V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
F0
r
F
V
的dcLINK
=
=
=
=
=
=
4500
320
5
2
1.5
2400
V
A
kA
V
m
V
快恢复二极管
5SDF 03D4501
文档。第5SYA1106-02 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低开关损耗
优化的缓冲和钳位二极管， GTO和IGCT转换器使用
行业标准的压装陶瓷外壳，密封冷焊接
宇宙辐射耐受评级
闭塞
V
RRM
I
RRM
V
的dcLINK
V
的dcLINK
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
100 FIT永磁直流电压
故障率
100 FIT永磁直流电压
故障率
≤
4500 V
50毫安
2400
2800
V
V
半正弦波，T
P
= 10毫秒， F = 50赫兹
V
R
= V
RRM ，
T
j
= 125°C
100 ％的占空
5％的税
在室温宇宙辐射
在露天海平面。
机械数据
F
m
a
安装力
（参见图8）
分钟。
马克斯。
10千牛
12千牛
2
2
加速度：
夹紧装置
夹紧装置
50米/ s的
200米/ s的
0.25千克
≥
≥
30 mm
20 mm
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
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导通状态
（参照图2，图3 ）
I
FAVM
I
疲劳风险管理
I
FSM
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
òI
2
dt
马克斯。浪涌电流积分
320 A
500 A
5千安
12千安
2
12510
3
A S
2
7210
3
A S
半正弦波，T
c
= 85°C
tp
tp
tp
tp
I
F
=
=
=
=
=
10毫秒
1毫秒
10毫秒
1毫秒
1000 A
潮前：
T
c
= T
j
= 125°C
后激增：
V
R
≈
0 V
V
F
V
F0
r
F
正向电压降
阈值电压
斜率电阻
≤
3.5 V
2 V
1.5 m
逼近
I
F
= 200…3000
A
T
j
= 125°C
开启
（参照图4，图5 ）
V
fr
峰值正向恢复电压
≤
140 V
的di / dt = 1000 A / μs的，T
j
= 125°C
打开-O FF
（参照图6，图7 ）
I
rr
Q
rr
E
rr
反向恢复电流
反向恢复电荷
关闭能源
≤
≤
≤
200 A
1000 C
-- J
的di / dt = 100 A / μs的，
I
F
= 2000 A,
R
S
= 22
,
T
j
= 125 °C,
V
RM
= 4500 V,
C
S
= 0.22 F
热
（参见图1）
T
j
T
英镑
R
thJC
工作结温范围
存储温度范围
热阻结到外壳
≤
≤
≤
R
thCH
热电阻的情况下到散热器
≤
≤
解析函数的瞬态热阻抗。
-40...125°C
-40...125°C
80 K /千瓦
80 K /千瓦
40 K /千瓦
16 K /千瓦
8 K /千瓦
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
F
m
=
10 ... 12千牛
Z
thJC
(t) =
n
i
1
20.95
0.396
2
10.57
0.072
3
7.15
0.009
4
1.33
0.0044
R
i
(1 - e
- t /
τ
i
)
R
i
（K /千瓦）
i
=
1
τ
i
(s)
F
m
= 10 ... 12千牛双面冷却
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5SDF 03D4501
图。 1
在分析和图形形式的瞬态热阻抗（结到外壳）对时间（最大值）。
图。 2
正向电流与正向电压（典型值。
和最大值。值）和线性近似
的最大值。曲线在125℃ 。
图。 3
浪涌电流和整体融合与脉冲
宽度（最大值）非重复性，半
正弦浪涌电流脉冲。
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第3 5
5SDF 03D4501
200
180
160
V
fr
(V)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
200
400
600
800
的di / dt （ A /
s)
1000
25°C
125°C
图。 4
典型的正向电压波形时的
二极管导通与高di / dt 。
图。五
正向恢复电压与导通di / dt的
（最高值）。
图。 6
在典型的电流和电压波形
关断与传统的RC缓冲
电路。
图。 7
反向恢复电流和反向
恢复电荷主场迎战的di / dt （最大数值） 。
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