
j
= 125°C
I
T
= 2000 A - 6000 A，T
j
= 125°C
TJ = 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
开关
最大额定值
1)
参数
的导通临界上升率
目前状态
的导通临界上升率
目前状态
符号条件
的di / dt
CRIT
的di / dt
CRIT
续。
T
j
≤ 125 ° C，I
TRM
= 4500 ， F = 50赫兹
V
D
≤
0.67V
DRM
,
续。
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
F = 1Hz的
T
j
≤ 125 ° C，I
TRM
= 4500 A,
V
R
= 200 V ，二
T
/ DT = -5 A / μs的，
V
D
≤
0.67V
DRM
， DV
D
/ DT = 20 V / μs的，
民
典型值
最大
250
1000
单位
A / μs的
A / μs的
s
电路换向关断吨
q
时间
特征值
400
参数
恢复电荷
延迟时间
符号条件
Q
rr
t
d
T
j
≤ 125 ° C，I
TRM
= 4500 A,
V
R
= 200 V ，二
T
/ DT = -5 A / μs的
V
D
= 0.4V
DRM
, I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
民
2000
典型值
最大
4000
3
单位
μAs
s
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1011-03 1月2日
第2 6
5STP 33L2800
触发
最大额定值
1)
参数
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
门的功率损耗
平均门功率损耗
特征值
符号条件
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
P
GAV
符号条件
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vjmax
= 125°C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vjmax
= 125°C
对于直流栅极电流
民
典型值
最大
12
10
10
3
单位
V
A
V
W
参照图9
民
典型值
最大
2.6
400
0.3
10
单位
V
mA
V
mA
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
热
最大额定值
1)
参数
工作结
温度范围
特征值
符号条件
T
j
民
典型值
最大
125
单位
°C
°C
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
储存温度范围T
英镑
参数
符号条件
双侧冷却
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
-40
民
典型值
140
最大
7
14
14
1.5
3
热阻结
日（J -C ）
到案
R
日（ J-三）
R
日（J -C ）C
热电阻的情况下与R
个（ C-H）
散热器
R
个（ C-H）
解析函数的瞬态热
阻抗：
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
4.7
0.4787
2
0.853
0.0824
3
1.07
n
- t/
τ
i
)
4
0.49
0.0041
图。 1
瞬态热阻抗结到外壳。
0.0104
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1011-03 1月2日
第3页6
5STP 33L2800
通态特性模型：
VT
=
A
+
B
iT
+
C
LN （
iT
+
1)
+
D
IT
适用于我
T
= 400 – 11000 A
A
7.3117e-1
B
7.9000e-5
C
1.7903e-2
D
2.3140e-3
图。 2
对国家特性。
T
j
= 125°C ， 10ms的半正弦
图。 3
对国家特性。
图。 4
通态功耗与平均导通
态电流。打开 - 在排除了损失。
图。五
马克斯。允许的情况下温度与
平均通态电流。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1011-03 1月2日
第4 6
5STP 33L2800
图。 6
浪涌通态电流与脉冲宽度。半
正弦波。
I
G
(t)
100 %
90 %
I
GM
I
GM
I
坤
di
G
/ DT
t
r
t
p
(I
GM
)
≈
2..5 A
≥
1.5 I
GT
≥
2 A / μs的
≤
1
s
≈
5...20s
图。 7
浪涌脉冲的通态电流与数量。
半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
di
G
/ DT
10 %
t
r
t
p
(I
GM
)
t
p
(I
坤
)
t
I
坤
图。 8
Recommendet栅极电流的波形。
图。 9
马克斯。栅极峰值功率损耗。
图。 10
恢复电荷与通态衰变率
电流。
图。 11
峰值反向恢复电流与衰减率
的通态电流。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1011-03 1月2日
分页： 5 6
QQ：2881677436 复制
