订购数量: EN6619B
5LP01C
三洋半导体
数据表
5LP01C
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
--50
±10
--0.07
--0.28
0.25
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7013A-013
2.9
3
0.1
产品&包装信息
包
: CP
JEITA , JEDEC
: SC - 59 , TO- 236 , SOT -23 , TO- 236AB
最小包装数量: 3000个/卷。
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-H
0.5
包装方式: TB
记号
2.5
1.5
LOT号
LOT号
0.5
1
0.95
2
XB
0.4
TB
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: CP
0.3
电气连接
3
0.05
1.1
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 33006PE MSIM TB- 00002201 / TS 92500 IM TA- 2036 No.6619-1 / 7
5LP01C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = --70mA , VGS = 0V
VDS = --10V ,V GS = --10V ,ID = --70mA
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = --1mA , VGS = 0V
VDS = --50V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = --10V ,ID = --100μA
VDS = --10V ,ID = --40mA
ID = --40mA , VGS = --4V
ID = --20mA , VGS = --2.5V
ID = --5mA , VGS = --1.5V
VDS = --10V , F = 1MHz的
--0.4
70
100
18
20
30
7.4
4.2
1.3
20
35
160
150
1.40
0.16
0.23
-
-0.85
-
-1.2
23
28
60
评级
民
--50
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD = --25V
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
5LP01C
P.G
50Ω
S
D
ID = --40mA
RL=625Ω
VOUT
订购信息
设备
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-H
包
CP
CP
航运
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
No.6619-2/7
5LP01C
压纹带包装特定网络阳离子
5LP01C - TB -E , 5LP01C - TB -H
No.6619-5/7