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V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
F0
r
F
V
的dcLINK
=
=
=
=
=
=
4500
435
16
2.42
2.1
2800
V
A
kA
V
m
V
快恢复二极管
5SDF 05F4502
文档。第5SYA1151-01 9月1日
专利自由浮动的技术
行业标准房
宇宙辐射耐受评级
低通态损耗和开关损耗
优化在无缓冲器的操作用
闭塞
V
RRM
I
RRM
V
的dcLINK
V
的dcLINK
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
100 FIT永磁直流电压
故障率
100 FIT永磁直流电压
故障率
≤
4500 V
20毫安
2800
3200
V
V
半正弦波，T
P
= 10毫秒， F = 50赫兹
V
R
= V
RRM ，
T
j
= 115°C
100 ％的占空
5％的税
在室温宇宙辐射
在露天海平面。
机械数据
F
m
a
安装力
分钟。
马克斯。
18千牛
22千牛
2
2
加速度：
夹紧装置
夹紧装置
50米/ s的
200米/ s的
0.46千克
≥
≥
33 mm
20 mm
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5SDF 05F4502
导通状态
（参照图1，图2 ）
I
FAVM
I
疲劳风险管理
I
FSM
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
òI
2
dt
马克斯。浪涌电流积分
435 A
685 A
16 KA
32千安
2
1.2810
6
A S
2
0.510
6
A S
半正弦波，T
c
= 70°C
tp
tp
tp
tp
I
F
=
=
=
=
=
10毫秒
1毫秒
10毫秒
1毫秒
1100 A
潮前：
T
c
= T
j
= 115°C
后激增：
V
R
≈
0 V
V
F
V
F0
r
F
正向电压降
阈值电压
斜率电阻
≤
4.7 V
2.42 V
2.1 m
逼近
I
F
= 200…2000
A
T
j
= 115°C
开启
V
fr
峰值正向恢复电压
≤
370 V
的di / dt = 1000 A / μs的，T
j
= 115°C
打开-O FF
（参照图3，图4 ）
的di / dt
CRIT
I
rr
Q
rr
E
rr
马克斯。通态电流的衰减率
反向恢复电流
反向恢复电荷
关闭能源
≤
≤
≤
≤
430 A / μs的
610 A
C
3.1 J
I
F
= 1100 A,
V
的dcLINK
= 2800 V
I
F
= 1100 A,
的di / dt = 360 A / μs的，
T
j
= 115 °C
V
的dcLINK
= 2700 V
T
j
= 115°C,
热
T
j
T
英镑
R
thJC
工作结温范围
存储温度范围
热阻结到外壳
≤
≤
≤
R
thCH
热电阻的情况下到散热器
≤
≤
解析函数的瞬态热阻抗。
-40...115°C
-40...125°C
32 K /千瓦
32 K /千瓦
17 K /千瓦
10 K /千瓦
5K /千瓦
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
F
m
=
18 ... 22千牛
Z
thJC
(t) =
n
i
1
9.64
0.381
2
3.08
0.428
3
1.18
0.0048
4
0.55
0.0013
R
i
(1 - e
- t /
τ
i
)
R
i
（K /千瓦）
i
=
1
τ
i
(s)
F
m
= 18 ... 22千牛双面冷却
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1151-01 9月1日
页2的5
5SDF 05F4502
I
F
[A]
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
TJ = 115℃
V
F
[V]
图。 1典型正向电压时的波形
二极管的导通与高di / dt 。
图。 2正向电流与正向电压。
I
rr
[A]
700
T
j
= 115°C
600
di
F
/ DT = 360 A / μs的
V
的dcLINK
= 2700 V
E
rr
[J]
3.5
T
j
= 115°C
di
F
/ DT = 360 A / μs的
V
的dcLINK
= 2700 V
3.0
500
2.5
400
2.0
300
1.5
200
1.0
100
0.5
0
0
200
400
600
800
1000
1200
0.0
I
FQ
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
I
FQ
[A]
图。 3二极管的反向恢复电流与开启
关断电流。
图。每个脉冲与开启4二极管关断能量
关断电流。
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1151-01 9月1日
第3 5
5SDF 05F4502
I
FQ
[A]
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
1000
2000
3000
4000
T
j
= 0 - 115°C
di
F
/ DT = 360 A / μs的
V
RM
≤
V
RRM
V
的dcLINK
[V]
图。在5典型的电流和电压波形
关断与电压钳位电路。
图。 6最大。重复二极管的正向电流。
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文档。第5SYA1151-01 9月1日
第4 5
5SDF 05F4502
图。 7外形图。所有尺寸以毫米为单位，代表标称值除非另有说明，
否则。
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
ABB半导体公司
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)62 888 6419
+41 (0)62 888 6306
abbsem@ch.abb.com
www.abbsem.com
文档。第5SYA1151-01 9月1日
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