修订

LTR

A

B

C

描述

更改包装标识，并添加外壳轮廓图。 - 亚克

添加设备类型02 - 亚克

正确的电源电压的命名遵从器件特性。

正确的维度表中的图1的情况概要X最低值。

样板更新到最新的MIL- PRF- 38535的要求。 - CFS

添加设备类型03. - CFS

日期（YR -MO- DA）的

00-04-11

00-05-30

01-03-06

批准

莫妮卡L. Poelking

莫妮卡L. Poelking

托马斯· M·赫斯

D

02-05-10

托马斯· M·赫斯

转

片

转

片

REV状态

SHEETS作者

PMIC N / A

D

35

D

15

D

36

D

16

D

37

D

17

D

38

D

18

转

D

39

D

19

D

40

D

20

D

41

D

21

D

1

D

42

D

22

D

2

D

43

D

23

D

3

D

24

D

4

D

25

D

5

D

26

D

6

D

27

D

7

D

28

D

8

D

29

D

9

D

30

D

10

D

31

D

11

D

32

D

12

D

33

D

13

D

34

D

14

片

编制

查尔斯·F·塞夫勒， JR 。

标准

微型电路

制图

这个图是可用

供所有

DEPARTMENTS

与机构

国防部

美国超导公司N / A

检查

查尔斯·F·塞夫勒， JR 。

哥伦布国防供应中心

美国俄亥俄州哥伦布市43216

http://www.dscc.dla.mil

经批准

莫妮卡L. Poelking

图纸批准日期

99-05-10

修订级别

D

微型电路，数字，抗辐射，

先进的CMOS施密特16位双向

具三态多用途收发器

产出，单片硅

SIZE

CAGE CODE

A

片

67268

1

OF

43

5962-98580

DSCC FORM 2233

APR 97

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

5962-E407-02

1.范围

1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平，包括高可靠性（设备类Q和

M）和空间应用程序（设备类V） 。案例的选择，外形和引线均可加工，并反映在第一部分

或识别号码（PIN） 。当可用，辐射硬度保证（ RHA ）水平的选择会反映在PIN。

1.2 PIN。 PIN码是作为显示在下面的例子：

5962

R

98580

01

V

X

X

联邦

股票类

代号

\

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

/

\/

图号

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

设备

类

代号

（参见1.2.3 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平，并

标有相应的RHA标志。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中

指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号（ - ）表示非RHA设备。

1.2.2设备类型（ S） 。设备类型（多个）识别电路的功能如下：

设备类型

01

通用号码

54ACS164245S

电路功能

抗辐射，施密特16位双向

多用收发器与三态输出

冷备用

抗辐射，施密特16位双向

多用收发器，三态输出，

冷备用，并扩展电压范围

抗辐射，施密特16位双向

多用收发器，三态输出，

冷备用，更宽的电压范围，并延长

-40 ° C至+ 125 ° C工业温度范围

02

54ACS164245S 1 /

03

54ACS164245S 1/2 /

1.2.3设备类标志。设备类指示符是一个单字母标识产品保证水平为

如下所示：

设备类

M

设备需求文档

供应商自我认证，为MIL -STD- 883标准的要求，

非JAN级B级微型电路符合MIL -PRF- 38535 ，

附录A

认证和资格MIL -PRF- 38535

Q或V

1.2.4案例纲要（ S） 。外壳轮廓（ S）作为被指定的MIL -STD- 1835 ，如下所示：

概要信

X

描述性标志

见图1

码头

48

包装样式

扁平封装

_______

1 /设备类型02和03有一个扩展的电压范围。

2 /设备类型03为-40 ° C至+ 125°C的扩展工业温度范围。

标准

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片

2

1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535规定的，

附录A设备类M.

1.3绝对最大额定值。 1/2/ 3 /

电源电压范围（V

DD

):

5.0 V电源（V

DD1

） ................................................. .......................................... -0.3 V直流到+6.0 V DC

3.3 V电源（V

DD2

） ................................................. .......................................... -0.3 V直流到+6.0 V DC

直流输入电压范围（Ⅴ

IN

): 4/

端口................................................................................................................. -0.3 V直流到V

DD1

+ 0.3 V直流

B端口................................................................................................................. -0.3 V直流到V

DD1

+ 0.3 V直流

DC输出电压范围（Ⅴ

OUT

):

端口................................................................................................................. -0.3 V直流到V

DD1

+ 0.3 V直流

B端口................................................................................................................. -0.3 V直流到V

DD1

+ 0.3 V直流

DC输入电流，任一输入端（我

IN

):

端口.................................................................................................................

±10

mA

B端口.................................................................................................................

±10

mA

存储温度范围（T

英镑

） ................................................. ...................... -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒） .......................................... ................ + 300℃

热阻，结到外壳（ θ

JC

） ................................................. .........见MIL -STD- 1835

结温（T

J

) .................................................................................... +175°C

在T最大功耗

A

= + 55 ° C（在静止空气中） （P

D

)................................. 1.0 W 5/

1.4推荐工作条件。 2/3/ 6 /

电源电压范围（V

DD

):

(V

DD1

）设备类型01 .............................................. .......................................... +4.5 V直流到+5.5 V DC

或3.13 V直流至3.6 V直流

(V

DD1

）设备类型02和03 ............................................ ............................... + 4.5 V直流至+5.5 V直流

或3.0 V直流至3.6 V直流

(V

DD2

）设备类型01 .............................................. .......................................... 3.13 V直流到+3.6 V DC

或+4.5 V直流至+5.5 V直流

(V

DD2

）设备类型02和03 ............................................ ............................... 3.00 V直流电源+ 3.6V DC

或+4.5 V直流至+5.5 V直流

输入电压范围（V

IN

） ................................................. ..................................... +0.0 V直流到V

DD1

输出电压范围（V

OUT

） ................................................. ............................... +0.0 V直流到V

DD1

情况下的工作温度范围（T

C

） ： （设备类型01和02 ） .................... -55 ° C至+ 125°C

（设备类型03 ） ................................. -40 ° C至+ 125°C

最大输入上升和下降时间在V

DD1

= 4.5 V （ TR ， TF） ....................................... 1纳秒/ V 7 /

1.5辐射功能。 8 /

最大总剂量使用（剂量率= 50 - 300拉德（SI ） / S） ........................ 1 ×105拉德（SI ）

单事件现象（ SEP）的有效线性能量

阈值（ LET） 。没有冷门（见4.4.4.4 ） .......................................... ................ > 80兆电子伏特/ （毫克/平方厘米）

单事件闭锁............................................. .............................................. > 120兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）

_______

1 /应力超过绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作

最高级别可能会降低性能并影响可靠性。

2 /除非另有说明，所有电压都是参考V

SS

.

3 /限制此规定的参数，适用于在整个指定的V

DD

范围和外壳温度范围

-55 ° C至+ 125°C的设备类型01和02 ， -40 ° C至+ 125°C的设备类型03 。

4 /对于冷备模式（V

DD

= V

SS

） ， VIN可以在-0.3V至最大推荐工作V

DD

+ 0.3V.

5 /最大封装功耗是使用150 ° C的结温的电路板走线长度计算

750密耳

6 /未使用的输入必须保持高电平或低电平，以防止它们飘浮。

7 /减额制度的传播延迟在上升时间差为TR或TF > 1纳秒/ V开关点。

8 /辐射测试标准评估电路上进行。

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片

3

2.适用文件

2.1政府规范，标准和手册。下面的说明书，标准，和手册形成部

此图在此规定的范围内。除非另有说明，这些文件的问题都没有在这个列

发行规格和标准防御指数部（ DoDISS ）和补充于此，引用了

征集。

特定网络阳离子

国防部

MIL -PRF- 38535 - 集成电路，制造，一般规格。

标准

国防部

MIL -STD- 883 -

MIL -STD- 1835 -

环境管理体

国防部

MIL -HDBK- 103 -

MIL -HDBK -780 -

标准微电路图纸清单。

标准微电路图纸。

测试方法标准为电路。

接口标准电子元器件案纲要。

（除非另有说明，可从标准化的规范，标准，和手册的副本

文档订购中心， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。 ）

2.2优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献中，文本之间的冲突的情况下

此图的优先。本文件的内容，但是，取代除非适用的法律和法规

特定豁免已获得。

3.要求

3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应按照

MIL -PRF- 38535和本文或修改设备制造商的质量管理（ QM）计划中指定。该

本文所述的修改，在质量管理计划不得影响外形，装配或功能。个别项目要求

装置M级应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A非JAN级B级的设备并按规定

在本文中。

3.1.1微电路芯片。针对微电路芯片的要求，请参阅附录A本文件。

3.2设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应符合规定

在MIL -PRF- 38535 ，并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ，附录A和这里的设备类M.

3.2.1案例概述。案件轮廓应符合1.2.4本文和图1 。

3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图2中指定。

3.2.3真值表。真值表应符合图3上指定的。

3.2.4逻辑图。逻辑图应为在图4中指定。

3.2.5开关波形和测试电路。开关波形和测试电路应在图5中指定。

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4

3.2.6辐射测试连接。辐射测试连接应符合表三规定。

3.2.7辐射暴露的电路。辐射暴露电路，由下文件制造商保持

修订级别控制和要求应提供给准备和收购活动。

3.3电气性能和照射后的参数限制。除非在本文中，特别说明

电性能特性和照射后的参数范围是如在表I中规定并应适用于整个

外壳工作温度范围。

3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电

测试每个子组都在表IA所定义。

3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外，制造商的PIN码也可以是

标记为MIL -HDBK- 103上市。对于包，其中的标记的整个贴片PIN号码是不是由于空间可行

的限制，制造商还没有标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用此选项，

RHA标志仍应进行标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。

对于设备M级标记应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A.

3.5.1认证/符合性标志。根据需要在认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"

MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ，附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"

3.6合格证书。对于设备类Q和V，均须由QML -38535合格证明书

为了供给到该图的要求中列出的制造商（见6.6.1本文） 。对于设备类男，证书

合规应要求从制造商才能被列为供应MIL -HDBK- 103的合法来源（见

6.6.2在此） 。遵守上市前提交DSCC -VA作为供应的合法来源为这个证书

图纸应确认，制造商的产品符合，对于设备类Q和V， MIL -PRF- 38535和要求

本文中或为设备类男， MIL-PRF- 38535 ，附录A和本文中的要求。

3.7证书的一致性。在MIL -PRF- 38535或需要设备类Q和V一致性证书

在MIL -PRF- 38535设备类男，附录A中应提供每批交付给本图微电路。

3.8变更通知为设备类M.对于设备类男，通报产品的变化DSCC -VA （见6.2

本文） ，涉及获取到该图的设备如MIL-PRF- 38535定义所需的任何变化，附录A.

3.9检验和审查设备类M.对于设备类男， DSCC ， DSCC的经纪人和收购活动保留

选择查看制造商的设备和应用要求的文件。离岸文件应进行

在评审的选项可用岸。

对于设备类M.设备类M器件包括在本图中3.10微电路组分配应

微电路组号37 （见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。

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片

5

UT54ACS164245S

RadHard施密特CMOS 16位双向多功能收发器

数据表

2002年4月，

特点

电压转换

- 5V总线3.3V总线

- 3.3V总线5V总线

冷备用

- 最小1MΩ输入阻抗断电

0.6m

商业RadHard CMOS

- 总剂量： 100K RAD （SI ）

- 单事件闭锁免疫

高速，低功率消耗

施密特触发器输入来过滤噪声信号

可用QML Q或V流程

标准微电路图纸5962-98580

包装：

- 48引脚扁平封装， 25密耳间距（ 0.390 X 0.640 ）

TM

逻辑符号

E1 （ 48 ）

E2 （ 25 ）

DIR1

(1)

G1

2EN1 （ BA ）

2EN2 （ AB ）

1EN1 （ BA ）

1EN2 （ AB ）

G2

11

12

(24)

DIR2

1A1

1A2

1A3

(47)

(46)

(44)

(2)

(3)

(5)

(6)

(8)

1B1

1B2

1B3

1B4

(43)

1A4

(41)

1A5

(40)

1A6

(38)

1A7

(37)

1A8

(36)

2A1

2A2

2A3

(35)

(33)

21

22

1B5

(9)

1B6

(11)

1B7

(12)

1B8

(13)

2B1

(14)

2B2

(16)

2B3

(17)

2B4

(19)

2B5

(20)

2B6

(22)

2B7

(23)

2B8

描述

的16位宽UT54ACS164245S多功能收发器

使用UTMC的商业RadHard建

TM

外延

CMOS技术，是理想的空间应用。这种高

高速，低功耗UT54ACS164245S收发机被设计成

执行多种功能，包括：异步双向

通信，信号缓冲，电平转换和冷

备用。随着V

DD

等于零伏特，则UT54ACS164245S

投入和产出呈现1MΩ的最低阻抗mak-

荷兰国际集团的理想选择"cold spare"应用。平衡输出和

低"on"输出阻抗使UT54ACS164245S好

适合于驱动大电容负载和低阻抗

背板。该UT54ACS164245S使系统设计者

接口3.3伏的CMOS兼容的组件与5伏

CMOS组件。对于电压转换， A端口间

面对与3.3伏总线;与5伏的B端口的接口

总线。方向控制（ DIRX ）控制数据的方向

流动。输出使能（ OEX ）覆盖的方向控制

并禁用这两个端口。这些信号可以从任意驱动

A或B口的方向和输出使能控制操作

这些设备作为两个独立的8位收发器或1

16位收发器。

(32)

2A4

(30)

2A5

(29)

2A6

(27)

2A7

(26)

2A8

引脚说明

引脚名称

OE X

DIRX

XAX

XBX

描述

输出使能输入（低电平有效）

方向控制输入

A面输入或三态输出（ 3.3V端口）

B面输入或三态输出（ 5V端口）

功能表

启用

OE X

L

L

H

方向

DIRX

L

H

X

手术

B数据到总线

数据到B总线

隔离

1

引脚配置

功率表

1

端口B

5伏

端口A

3.3伏特

5伏

3.3伏特

V

SS

3.3V或5V

手术

电压转换器

非翻译

非翻译

冷备用

端口B冷备用

48引脚扁平封装

顶视图

DIR1

1B1

1B2

V

SS

1B3

1B4

VDD1

1B5

1B6

V

SS

1B7

1B8

2B1

2B2

V

SS

2B3

2B4

VDD1

2B5

2B6

V

SS

2B7

2B8

DIR2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

OE1

1A1

1A2

V

SS

1A3

1A4

VDD2

1A5

1A6

V

SS

1A7

1A8

2A1

2A2

V

SS

2A3

2A4

VDD2

2A5

2A6

V

SS

2A7

2A8

E2

5伏

3.3伏特

V

SS

V

SS

注意：

1. V

DD2

不能被连接到V

SS

而电源加在V

D D 1

.

控制信号DIRX OEX和宽容是5伏的输入。当

V

DD2

是3.3伏，无论是3.3 V或5 V CMOS逻辑电平可以

被应用到所有的控制输入。对于正确的操作连接

所有电源V

DD

和地面所有V

SS

销（即，没有漂浮V

DD

或V

SS

输入引脚） 。配合未使用的输入到V

SS

。如果V

DD1

和

V

DD2

不通电在一起，则V

DD2

应该是pow-

ERED了第一对OE和DIR适当控制。直到V

DD2

达到2.75V + 5 ％ ，通过OE和DIR易拉罐的输出控制

不能保证。在本部分的操作中，在上电后，

确保V

DD1

＆ GT ; V

DD2

。配合未使用的输入到V

SS

.

2

逻辑图

DIR1

(1)

(48)

E1

DIR2

(24)

(25)

OE 2

1A1

(47)

(2)

1B1

2A1

(36)

(13)

2B1

1A2

(46)

(3)

1B2

2A2

(35)

(14)

2B2

1A3

(44)

(5)

1B3

2A3

(33)

(16)

2B3

3.3V端口

3.3V端口

1A4

(43)

2A4

(32)

(17)

(30)

(19)

2B5

2B4

5 V接口

(6)

(41)

(8)

1A6

(40)

(9)

1A7

(38)

(11)

1A8

(37)

(12)

1B4

1A5

2A5

1B5

2A6

1B6

2A7

1B7

2A8

1B8

(26)

(27)

(29)

(20)

2B6

(22)

2B7

(23)

2B8

3

5 V接口

抗辐射规格

参数

总剂量

SEL闭锁

中子注量

2

1

极限

1.0E5

>120

1.0E14

单位

Rad公司（SI ）

兆电子伏特厘米

2

/毫克

牛顿/厘米

2

注意事项：

在表中定义的限制范围内的辐射照射期间1.逻辑不会闭锁。

2.未测试，固有的CMOS技术。

绝对最大额定值

1

符号

V

I / O

V

DD1

V

DD2

T

英镑

T

J

Θ

J·C

I

I

P

D

参数

电压的任何引脚

电源电压

电源电压

存储温度范围

最高结温

热阻结到外壳

DC输入电流

最大功率耗散

LIMIT （MIL只）

-.3到V

DD1

+.3

-0.3 6.0

-0.3 6.0

-65到+150

+175

20

±10

1

单位

V

V

V

°C

°C

° C / W

mA

W

注意：

列出的绝对最大额定值之外1.强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个额定值时，器件的功能操作

在以后的业务部门所标明的限制，这些或任何其他条件，不推荐。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性和性能。

双电源供电条件

符号

V

DD1

V

DD2

V

IN

T

C

参数

电源电压

电源电压

输入电压的任何引脚

温度范围

极限

3.0至3.6或4.5至5.5

3.0至3.6或4.5至5.5

0到V

DD1

-55 + 125

单位

V

V

V

°C

4

DC电气特性

1

（ -55°C <牛逼

C

＆ LT ; + 125°C ）

(T

C

= -55

°

C至+ 125°C的"C"筛选和-40°C至+ 125

°

下"W"筛选）

°

°

符号

V

T

+

V

T

-

V

H1

V

H2

I

IN

参数

施密特触发器，正向阈值

2

条件

V

DD

从3.00到5.5

.3V

DD

0.6

0.4

-1

3

民

最大

.7V

DD

单位

V

V

V

V

A

施密特触发器，负门槛

2

V

DD

从3.00到5.5

滞后的施密特触发器范围

1 0

滞后的施密特触发器范围

1 0

输入漏电流

10

V

DD

从4.5到5.5

V

DD

从3.00到3.6

V

DD

从3.6到5.5

V

IN

= V

DD

或V

SS

I

OZ

三态输出漏电流

10

V

DD

从3.6到5.5

V

IN

= V

DD

或V

SS

-1

3

A

I

CS

冷备用漏电流

3

V

IN

= 5.5

V

DD

= V

SS

-1

5

A

I

OS1

输出短路电流

6, 11

V

O

= V

DD

或V

SS

V

DD

从4.5到5.5

-200

200

mA

I

OS2

输出短路电流

6, 11

V

O

= V

DD

或V

SS

V

DD

从3.00到3.6

-100

100

mA

V

OL1

低电平输出电压

4, 10

I

OL

= 8毫安

I

OL

= 100A

V

DD

= 4.5

0.4

0.2

V

V

OL2

低电平输出电压

4, 10

I

OL

= 8毫安

I

OL

= 100A

V

DD

= 3.00

0.5

0.2

V

V

OH1

高电平输出电压

4, 10

I

OH

= -8mA

I

OH

= -100A

V

DD

= 4.5

V

DD

- 0.7

V

DD

- 0.2

V

DD

- 0.9

V

DD

- 0.2

V

V

OH2

高电平输出电压

4, 10

I

OH

= -8mA

I

OH

= -100A

V

DD

= 3.00

V

5

UT54ACS164245S

RadHard施密特CMOS 16位双向多功能收发器

数据表

2002年4月，

特点

电压转换

- 5V总线3.3V总线

- 3.3V总线5V总线

冷备用

- 最小1MΩ输入阻抗断电

0.6m

商业RadHard CMOS

- 总剂量： 100K RAD （SI ）

- 单事件闭锁免疫

高速，低功率消耗

施密特触发器输入来过滤噪声信号

可用QML Q或V流程

标准微电路图纸5962-98580

包装：

- 48引脚扁平封装， 25密耳间距（ 0.390 X 0.640 ）

TM

逻辑符号

E1 （ 48 ）

E2 （ 25 ）

DIR1

(1)

G1

2EN1 （ BA ）

2EN2 （ AB ）

1EN1 （ BA ）

1EN2 （ AB ）

G2

11

12

(24)

DIR2

1A1

1A2

1A3

(47)

(46)

(44)

(2)

(3)

(5)

(6)

(8)

1B1

1B2

1B3

1B4

(43)

1A4

(41)

1A5

(40)

1A6

(38)

1A7

(37)

1A8

(36)

2A1

2A2

2A3

(35)

(33)

21

22

1B5

(9)

1B6

(11)

1B7

(12)

1B8

(13)

2B1

(14)

2B2

(16)

2B3

(17)

2B4

(19)

2B5

(20)

2B6

(22)

2B7

(23)

2B8

描述

的16位宽UT54ACS164245S多功能收发器

使用UTMC的商业RadHard建

TM

外延

CMOS技术，是理想的空间应用。这种高

高速，低功耗UT54ACS164245S收发机被设计成

执行多种功能，包括：异步双向

通信，信号缓冲，电平转换和冷

备用。随着V

DD

等于零伏特，则UT54ACS164245S

投入和产出呈现1MΩ的最低阻抗mak-

荷兰国际集团的理想选择"cold spare"应用。平衡输出和

低"on"输出阻抗使UT54ACS164245S好

适合于驱动大电容负载和低阻抗

背板。该UT54ACS164245S使系统设计者

接口3.3伏的CMOS兼容的组件与5伏

CMOS组件。对于电压转换， A端口间

面对与3.3伏总线;与5伏的B端口的接口

总线。方向控制（ DIRX ）控制数据的方向

流动。输出使能（ OEX ）覆盖的方向控制

并禁用这两个端口。这些信号可以从任意驱动

A或B口的方向和输出使能控制操作

这些设备作为两个独立的8位收发器或1

16位收发器。

(32)

2A4

(30)

2A5

(29)

2A6

(27)

2A7

(26)

2A8

引脚说明

引脚名称

OE X

DIRX

XAX

XBX

描述

输出使能输入（低电平有效）

方向控制输入

A面输入或三态输出（ 3.3V端口）

B面输入或三态输出（ 5V端口）

功能表

启用

OE X

L

L

H

方向

DIRX

L

H

X

手术

B数据到总线

数据到B总线

隔离

1

引脚配置

功率表

1

端口B

5伏

端口A

3.3伏特

5伏

3.3伏特

V

SS

3.3V或5V

手术

电压转换器

非翻译

非翻译

冷备用

端口B冷备用

48引脚扁平封装

顶视图

DIR1

1B1

1B2

V

SS

1B3

1B4

VDD1

1B5

1B6

V

SS

1B7

1B8

2B1

2B2

V

SS

2B3

2B4

VDD1

2B5

2B6

V

SS

2B7

2B8

DIR2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

OE1

1A1

1A2

V

SS

1A3

1A4

VDD2

1A5

1A6

V

SS

1A7

1A8

2A1

2A2

V

SS

2A3

2A4

VDD2

2A5

2A6

V

SS

2A7

2A8

E2

5伏

3.3伏特

V

SS

V

SS

注意：

1. V

DD2

不能被连接到V

SS

而电源加在V

D D 1

.

控制信号DIRX OEX和宽容是5伏的输入。当

V

DD2

是3.3伏，无论是3.3 V或5 V CMOS逻辑电平可以

被应用到所有的控制输入。对于正确的操作连接

所有电源V

DD

和地面所有V

SS

销（即，没有漂浮V

DD

或V

SS

输入引脚） 。配合未使用的输入到V

SS

。如果V

DD1

和

V

DD2

不通电在一起，则V

DD2

应该是pow-

ERED了第一对OE和DIR适当控制。直到V

DD2

达到2.75V + 5 ％ ，通过OE和DIR易拉罐的输出控制

不能保证。在本部分的操作中，在上电后，

确保V

DD1

＆ GT ; V

DD2

。配合未使用的输入到V

SS

.

2

逻辑图

DIR1

(1)

(48)

E1

DIR2

(24)

(25)

OE 2

1A1

(47)

(2)

1B1

2A1

(36)

(13)

2B1

1A2

(46)

(3)

1B2

2A2

(35)

(14)

2B2

1A3

(44)

(5)

1B3

2A3

(33)

(16)

2B3

3.3V端口

3.3V端口

1A4

(43)

2A4

(32)

(17)

(30)

(19)

2B5

2B4

5 V接口

(6)

(41)

(8)

1A6

(40)

(9)

1A7

(38)

(11)

1A8

(37)

(12)

1B4

1A5

2A5

1B5

2A6

1B6

2A7

1B7

2A8

1B8

(26)

(27)

(29)

(20)

2B6

(22)

2B7

(23)

2B8

3

5 V接口

抗辐射规格

参数

总剂量

SEL闭锁

中子注量

2

1

极限

1.0E5

>120

1.0E14

单位

Rad公司（SI ）

兆电子伏特厘米

2

/毫克

牛顿/厘米

2

注意事项：

在表中定义的限制范围内的辐射照射期间1.逻辑不会闭锁。

2.未测试，固有的CMOS技术。

绝对最大额定值

1

符号

V

I / O

V

DD1

V

DD2

T

英镑

T

J

Θ

J·C

I

I

P

D

参数

电压的任何引脚

电源电压

电源电压

存储温度范围

最高结温

热阻结到外壳

DC输入电流

最大功率耗散

LIMIT （MIL只）

-.3到V

DD1

+.3

-0.3 6.0

-0.3 6.0

-65到+150

+175

20

±10

1

单位

V

V

V

°C

°C

° C / W

mA

W

注意：

列出的绝对最大额定值之外1.强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个额定值时，器件的功能操作

在以后的业务部门所标明的限制，这些或任何其他条件，不推荐。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性和性能。

双电源供电条件

符号

V

DD1

V

DD2

V

IN

T

C

参数

电源电压

电源电压

输入电压的任何引脚

温度范围

极限

3.0至3.6或4.5至5.5

3.0至3.6或4.5至5.5

0到V

DD1

-55 + 125

单位

V

V

V

°C

4

DC电气特性

1

（ -55°C <牛逼

C

＆ LT ; + 125°C ）

(T

C

= -55

°

C至+ 125°C的"C"筛选和-40°C至+ 125

°

下"W"筛选）

°

°

符号

V

T

+

V

T

-

V

H1

V

H2

I

IN

参数

施密特触发器，正向阈值

2

条件

V

DD

从3.00到5.5

.3V

DD

0.6

0.4

-1

3

民

最大

.7V

DD

单位

V

V

V

V

A

施密特触发器，负门槛

2

V

DD

从3.00到5.5

滞后的施密特触发器范围

1 0

滞后的施密特触发器范围

1 0

输入漏电流

10

V

DD

从4.5到5.5

V

DD

从3.00到3.6

V

DD

从3.6到5.5

V

IN

= V

DD

或V

SS

I

OZ

三态输出漏电流

10

V

DD

从3.6到5.5

V

IN

= V

DD

或V

SS

-1

3

A

I

CS

冷备用漏电流

3

V

IN

= 5.5

V

DD

= V

SS

-1

5

A

I

OS1

输出短路电流

6, 11

V

O

= V

DD

或V

SS

V

DD

从4.5到5.5

-200

200

mA

I

OS2

输出短路电流

6, 11

V

O

= V

DD

或V

SS

V

DD

从3.00到3.6

-100

100

mA

V

OL1

低电平输出电压

4, 10

I

OL

= 8毫安

I

OL

= 100A

V

DD

= 4.5

0.4

0.2

V

V

OL2

低电平输出电压

4, 10

I

OL

= 8毫安

I

OL

= 100A

V

DD

= 3.00

0.5

0.2

V

V

OH1

高电平输出电压

4, 10

I

OH

= -8mA

I

OH

= -100A

V

DD

= 4.5

V

DD

- 0.7

V

DD

- 0.2

V

DD

- 0.9

V

DD

- 0.2

V

V

OH2

高电平输出电压

4, 10

I

OH

= -8mA

I

OH

= -100A

V

DD

= 3.00

V

5