订购数量： ENN6135
P沟道MOSFET硅
5LP01M
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 2.5V驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2158
[5LP01M]
0.425
0.15
3
2.1
1.250
0-0.1
0.425
1
2
0.65 0.65
2.0
0.3
0.9
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
条件
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： MCP3
评级
–50
±10
–0.07
–0.28
0.15
150
-55到+150
0.2
0.3
单位
V
V
A
A
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
ID = -1mA ， VGS = 0
VDS = -50V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = -10V ，ID = -100μA
VDS = -10V ，ID = -40mA
ID = -40mA ， VGS = -4V
ID = -20mA ， VGS = -2.5V
ID = -5mA ， VGS = -1.5V
–0.4
70
100
18
20
30
23
28
60
条件
评级
民
–50
–10
±10
–1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
mS
标记： XB
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
31000TS （ KOTO ） TA- 2040 No.6135-1 / 4
5LP01M
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
VDS = -10V ， F = 1MHz的
VDS = -10V ， F = 1MHz的
VDS = -10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = -10V ， VGS = -10V ， ID = -70mA
VDS = -10V ， VGS = -10V ， ID = -70mA
VDS = -10V ， VGS = -10V ， ID = -70mA
IS = -70mA ， VGS = 0
条件
评级
民
典型值
7.4
4.2
1.3
20
35
160
150
1.40
0.16
0.23
–0.85
–1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
0V
--4V
VIN
VIN
VDD=--25V
ID=--40mA
RL=625
PW=10s
D.C.≤1%
D
G
VOUT
5LP01M
P.G
50
S
--0.07
ID - VDS
0V
V
--0.14
ID - VGS
25
°
C
0V
--0.06
--
5
2.
--6
.
--3
.0
V
--0.12
VDS=--10V
25
°
C
漏电流，我
D
– A
--3
.5
--0.05
漏电流，我
D
– A
--0.10
--0.04
--0.08
--0.03
--0.06
--0.02
VGS=--1.5V
--0.04
--0.01
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--0.02
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
漏极至源极电压，V
DS
– V
40
IT00090
5
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
75
°
--2
C
.0V
TA = -
-
--4
.
V
IT00091
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
–
RDS （ ON） - ID
VGS=--4V
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
–
35
30
3
Ta=75°C
2
25
ID=20mA
20
40mA
25°C
--25°C
15
10
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
10
--0.01
2
3
5
7
IT00092
漏电流，我
D
– A
--0.1
2
3
IT00093
No.6135-2/4
5LP01M
0.20
PD - TA
允许功耗，P
D
– W
0.15
0.10
0.05
0
0
20
环境温度TA - C
40
60
80
100
120
140
160
IT00102
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的3月， 2000年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.6135-4 / 4
订购数量： EN6135A
5LP01M
三洋半导体
数据表
5LP01M
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
条件
评级
--50
±10
--0.07
--0.28
0.15
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = -
-50V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = -
-10V ，ID = -
-100A
VDS = -
-10V ， ID = - 40毫安
ID = - 40毫安， VGS = - 4V
ID = - 20mA时， VGS = - 2.5V
ID = - 5毫安， VGS = -
-1.5V
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
评级
民
--50
--1
±10
--0.4
70
100
18
20
30
7.4
4.2
1.3
23
28
60
--1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
mS
pF
pF
pF
标记： XB
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
http://semicon.sanyo.com/en/network
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
71206 / 42006PE MS IM TB- 00002113 / TS 31000 （ KOTO ） TA- 2040 No.6135-1 / 4
5LP01M
0.20
PD - TA
允许功耗， PD - 含
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT00102
注意使用情况：由于5LP01M是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式，包括电子
或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，没有三洋半导体有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠，但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
本产品目录提供的信息截至4月， 2006年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.6135-4 / 4
QQ：2881677436 复制
